郭 彥,龐振江,王于波,郭海平,王 崢,王海寶

(1.北京智芯微電子科技有限公司,國(guó)家電網(wǎng)公司重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室電力芯片設(shè)計(jì)分析實(shí)驗(yàn)室,北京 100192;2.北京智芯微電子科技有限公司,北京市電力高可靠性集成電路設(shè)計(jì)工程技術(shù)研究中心,北京 100192;3.江蘇多維科技有限公司,江蘇 張家港 215634)

固態(tài)磁敏元件正越來(lái)越多地應(yīng)用于電流傳感器中,其中又以霍爾元件的應(yīng)用最為廣泛。閉環(huán)霍爾電流傳感器具有制造簡(jiǎn)單、可靠性高、精度高、動(dòng)態(tài)特性好的優(yōu)點(diǎn)[1-2]。但是隨著測(cè)量環(huán)境的日益復(fù)雜,電能測(cè)量設(shè)備要求更高的精度及工作溫度范圍,此時(shí)若仍然使用霍爾器件,則需要復(fù)雜的電路補(bǔ)償[3],在某些場(chǎng)合下,甚至?xí)?。除了霍爾器件以?固態(tài)磁敏元件還包括:各向異性磁電阻(AMR)器件,巨磁電阻(GMR)器件,和隧道磁電阻(TMR)器件[4]。由于GMR器件的應(yīng)用較早,科技人員已經(jīng)開(kāi)始了利用GMR器件構(gòu)建電流傳感器的研究[5],其中Fei xie等利用GMR傳感器,將閉環(huán)傳感器的電流精度做到了0.6%[6]。而TMR效應(yīng)雖然早在1975年就已經(jīng)得到證實(shí),但近年來(lái)才得到廣泛關(guān)注。表1是各種磁敏元件的對(duì)比[7-8],從表中可看出,TMR效應(yīng)的傳感器在靈敏度和工作溫度范圍方面,具有較大的優(yōu)勢(shì),若用TMR傳感器作為電流傳感器模塊中的磁敏元件,必將提高電流傳感器模塊的性能。

表1 磁敏元件性能對(duì)比

John S等[9]通過(guò)實(shí)驗(yàn),證實(shí)了用TMR作為電流傳感器模塊中的磁敏元件,得到的輸出信號(hào)比Hall元件大一個(gè)數(shù)量級(jí)。2013年,上海工程技術(shù)大學(xué)的李東昇等展開(kāi)了相關(guān)研究,提出了TMR元件對(duì)大電流測(cè)量的可行性[10]。

目前還沒(méi)有TMR器件在閉環(huán)電流傳感器中應(yīng)用的報(bào)道,其原因?yàn)?根據(jù)Julliere模型[11],TMR效應(yīng)的有效方向是TMR器件的表面方向,即TMR傳感器只能檢測(cè)平行于其表面的磁場(chǎng)。在閉環(huán)電流傳感器模塊中,磁敏元件位于鐵芯的氣隙中,而氣隙越大,電流傳感器性能越差。因此磁敏傳感器應(yīng)盡量薄,且靈敏方向應(yīng)垂直于磁敏元件的表面,這樣才能減小氣隙的長(zhǎng)度。因此限制了TMR器件在閉環(huán)電流傳感器中的應(yīng)用。

為了將TMR傳感器的靈敏方向改變至垂直芯片表面方向,有兩種方法:第一,使TMR薄膜具有垂直各向異性,美國(guó)專利US8773821B2提出了使用具有垂直各項(xiàng)異性的Co/Pd作為釘扎層,使TMR的靈敏方形垂直與芯片表面[12]。在2017年,Nakano T等人[13]利用該原理,制備了該薄膜結(jié)構(gòu),當(dāng)磁場(chