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        純硬件開(kāi)環(huán)電壓型無(wú)死區(qū)半橋逆變器研究

        2018-04-11 02:48:13湯定德
        自動(dòng)化儀表 2018年2期
        關(guān)鍵詞:續(xù)流開(kāi)環(huán)極性

        湯定德

        (江西科技學(xué)院機(jī)械工程學(xué)院,江西 南昌 330098)

        0 引言

        隨著生活水平的提高、環(huán)境的變化和網(wǎng)絡(luò)的普及,人們的生活和工作觀念也在不斷地發(fā)生變化,對(duì)自然環(huán)境的要求也越來(lái)越高。新能源發(fā)電具有節(jié)能、環(huán)保的優(yōu)點(diǎn)。由于目前大部分用電設(shè)備仍采用交流供電,故新能源發(fā)電往往需使用逆變器。

        逆變器是將直流電轉(zhuǎn)換成交流電的裝置。目前使用的逆變器以電壓型居多。從經(jīng)濟(jì)性和便于維護(hù)的角度考慮,家用逆變器宜采用半橋逆變。但無(wú)論是半橋逆變器還是全橋逆變器,往往都會(huì)為了避免同一橋臂直通而設(shè)置死區(qū)時(shí)間。其死區(qū)時(shí)間應(yīng)大于等于開(kāi)關(guān)管的開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)間的最大值,以防止因上下橋臂直通而產(chǎn)生短路[1]。然而,設(shè)置死區(qū)時(shí)間會(huì)造成輸出電流波形畸變、低次諧波增加和基波電壓損失,且隨著輸出頻率的提高,死區(qū)時(shí)間對(duì)波形的影響越來(lái)越嚴(yán)重[2]。此外,三電平逆變器相對(duì)于兩電平逆變器,其開(kāi)關(guān)管的電壓應(yīng)力減少了50%,同時(shí)輸出的濾波電感和電容值也相應(yīng)減少[3-4]。為此,本文設(shè)計(jì)了一種純硬件開(kāi)環(huán)電壓型無(wú)死區(qū)半橋三電平逆變器。

        1 純硬件無(wú)死區(qū)半橋逆變系統(tǒng)

        開(kāi)環(huán)電壓型無(wú)死區(qū)半橋逆變器系統(tǒng)原理圖如圖1所示。

        圖1 系統(tǒng)原理圖

        開(kāi)關(guān)管VT1與VT2采用絕緣柵雙極型晶體管(insulated gate bipolar transistor,IGBT),位于同一橋臂。驅(qū)動(dòng)信號(hào)采用單極性正弦脈寬調(diào)制 (sinusoidal pulse width modulation,SPWM)波,且VT1與VT2的驅(qū)動(dòng)信號(hào)極性相反,這樣能保證在基波的任一半周內(nèi)始終只有一個(gè)開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通,有效避免了同一橋臂上下直通。直通只會(huì)出現(xiàn)在基波電壓過(guò)零點(diǎn),但由于IGBT允許一定的短路時(shí)間,故逆變器因此而損壞開(kāi)關(guān)管IGBT純屬小概率事件。

        隨著新技術(shù)的發(fā)展,出現(xiàn)了越來(lái)越多符合電壓滯后電流特性的容性負(fù)載,且由于容性電流和感性電流相位相反且相互抵消[5],故總體負(fù)載多為純阻性或呈現(xiàn)弱感性。因此,該電壓型半橋逆變器能很好地滿足諸如“鄉(xiāng)居”小戶型用電的要求。

        1.1 IGBT通斷分析

        在逆變系統(tǒng)中,開(kāi)關(guān)管(以SKM75GB124D型IGBT為例)對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓有特殊的要求[6-7]。

        ①在導(dǎo)通之后,IGBT柵極的驅(qū)動(dòng)電壓和電流都應(yīng)有足夠的幅度。該幅度須能使IGBT的功率輸出級(jí)始終處于飽和狀態(tài),且在IGBT突然過(guò)載時(shí),能保證IGBT不會(huì)因此而被損壞。

