王蘭若鐘源李勁勁屈繼峰鐘青曹文會(huì)王雪深周志強(qiáng)付凱石勇

1)(清華大學(xué)電機(jī)工程與應(yīng)用電子技術(shù)系,北京 100089)

2)(中國(guó)計(jì)量科學(xué)研究院,北京 100029)

3)(國(guó)家質(zhì)檢總局電學(xué)量子基準(zhǔn)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,北京 100029)

1 引 言

溫度單位開(kāi)爾文(K)是國(guó)際單位制(SI)的七個(gè)基本單位之一.目前開(kāi)爾文定義為水三相點(diǎn)溫度的1/273.16[1].2018年,國(guó)際計(jì)量局將討論重新定義開(kāi)爾文.新的定義將不再依賴(lài)于實(shí)物,而僅與玻爾茲曼常數(shù)kB相關(guān)[2,3].量子電壓標(biāo)定的噪聲測(cè)溫法[4?6]通過(guò)比較導(dǎo)體中電子運(yùn)動(dòng)的熱噪聲和具有量子準(zhǔn)確度的參考電壓噪聲,可實(shí)現(xiàn)純電學(xué)的玻爾茲曼常數(shù)精密測(cè)定,其實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)的核心是能夠合成量子準(zhǔn)確度參考電壓信號(hào)的量子電壓噪聲源(quantum voltage noise source,QVNS)芯片.

近年來(lái),世界多國(guó)均開(kāi)展了用于噪聲溫度計(jì)的量子電壓噪聲源芯片相關(guān)研究.美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究院(NIST)最早提出并實(shí)現(xiàn)了量子電壓標(biāo)定的噪聲溫度計(jì)系統(tǒng),其芯片核心是基于Nb/NbxSi1?x/Nb勢(shì)壘層的超導(dǎo)/金屬/超導(dǎo)型(superconductor/normal metal/superconductor,SNS)約瑟夫森結(jié)陣[7?10].2013年,日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所(AIST)采用TiN作為約瑟夫森結(jié)的勢(shì)壘層,制作出基于Nb/TiN/Nb型約瑟夫森結(jié)陣的量子電壓噪聲源芯片[11?13].中國(guó)計(jì)量科學(xué)研究院(NIM)于2010年陸續(xù)開(kāi)展了用于各類(lèi)量子電壓基準(zhǔn)的約瑟夫森結(jié)陣器件的研究工作,主要是基于Nb/NbxSi1?x/Nb的SNS新型約瑟夫森結(jié)技術(shù)[14].量子電壓噪聲源作為約瑟夫森結(jié)陣芯片的重要應(yīng)用,其研制工作亦隨即展開(kāi).

本文詳細(xì)介紹了基于Nb/NbxSi1?x/Nb約瑟夫森結(jié)陣及超導(dǎo)微波線(xiàn)路的量子電壓噪聲源芯片的設(shè)計(jì)、制備與測(cè)試.在4.2 K溫度下,采用脈沖驅(qū)動(dòng)模式合成了具有量子精度的100 kHz交流量子電壓信號(hào).

2 器件設(shè)計(jì)與制作

2.1 芯片設(shè)計(jì)

