陳賢 包晨偉 仲慶 朱浩淳 朱天溯
[摘要]首先嘗試用B位取代Ti4+位,研究其對(duì)Li2ZnTi308陶瓷結(jié)構(gòu)與微波介電性能的影響,并探索了Li2ZnTi308陶瓷的改性機(jī)理。本章研究了x(x=0.02~0.20)對(duì)Li2Zn(Til-xSnx)308(M=Nb)陶瓷燒結(jié)性能、物相組成、顯微組織及微波介電性能的影響,從而確定最理想的x值和燒結(jié)溫度。
[關(guān)鍵詞]Li2ZnTi308陶瓷 微波介電性能 離子取代
微波介質(zhì)陶瓷元器件自二十世紀(jì)八十年代進(jìn)入規(guī)模應(yīng)用,到現(xiàn)在研究成為了現(xiàn)在微波通信產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)性元件。隨著微波通信行業(yè)的不斷發(fā)展,在無(wú)線通信高頻化的背景下,具有良好高頻傳輸特性的微波介質(zhì)陶瓷元器件就有了更大的發(fā)展空間。具有在產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)發(fā)布的《2015-2022年中國(guó)微波介質(zhì)陶瓷行業(yè)研究與投資前景分析報(bào)告》中顯示,近幾年來(lái),WLAN產(chǎn)品、藍(lán)牙產(chǎn)品、衛(wèi)星電視接收設(shè)備等下游市場(chǎng)領(lǐng)域快速增長(zhǎng),大大提升了微波介質(zhì)陶瓷元器件的市場(chǎng)需求。
隨著現(xiàn)代通信技術(shù)的迅速發(fā)展,通信設(shè)備使用要求的特殊性使得國(guó)民對(duì)于通訊系統(tǒng)裝備的分量和尺寸要求越來(lái)越高,尤其對(duì)于通訊系統(tǒng)中濾波器的小型化、輕便化、低功耗化等方面的要求。然而,當(dāng)前的濾波器存在著各自的缺點(diǎn),比如用微帶結(jié)構(gòu)和金屬諧振器構(gòu)成的濾波器,實(shí)現(xiàn)小型化難度太大:聲表面濾波器功率容量較小并且插入損耗過大,限制了其應(yīng)用范圍。如何解決這些問題呢?高性能的微波介質(zhì)諧振器就出現(xiàn)了。微波介質(zhì)陶瓷制作的微波元器件,具有微型化、低消耗、介電常數(shù)高、頻率溫度系數(shù)小、成本低等長(zhǎng)處,常見的有諧振器、濾波器、介質(zhì)天線等。其中微波濾波器更是被廣泛的應(yīng)用在微波通訊、雷達(dá)導(dǎo)航、電子對(duì)抗、衛(wèi)星接力、導(dǎo)彈制導(dǎo)等系統(tǒng)中,是微波和毫米波系統(tǒng)中不可或缺的器件,其性能的好壞往往直接影響了整個(gè)通信系統(tǒng)的功能。
為了探究如果提高微波介質(zhì)陶瓷的介電常數(shù)和穩(wěn)定性,降低損耗,本文以Li2ZnTi308陶瓷為實(shí)驗(yàn)對(duì)象。通過離子改性研究B位離子置換對(duì)Li2ZnTi308陶瓷相組成、顯微組織和微波介電性能的影響規(guī)律,為探索與開發(fā)尖晶石陶瓷新體系提供了新思路。
一、實(shí)驗(yàn)方法
試樣制備以分析純的Li2CO3、ZnO、TiO2、SnO2、Nb2O5粉末作為原始粉料,按照,Li2Zn(Til-xMx)308(M bib,x=0.02~0.20)化學(xué)計(jì)量比進(jìn)行配料,球磨混料、分別經(jīng)900℃預(yù)燒4小時(shí)后,二次球磨、干燥、造粒、壓制成型,將壓制好的生坯在1025~1100℃范圍內(nèi)燒結(jié)成陶瓷,保溫時(shí)間均為4小時(shí),升溫速率為3℃/min。
二、物相分析
圖1為經(jīng)1075 0C燒結(jié)4小時(shí)所得Li2Zn(Til xNbx)308陶瓷的XRD圖譜。當(dāng)x≤0.1時(shí),Li2Zn(Til xNbx)308陶瓷均顯示出單相尖晶石結(jié)構(gòu),所有的衍射峰均與Li2ZnTi308相一致,說明當(dāng)x≤0.1時(shí)Nb5+能夠取代Ti4+進(jìn)入Li2ZnTi308晶格中形成固溶體。當(dāng)x=0.2時(shí),出現(xiàn)了第二相LiZnNb04,說明Nb5+在Li2ZnTi308晶格中固溶度有限。
三、微波介電性能
圖2為經(jīng)1075℃燒結(jié)4小時(shí)所得Li2Zn(Til xNbx)308陶瓷的相對(duì)密度、介電常數(shù)和分子介店極化率之間的關(guān)系。從圖中可以明顯看出,Li2Zn(Til xNbx)308陶瓷的相對(duì)密度變化不大,均在98%以上;當(dāng)x≤0.1時(shí),Li2Zn(Til xNbx)308陶瓷的介電常數(shù)與其分子極化率的變化趨勢(shì)一致,這說明其介電常數(shù)主要受其分子極化率的影響。當(dāng)x>0.1時(shí),Li2Zn(Til xNbx)308陶瓷的介電常數(shù)明顯減小,這是第二相LiZnNb04的析出導(dǎo)致的。
圖3為經(jīng)1075℃燒結(jié)4小時(shí)所得Li2Zn(Til xNbx)308陶瓷的Q×f值,原子堆積密度和τf值。從圖中可以看出隨著x的增大,陶瓷的Q×f值先略有增大后迅速減小,在x=0.10時(shí)達(dá)到最大值(92324GHz)。Li2Zn(Til xNbx)308陶瓷的τf值隨著x增加而呈現(xiàn)線性減小的趨勢(shì),這是由于Nb-0鍵長(zhǎng)大于Ti-0鍵長(zhǎng)以及第二相LiZnNb04較低的τf值導(dǎo)致的。當(dāng)x=0.10時(shí),Li2Zn(Til xNbx)308陶瓷經(jīng)1075℃燒結(jié)后具有較好的微波介電性能:εr=30.8,Q×f=92324GHz,τf=16.4ppm/℃。