        ②驅(qū)動(dòng)電路提供給IGBT柵極的正向驅(qū)動(dòng)電壓值并非越高越好。因?yàn)樨?fù)載短路過(guò)程中,IGBT的集電極電流將隨著驅(qū)動(dòng)電壓值同向變化,且必須使IGBT所承受的短路電流脈寬變窄,否則20 V的浪涌電壓會(huì)損壞IGBT。因此,在實(shí)際應(yīng)用中,IGBT的柵-射極間驅(qū)動(dòng)電壓要取合適的值。試驗(yàn)證明,IGBT的驅(qū)動(dòng)電壓以10~15 V為最佳。

        ③在IGBT的關(guān)斷過(guò)程中,應(yīng)對(duì)柵-射極間施加一定的反向偏壓,使IGBT快速關(guān)斷,但反向偏壓過(guò)大易造成柵-射極被反向擊穿。故反向偏壓也應(yīng)取適當(dāng)值,一般取為-10~-2 V。

        根據(jù)IGBT(SKM75GB124D)相關(guān)資料,本文將電壓控型器件IGBT的驅(qū)動(dòng)和關(guān)斷電壓分別取+10 V和-10 V。

        1.2 驅(qū)動(dòng)信號(hào)

        在不設(shè)置死區(qū)時(shí)間的情況下,為避免半橋逆變時(shí)同一橋臂上下直通,驅(qū)動(dòng)信號(hào)必須為單極性SPWM波,如圖2所示。

        圖2 單極性SPWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)波形

        在圖2中,單極性SPWM波的脈寬按虛線所示的低頻正弦調(diào)制波(基波)電壓大小進(jìn)行變化,且在圖1中的VT1導(dǎo)通過(guò)程中,VT2因承受幅值為10 V的反向偏壓而可靠截止;反之亦然。在調(diào)制信號(hào)和高頻載波信號(hào)同時(shí)過(guò)零點(diǎn)的特殊時(shí)刻,即驅(qū)動(dòng)信號(hào)由+10 V跳變至-10 V(或反之)的瞬間,可能會(huì)因IGBT關(guān)斷延時(shí)而出現(xiàn)同一橋臂直通現(xiàn)象,但這是小概率事件。另外,即使在最壞的情況下,IGBT也能承受10 μs的短路熱應(yīng)力[8],這也是無(wú)需設(shè)置死區(qū)時(shí)間的另一個(gè)原因。

        1.3 驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生電路

        要得到如圖2所示的SPWM驅(qū)動(dòng)信號(hào),可先采用傳統(tǒng)方法得到雙極性SPWM波,即由高頻三角波和工頻正弦波進(jìn)行調(diào)制,經(jīng)比較器產(chǎn)生雙極性SPWM波;再由工頻正弦波經(jīng)過(guò)零比較器所得到的方波電壓控制電壓繼電器,同時(shí)利用兩個(gè)二極管的單向?qū)щ娦砸詫?shí)現(xiàn)單極性SPWM信號(hào)輸出。若此電路中使用的直流電源電壓為±10 V且輸出功率適當(dāng),則該SPWM信號(hào)即可作為如圖2所示的驅(qū)動(dòng)信號(hào),而不必另設(shè)開(kāi)關(guān)管驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路。

        設(shè)工頻正弦波峰值為Um、頻率為fm,高頻三角波峰值為Uc、頻率為fc,則調(diào)制比ka(本文設(shè)為0.95)和載波比kf(本文設(shè)為200)可按式(1)和式(2)計(jì)算。

        (1)

        (2)

        當(dāng)0≤ka≤1時(shí),基波幅值隨著調(diào)制比的增大而線性增加。但當(dāng)調(diào)制比大于3.24時(shí),基波幅值卻趨于某飽和狀態(tài),故此時(shí)的基波電壓表現(xiàn)為(近似)方波形式。對(duì)于中、小功率無(wú)死區(qū)逆變器,因開(kāi)關(guān)器件的性能較好且開(kāi)關(guān)損耗響應(yīng)較小,載波比可大于21,從而使濾波變得更加容易[9]。

