■ 虞昶 宿為
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關鍵字:電容塔底架;操作沖擊;升降法試驗
電容塔是直流輸電系統(tǒng)及大容量實驗站中重要的電氣設備之一。合成試驗用調(diào)頻電容塔,用于開關類產(chǎn)品進行大容量開斷合成試驗中產(chǎn)生振蕩電壓波形的調(diào)頻電容。本文基于對合成試驗用調(diào)頻電容塔底架的操作沖擊試驗結果,對電容塔結構的電氣性能進行分析,并結合試驗中遇到的問題對電容塔底架的結構提出改進建議,為電容塔安全性能及電網(wǎng)穩(wěn)定運行提供堅實的試驗基礎,同時為產(chǎn)品同行廠家提供一些建議。
沖擊耐壓試驗用來檢驗各種高壓電氣設備在雷電過電壓、操作過電壓等沖擊電壓作用下的絕緣性能和保護性能,試驗電壓高于設備絕緣正常運行時的耐受電壓。操作沖擊試驗是其中一項,它是通過人工模擬電力系統(tǒng)操作沖擊過電壓波形,對絕緣耐受操作沖擊電壓能力進行嚴格的考核。
標準操作沖擊是到峰值時間Tp為250μs,半峰值時間T2為2500μs的沖擊電壓。對于標準和特殊操作沖擊,峰值、半峰值和波前時間的相對允許偏差分別為:±3%,±20%,±60%。
調(diào)頻電容塔內(nèi)含脈沖電容器,調(diào)頻電容塔架。塔架包含底架,隔離開關,絕緣子,均壓環(huán),屏蔽罩及相關的連接線等。試驗要求電容塔底架上端對地絕緣耐受1050kV操作沖擊。試驗采用3000kV/610kJ的沖擊電壓測量系統(tǒng),試驗回路原理如圖1所示。第一次試驗結果:負極性電壓1050kV15次通過,正極性電壓1000kV下?lián)舸?次,未通過。
圖1 試驗回路原理圖
圖2 試驗擊穿波形圖
圖3 首次試驗擊穿現(xiàn)場圖
圖1 為試驗回路原理圖,圖2為試驗擊穿波形圖,圖3為樣品擊穿現(xiàn)場圖。
由于在第一次試驗中電容塔底架未通過1050kV操作沖擊試驗,故采用升降法來估算電容塔底架的最大耐受操作沖擊電壓。
升降法試驗中,電壓等級Ui(i=1,2……h(huán))施加m組,每組n次基本不變的電壓,每組加壓的電壓水平根據(jù)前一組試驗結果來確定增加或減少一個小量ΔU。
現(xiàn)采用為找出相應于低破壞放電概率的電壓水平的耐受程序。在該耐受程序中,如果一組n次加壓中沒有破壞性放電發(fā)生,則電壓水平增加ΔU,否則減少同樣的ΔU。
當n=1時,以上程序相應于50%破壞性放電電壓升降法。
破壞性放電概率為p的電壓Up的估算值Up*由下列近似公式給出:
其中ki為電壓Ui下施加的組數(shù)(每組施加n次電壓);m為總的有效組數(shù)。
耐受程序提供了破壞性放電概率為p時的Up的估算值p由下式給出:
取n=1,m=20,ΔU=40對電容器底架進行升降法試驗。試驗數(shù)據(jù)如下:
表1 升降法試驗數(shù)據(jù)
根據(jù)表1數(shù)據(jù),公式(1)和公式(2)可得破壞性放電概率為p為0.5,電容塔底架最大耐受操作沖擊的估算結果為1009kV。
從圖3首次試驗擊穿現(xiàn)場圖可以看出擊穿點為斜撐中間部位對斜撐底座放電。電容塔底架左右兩側均用凸出的梯形座來支撐。斜撐桿是由兩根絕緣子連接而成,連接處金屬部件未倒角,并斜向下。故得出猜想:電容塔底座未達到設計耐受電壓,是由于斜撐的梯形座減小了空氣間隙,再加上未進行倒角易形成絕緣薄弱點。
將電容塔底架兩側斜撐全部拆除,再次進行操作沖擊試驗。試驗結果:正極性1050kV 15次通過,未出現(xiàn)破壞性放電。
經(jīng)過第二次的改進后驗證試驗,分析得出電容塔底架結構對樣品絕緣性能的影響關系,并對電容塔架的設計結構提出如下建議:
1)斜撐中間連接處金屬部件進行倒角,加裝均壓環(huán),目的是減少放電薄弱點;
2)凸起斜撐梯形底座可改成埋入式,目的是保障足夠的空氣間隙,提升絕緣性能。
電容塔底架在原有結構下并不能達到目標設計值,經(jīng)過升降法試驗估算出了其最大耐受電壓,并通過觀察底座的機械結構,改進其絕緣薄弱點,進行了二次驗證試驗,樣品絕緣性能達到了設計電壓值。文章提出了結構方面改進的建議。此次比對試驗,不僅為電容塔安全性能及電網(wǎng)穩(wěn)定運行提供堅實的試驗基礎,同時為產(chǎn)品同行廠家提供了一些樣品本體結構改進建議。