用于噪聲溫度計(jì)的量子電壓噪聲源芯片工作時(shí)需要模擬產(chǎn)生100 ?標(biāo)準(zhǔn)電阻在水的三相點(diǎn)(273.16 K)下極微弱(～1.2 nV/Hz1/2)的噪聲電壓,即贗噪聲.這種贗噪聲必須是精確的、極低干擾的、可使用交叉相關(guān)技術(shù)測(cè)量的.其精確性的獲得是利用數(shù)學(xué)工具將期望合成的波形調(diào)制成一系列數(shù)字碼型,用高速脈沖驅(qū)動(dòng)約瑟夫森結(jié)陣,非回滯約瑟夫森結(jié)陣是天然的量子濾波器,能夠?yàn)V除脈沖碼形發(fā)生器產(chǎn)生的幅度噪聲和相位噪聲,得到純凈的期望合成的波形.量子電壓噪聲源芯片需要使用A,B兩個(gè)信道測(cè)量,再通過(guò)兩個(gè)信道之間進(jìn)行交叉相關(guān)排除測(cè)量線(xiàn)路中隨機(jī)噪聲的干擾[9].圖1(a)為用于量子電壓噪聲源的約瑟夫森結(jié)陣電路示意圖,其核心為兩組數(shù)目相同的Nb/NbxSi1?x/Nb約瑟夫森結(jié)陣串聯(lián)組成的陣列,如圖中n×JJ所示,n表示每個(gè)子陣列結(jié)的個(gè)數(shù).圖中D+和D?為數(shù)字脈沖輸入端口,由相反極性的脈沖信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)約瑟夫森結(jié);A+,A?,B+,B?為兩路信道端口;GND為接地點(diǎn),用來(lái)抑制兩個(gè)對(duì)稱(chēng)電路產(chǎn)生共模信號(hào);為避免脈沖驅(qū)動(dòng)信號(hào)泄漏到信號(hào)輸出端對(duì)采集的合成信號(hào)產(chǎn)生干擾,在信號(hào)輸出端采用了低通濾波器[15](low pass filter,LPF)對(duì)脈沖信號(hào)進(jìn)行隔離;Rj為使得量子噪聲源與電阻熱噪聲源電路相對(duì)應(yīng)的匹配電阻.

圖1(b)為光學(xué)顯微鏡下量子電壓噪聲源芯片實(shí)物圖.芯片采用漸變共面波導(dǎo)(coplanar waveguide,CPW)作為微波功率的入射端口,漸變至傳輸線(xiàn)結(jié)部分,形成16μm寬的中心信號(hào)線(xiàn)及71μm寬的地線(xiàn),地線(xiàn)與中心線(xiàn)間隔為6μm.微波傳輸線(xiàn)保持50 ?的特征阻抗,約瑟夫森結(jié)嵌在CPW中心信號(hào)線(xiàn)中.芯片核心部分為兩路約瑟夫森結(jié)陣,每路陣列包括4個(gè)約瑟夫森結(jié),結(jié)尺寸為6μm×12μm.漸變共面波導(dǎo)和微波傳輸線(xiàn)的設(shè)計(jì)工作頻率為5 GHz,芯片中所有微波單元均通過(guò)仿真軟件ADS和HFSS進(jìn)行了仿真驗(yàn)證.

圖1 量子電壓噪聲源芯片示意圖 (a)量子電壓噪聲源芯片電路示意圖;(b)光學(xué)顯微鏡下量子電壓噪聲源芯片實(shí)物圖(1 cm×1 cm)Fig.1.Quantum voltage noise source chip:(a)Circuit of quantum voltage noise source;(b)microscope photo of QVNS chip(1 cm×1 cm).

2.2 器件制備

本芯片中約瑟夫森結(jié)陣的目標(biāo)工作頻率為5 GHz,采用非回滯Nb/NbxSi1?x/Nb結(jié),其主要優(yōu)點(diǎn)是可以通過(guò)控制勢(shì)壘層中Nb靶和Si靶的濺射功率以及濺射時(shí)間,來(lái)調(diào)節(jié)勢(shì)壘層中NbxSi1?x的組分和厚度,從而控制結(jié)的電學(xué)特性[16,17].為摸索5 GHz工作頻率下結(jié)的工藝參數(shù)及檢驗(yàn)制備工藝流程的有效性,本文同時(shí)在掩模版中設(shè)計(jì)了含有不同尺寸結(jié)的結(jié)陣測(cè)試芯片,每個(gè)結(jié)陣包含200個(gè)結(jié).這樣的設(shè)計(jì)便于獲得不同尺寸的結(jié)對(duì)應(yīng)的臨界電流Ic、臨界電流密度Jc、結(jié)電阻Rn參數(shù).