        1.4 逆變輸出原理

        由圖1和圖2可知,對(duì)于純阻性負(fù)載,在調(diào)制信號(hào)的正半周,VT2始終截止而VT1在正脈沖信號(hào)驅(qū)動(dòng)下可靠導(dǎo)通,得到形似驅(qū)動(dòng)信號(hào)且幅值為0.5Ud的SPWM電壓。若Z0為阻感型負(fù)載,則從調(diào)制信號(hào)的負(fù)半周起,電流經(jīng)VT2的續(xù)流二極管向C2正向充電,直到續(xù)流結(jié)束,且UAB=-0.5Ud。續(xù)流結(jié)束后,電流方向開(kāi)始發(fā)生改變(電壓仍為負(fù)值),且VT2開(kāi)始脈動(dòng)通斷直至負(fù)半周結(jié)束,后續(xù)周而復(fù)始。逆變器輸出電壓波形如圖3所示。

        圖3 逆變器輸出電壓波形

        由圖3可知,在續(xù)流過(guò)程中,電流方向不變,但圖1中A、B間的電壓方向發(fā)生了變化且持續(xù)到續(xù)流結(jié)束,負(fù)載電壓波形也出現(xiàn)了畸變(交越失真)。隨著負(fù)載感性的增強(qiáng),波形畸變也越發(fā)嚴(yán)重。

        2 逆變系統(tǒng)仿真

        2.1 仿真模型的搭建

        利用MATLAB軟件搭建系統(tǒng)仿真模型時(shí),關(guān)鍵在于單極性SPWM信號(hào)發(fā)生電路。首先,由三角波發(fā)生模塊(設(shè)置成10 kHz輸出)、正弦波發(fā)生模塊(設(shè)置成50 Hz輸出)及加減運(yùn)算模塊構(gòu)建雙極性SPWM波發(fā)生電路[10];然后,根據(jù)調(diào)制信號(hào)(50 Hz的正弦波)的極性變化情況,將雙極性SPWM波“制作”成單極性SPWM波。

        搭建驅(qū)動(dòng)信號(hào)發(fā)生電路后,將直流電源、開(kāi)關(guān)管、續(xù)流二極管、電感與電容(構(gòu)成輸出交流濾波器)、負(fù)載及電壓/電流測(cè)試模塊按要求連線,即可構(gòu)成純硬件單相半橋開(kāi)環(huán)電壓型逆變器電路模型。

        2.2 仿真結(jié)果

        對(duì)搭建好的純硬件單相開(kāi)環(huán)電壓型逆變器電路模型進(jìn)行在線仿真。在純阻性負(fù)載情況下,逆變器輸出電壓仿真波形如圖4所示。

        圖4 逆變器輸出電壓仿真波形

        由圖4可知,在純阻性負(fù)載下,系統(tǒng)輸出波形為無(wú)失真的正弦波。

        3 結(jié)束語(yǔ)

        對(duì)于非重載用戶,為降低成本和便于后續(xù)維護(hù),利用新能源發(fā)電時(shí),宜采用半橋開(kāi)環(huán)逆變器。為避免因干擾而導(dǎo)致的開(kāi)關(guān)器件誤損壞、因設(shè)置死區(qū)時(shí)間而導(dǎo)致的基波電壓損失以及開(kāi)環(huán)輸出電壓波形畸變等,在純電阻(弱感性)負(fù)載情況下,采用單極性SPWM驅(qū)動(dòng),輸出電壓波形較好。但在阻感型(或較強(qiáng)感性)負(fù)載情況下,輸出電壓仍出現(xiàn)波形畸變。這也是后續(xù)研究的重點(diǎn)。

        參考文獻(xiàn):

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