王 奇,李英娜,萬小容,李 川
(昆明理工大學(xué) 信息工程與自動(dòng)化學(xué)院,云南 昆明 650500)
干式鐵心電抗器在結(jié)構(gòu)上不同于干式變壓器,其每相只有一組繞組,并且鐵心被多個(gè)氣隙單元分隔,因此干式鐵心電抗器運(yùn)行時(shí)產(chǎn)生的漏磁現(xiàn)象更加明顯[1]。隨著運(yùn)行容量的增大,電抗器的漏磁場(chǎng)也越來越大,由此產(chǎn)生的附加損耗很容易引起電抗器局部過熱,影響到電抗器正常運(yùn)行,引發(fā)安全事故[2-4]。繞組中產(chǎn)生的渦流損耗在附加損耗中占很大比例,準(zhǔn)確分析電抗器漏磁分布、繞組渦流損耗分布,對(duì)于預(yù)防干式鐵心電抗器繞組局部過熱,確保電抗器安全穩(wěn)定地工作具有重大的意義[5]。
繞組渦流損耗大小取決于其所處空間位置的漏磁場(chǎng)強(qiáng)度,文獻(xiàn)[1]指出同容量同電壓等級(jí)的鐵心電抗器漏磁通量遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于變壓器漏磁通,如果不采取適當(dāng)?shù)奶幚泶胧?,其漏磁損耗可以達(dá)到總損耗的1/4到1/3。文獻(xiàn)[6]通過解析近似法分析了干式鐵心電抗器氣隙處的磁場(chǎng)分布情況。文獻(xiàn)[7~8]利用解析近似法給出了電抗器繞組損耗的計(jì)算方法,但無法分析出繞組渦流損耗的分布情況。文獻(xiàn)[9~13]采用有限元法對(duì)干式鐵心電抗器的磁場(chǎng)及電感分布特性展開了相關(guān)的討論。
由于電抗器內(nèi)部結(jié)構(gòu)復(fù)雜,漏磁分布不均勻,利用傳統(tǒng)的解析法很難準(zhǔn)確地進(jìn)行分析,而采用有限元法對(duì)電抗器磁場(chǎng)及渦流損耗的研究主要是通過二維模型進(jìn)行求解分析[14-15]。針對(duì)干式鐵心電抗器復(fù)雜的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了合理地簡(jiǎn)化,建立了電抗器的三維有限元模型,通過應(yīng)用Maxwell軟件對(duì)干式鐵心電抗器的磁場(chǎng)和繞組渦流損耗做出分析。
麥克斯韋方程組可以解釋一切宏觀電磁場(chǎng)現(xiàn)象的基本規(guī)律。麥克斯韋方程組有兩種表達(dá)形式,一種可以寫成積分形式,另一種可以寫成微分形式,這里只給出其微分形式,因?yàn)樗芙o出用有限元方法處理電磁問題的微分方程[16]。
(1)
(2)
·D=ρ
(3)
·B=0
(4)
式中,E為電場(chǎng)強(qiáng)度,V/m;B為磁通量密度,Wb/m2;H為磁場(chǎng)強(qiáng)度,A/m;D為電通量密度,C/m2;J為電流密度,A/m2;ρ為電荷密度,C/m3。
電抗器正常工作狀態(tài)下,交變磁場(chǎng)影響著鐵心中形成的磁路,電抗器鐵心中的磁場(chǎng)微分方程為
(5)
式中,μ0為真空磁導(dǎo)率,H/m;μr為相對(duì)磁導(dǎo)率;A為方程的變量,即矢量磁位。分析過程還存在如下關(guān)系
B=μ0μrH=×A
(6)
(7)
式中,Je為外部電流密度,A/m2;N為線圈匝數(shù);I為繞組電流,A;SW為繞組截面面積,mm2[17]。
由于繞組處于交變的漏磁場(chǎng)中,會(huì)在其閉合回路中產(chǎn)生感應(yīng)電流,從而在導(dǎo)線中產(chǎn)生渦流損耗。繞組渦流損耗計(jì)算公式為
(8)
選取一臺(tái)三相的干式鐵心電抗器作為研究對(duì)象,分析其通交流電正常運(yùn)行時(shí)磁場(chǎng)及繞組渦流損耗的分布。電抗器的主要參數(shù)如表1所示。
表1 電抗器主要參數(shù)
建立的電抗器三維有限元模型如圖1所示,并做出假設(shè):(1)不考慮高次諧波,所有場(chǎng)量隨時(shí)間作正弦變化;(2)簡(jiǎn)化鐵心柱,忽略其內(nèi)部的疊片結(jié)構(gòu);(3)鐵心氣隙墊塊的屬性近似為與空氣相同;(4)忽略位移電流的影響。
圖1 干式鐵心電抗器模型
利用有限元軟件Maxwell對(duì)干式鐵心電抗器進(jìn)行仿真分析,其流程如圖2所示。
圖2 有限元分析流程
干式鐵心電抗器模型的長(zhǎng)為366 mm,寬為202 mm,高為304 mm,求解模式采用三維渦流場(chǎng)諧態(tài)求解。在Maxwell有限元分析軟件中,網(wǎng)格剖分是非常重要的一個(gè)步驟,求解結(jié)果的精確度與效率都取決于網(wǎng)格剖分的大小與數(shù)量。對(duì)三維模型簡(jiǎn)化后采取自適應(yīng)網(wǎng)格剖分,剖分單元為四面體結(jié)構(gòu),共928 291個(gè)單元,如圖3所示。從剖分結(jié)果分析,鐵心上、下軛部分體積較大,網(wǎng)格剖分單元較大,剖分比較規(guī)則,有利于提高分析求解的速度;繞組及氣隙邊界部分模型比較復(fù)雜,因此網(wǎng)格剖分單元較小,更為密集,這樣有利于提升分析求解的精度。
圖3 電抗器網(wǎng)格剖分
通過Maxwell軟件對(duì)仿真模型執(zhí)行完求解后,可以得到干式鐵心電抗器的磁場(chǎng)分布情況,體現(xiàn)形式為磁通密度,如圖4所示。
圖4 電抗器磁場(chǎng)分布
由圖4可知,電抗器上、下鐵軛與鐵心餅連接處拐角的磁通密度較大,因此容易達(dá)到飽和,導(dǎo)致局部過熱;鐵心餅之間的氣隙外徑側(cè)處,磁通密度也較大,并且都有向外擴(kuò)散的趨勢(shì),這些磁力線經(jīng)過繞組會(huì)產(chǎn)生渦流損耗,導(dǎo)致繞組局部電流過大,溫度升高。
由于干式鐵心電抗器三相繞組添加的電流激勵(lì)是相位各相差2π/3的正弦交流電流,因此在同一時(shí)刻,每相繞組的電流大小可能并不相同,如圖5所示。
圖5 繞組電流密度
為了更直觀地顯示出渦流損耗在繞組中的分布情況與大小,選取其中一相繞組,截取繞組沿XZ軸平面的剖面圖作為分析。
假設(shè)實(shí)驗(yàn)忽略繞組中的渦流損耗,繞組中各層導(dǎo)線的電流密度如圖6所示。圖中整個(gè)繞組的電流密度呈現(xiàn)均勻分布的狀態(tài),不存在局部電流密度過大的情況。此時(shí)計(jì)算出繞組的歐姆損耗為221.26 W,與理論歐姆損耗228.89 W相比,誤差僅為3%,符合工程要求。
圖6 不考慮渦流的繞組電流密度
當(dāng)把電抗器運(yùn)行過程中的渦流損耗考慮在內(nèi)時(shí),對(duì)模型進(jìn)行仿真分析的結(jié)果如圖7所示,此時(shí),繞組各層導(dǎo)線中電流密度的分布不再均勻。
圖7 考慮渦流的繞組電流密度
從圖7可知,繞組上、下端部的電流密度明顯增大,這是由于磁力線在繞組端部發(fā)生彎曲,產(chǎn)生的漏磁分量增多,從而在端部引起較大的渦流,產(chǎn)生渦流損耗。除此之外,繞組1/3與2/3高度處的導(dǎo)線電流密度也有增大,這是因?yàn)檫@兩段位置的導(dǎo)線正處于鐵心餅氣隙外徑處的附近,由于氣隙的存在,使得磁力線向外擴(kuò)散,產(chǎn)生的漏磁分量在導(dǎo)線中產(chǎn)生了渦流,增大了電流密度。其中,繞組渦流損耗共11.7 W,占繞組總損耗的5.3%,根據(jù)工程算法計(jì)算出的繞組渦流損耗系數(shù)為4.6%,兩者數(shù)值基本一致,可滿足工程實(shí)際需要。
利用Maxwell有限元軟件對(duì)干式鐵心電抗器漏磁場(chǎng)及繞組渦流損耗分布進(jìn)行了仿真計(jì)算與分析,結(jié)果表明:(1)電抗器上、下鐵軛連接處以及鐵心餅氣隙處的漏磁現(xiàn)象較為嚴(yán)重;(2)繞組上下端部和氣隙高度處部分渦流損耗現(xiàn)象明顯,電流密度明顯增大,易導(dǎo)致局部過熱現(xiàn)象;(3)利用Maxwell有限元方法可以滿足工程需要,為干式鐵心電抗器繞組渦流損耗分析提供較為可靠的方法。