芯片采用超高真空磁控濺射方法制備N(xiāo)b/NbxSi1?x/Nb三層薄膜結(jié)構(gòu).襯底選用2 inch表面氧化的硅襯底.由于磁控濺射工藝步驟對(duì)調(diào)控約瑟夫森結(jié)電學(xué)特性至關(guān)重要,因而在濺射過(guò)程中需嚴(yán)格控制腔室殘余氣體組分、本底真空度、濺射氣壓、濺射功率等條件.本文所使用的三層薄膜濺射工藝中,本底真空度約為2.5×10?8Torr,上下層Nb膜的濺射功率為500 W,濺射氣壓為4.8 mTorr,在濺射過(guò)程中襯底通過(guò)背部循環(huán)水冷卻保持在20?C.根據(jù)經(jīng)驗(yàn),在這種條件下濺射的Nb膜的超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度Tc約為9.09 K,轉(zhuǎn)變寬度?T為0.03 K,電阻率為16.1μ?·cm,剩余電阻比(RRR)為4.83[18].勢(shì)壘層采用Nb與Si共濺射的方法,Nb靶濺射功率為50 W,Si靶濺射功率為250 W.薄膜應(yīng)力隨濺射氣壓的改變而變化[19],在本文使用的磁控濺射系統(tǒng)中,當(dāng)濺射氣壓為4.7—5 mTorr時(shí)薄膜易呈現(xiàn)壓應(yīng)力,本芯片制作時(shí)使用4.8 MPa的濺射氣壓,三層薄膜應(yīng)力為110 MPa的壓應(yīng)力.采用光刻及反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)(reactive ion etching,RIE)與感應(yīng)耦合等離子體刻蝕(inductively coupled plasma,ICP)技術(shù)定義約瑟夫森結(jié)區(qū)和底電極.隨后采用等離子體增強(qiáng)的氣相沉積法(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)沉積SiO2絕緣層,并定義及刻蝕通孔.再次磁控濺射N(xiāo)b膜,經(jīng)光刻后對(duì)其進(jìn)行RIE刻蝕形成引線(xiàn)層.此后采用反轉(zhuǎn)膠光刻電阻層圖案,電子束蒸發(fā)帶膠沉積PdAu電阻薄膜,剝離光刻膠后形成電阻層.經(jīng)過(guò)以上工藝制作完成的芯片外觀如圖1(b)所示.

3 器件測(cè)試

3.1 測(cè)試芯片(test chip)

為了便于獲取每一批次制作的結(jié)參數(shù),含有不同尺寸約瑟夫森結(jié)陣的test chip與量子電壓噪聲源芯片(QVNS chip)被設(shè)計(jì)在同一套光刻版中進(jìn)行同時(shí)制作.圖2為test chip中不同尺寸的200個(gè)約瑟夫森結(jié)串聯(lián)陣列在4.2 K下的直流I-V特性曲線(xiàn),可以看出,從這些結(jié)陣中均可觀察到清晰的隧穿電流,表明各陣列直流特性良好.表1為各尺寸結(jié)陣對(duì)應(yīng)的臨界電流Ic、臨界電流密度Jc、結(jié)電阻Rn值.其中Jc和IcRn值隨結(jié)面積增加而趨近某值說(shuō)明表1中測(cè)量結(jié)果可信,無(wú)異常原因?qū)е缕渲档臒o(wú)規(guī)律變化,也間接地說(shuō)明工藝過(guò)程穩(wěn)定可靠.QVNS chip中的約瑟夫森結(jié)陣嵌在CPW中心信號(hào)線(xiàn)中,雖然每路陣列只包括4個(gè)約瑟夫森結(jié),還是采用了與大規(guī)模約瑟夫森結(jié)陣相同的長(zhǎng)方形結(jié)構(gòu),尺寸為6μm×12μm.由于量子電壓噪聲源芯片要求結(jié)陣的交流電壓平臺(tái)具有一定寬度(約1 mA),相應(yīng)的結(jié)陣的臨界電流Ic為5—8 mA.每輪調(diào)整NbxSi1?x的組分和厚度后通過(guò)測(cè)試test chip中8μm×8μm和9μm×9μm結(jié)陣的Ic和Rn值能夠預(yù)估出QVNS chip中6μm×12μm 結(jié)陣的相應(yīng)值,從而判定NbxSi1?x的組分和厚度是否調(diào)整到位,如果進(jìn)入目標(biāo)值區(qū)域(Ic～5—8 mA)則可進(jìn)一步進(jìn)行QVNS chip的測(cè)試.

圖2 測(cè)試芯片中不同尺寸結(jié)陣的直流I-V特性曲線(xiàn)Fig.2.DC I-V curves of junction arrays in different sizes in test chip.

表1 測(cè)試芯片和量子電壓噪聲源芯片中不同尺寸結(jié)陣特性Table 1.Properties of Josephson junction arrays in different sizes in test chip and QVNS chip.

3.2 量子電壓噪聲源芯片(QVNS chip)

以上test chip中8μm×8μm和9μm×9μm結(jié)陣的Ic值能夠預(yù)估出QVNS chip中6μm×12μm結(jié)陣的相應(yīng)值進(jìn)入Ic目標(biāo)值區(qū)域(5—8 mA),可進(jìn)一步進(jìn)行QVNS chip的測(cè)試.采用如圖3所示的方式對(duì)芯片進(jìn)行連接,量子電壓噪聲源芯片置于紫銅背板上,芯片通過(guò)超聲壓焊與印刷電路板(PCB)板相連接,PCB板置于屏蔽套筒內(nèi)并通過(guò)微波傳輸線(xiàn)(數(shù)字脈沖信號(hào)輸入)及銅鎳合金線(xiàn)(合成信號(hào)輸出)連接至探測(cè)桿上端接線(xiàn)盒,測(cè)試時(shí)探測(cè)桿下端桿體浸于液氦杜瓦內(nèi),上端接線(xiàn)盒與測(cè)試系統(tǒng)連接.對(duì)量子電壓噪聲源芯片的測(cè)試分為兩步,首先對(duì)結(jié)陣的交流、直流I-V特性進(jìn)行測(cè)試;若結(jié)陣交流、直流I-V特性滿(mǎn)足要求,則用量子電壓噪聲源芯片合成具有量子精度的單頻交流信號(hào)來(lái)對(duì)其信號(hào)合成能力進(jìn)行驗(yàn)證.

圖3 量子電壓噪聲源芯片的封裝Fig.3.Package of the quantum voltage noise source chip.

圖4為4.2 K溫度下量子電壓噪聲源芯片中某支路約瑟夫森結(jié)陣的直流及交流I-V特性曲線(xiàn).圖中藍(lán)色曲線(xiàn)為直流I-V曲線(xiàn),紅色為微波輻照下交流I-V曲線(xiàn).在兩路結(jié)陣中施加電流,取圖1所示的任一信道端口與地之間的回路(即兩結(jié)陣之一)測(cè)量電壓,即可得到此路包含有四個(gè)約瑟夫森結(jié)的結(jié)陣I-V特性.從直流I-V曲線(xiàn)可以看出,QVNS chip中6μm×12μm結(jié)陣的Ic為6.1 mA,符合此前預(yù)期.根據(jù)公式V=n·f/KJ,其中n為約瑟夫森結(jié)的個(gè)數(shù),本文n=4;KJ為約瑟夫森常數(shù),KJ=483597.9 GHz/V[19];V為臺(tái)階電壓值;f為頻率.在頻率5 GHz微波輻照下,4個(gè)約瑟夫森結(jié)應(yīng)產(chǎn)生幅值為41.36μV的1級(jí)電壓臺(tái)階,本測(cè)試中單次掃描I-V曲線(xiàn)測(cè)量?1級(jí)和+1級(jí)臺(tái)階再平均后得到的1級(jí)臺(tái)階幅值為41.44μV,與理論值誤差約為1.9‰,多次測(cè)試平均后可獲得更低的誤差.此結(jié)果表明量子電壓噪聲源芯片上的約瑟夫森結(jié)陣性能良好,可以進(jìn)一步對(duì)其進(jìn)行合成交流量子電壓的測(cè)試.

隨后,在量子噪聲溫度計(jì)測(cè)試系統(tǒng)[20,21]上對(duì)量子電壓噪聲源芯片進(jìn)行了脈沖驅(qū)動(dòng)性能的測(cè)試.實(shí)際工作的量子電壓噪聲源芯片應(yīng)該輸出幅值隨機(jī)(高斯統(tǒng)計(jì)分布)、相位隨機(jī)的贗噪聲信號(hào),但本文使其合成具有量子精度的單頻交流信號(hào),以便在頻域分析其合成的信號(hào)來(lái)考察量子電壓噪聲源芯片是否正確地工作在脈沖驅(qū)動(dòng)模式下.量子電壓噪聲源芯片如果能夠合成單頻交流信號(hào),也將能夠合成幅值隨機(jī)(高斯統(tǒng)計(jì)分布)、相位隨機(jī)的贗噪聲信號(hào)用于精密測(cè)量玻爾茲曼常數(shù).圖5為對(duì)量子電壓噪聲源施加脈沖信號(hào)之后所產(chǎn)生的頻率為100 kHz、幅度為0.5μV的單頻正弦信號(hào)的頻譜.脈沖驅(qū)動(dòng)信號(hào)在數(shù)字編碼前是理論上完美的正弦信號(hào),頻譜上應(yīng)該是在100 kHz處一個(gè)單峰,無(wú)其他頻率的諧波.數(shù)字脈沖信號(hào)經(jīng)過(guò)信號(hào)發(fā)生器發(fā)出后不可避免地會(huì)引入幅度噪聲和相位噪聲.通過(guò)約瑟夫森結(jié)陣的完美濾波,應(yīng)該輸出具有量子精度的100 kHz交流量子電壓信號(hào).而輸出信號(hào)的幅度完全由量子脈沖的編碼密度、取樣頻率和結(jié)的個(gè)數(shù)確定,幅度對(duì)時(shí)間的積分可精確到n·h/2e,其中n是約瑟夫森結(jié)個(gè)數(shù),h為普朗克常數(shù),e為電子電荷,h/2e=2.067834 mV·ps,即量子磁通.因此合成的信號(hào)是具有量子精度的.由圖5可見(jiàn)測(cè)試獲得的合成信號(hào)頻譜非常純凈,無(wú)諧波和干擾信號(hào),這表明本文所研制的量子電壓噪聲源芯片的動(dòng)態(tài)響應(yīng)良好,能成功合成單一頻率的交流量子電壓信號(hào),可為后續(xù)量子噪聲法精密測(cè)量玻爾茲曼常數(shù)提供核心器件支撐.

圖4 4.2 K下量子電壓噪聲源某支路的直流及交流I-V特性曲線(xiàn)Fig.4.DC and AC I-V curves of one array in quantum voltage noise source at 4.2 K.

圖5 脈沖下量子電壓噪聲源生成信號(hào)頻譜Fig.5.Signal spectrum generated by the pulse driven quantum voltage noise source.

4 結(jié) 論

研制了基于Nb/NbxSi1?x/Nb超導(dǎo)約瑟夫森結(jié)陣的量子電壓噪聲源芯片.芯片中的約瑟夫森結(jié)陣交直流I-V特性良好,采用脈沖驅(qū)動(dòng)模式合成了具有量子精度的100 kHz單頻交流量子電壓信號(hào).實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明本文所研制的量子電壓噪聲源芯片可使用脈沖驅(qū)動(dòng)合成任意波形,可為后續(xù)玻爾茲曼常數(shù)精密定值及復(fù)現(xiàn)熱力學(xué)溫度提供基礎(chǔ).未來(lái)將進(jìn)一步改進(jìn)芯片的設(shè)計(jì)和封裝,以及優(yōu)化測(cè)試探桿,提高量子電壓噪聲源的使用靈活性和長(zhǎng)期穩(wěn)定性.

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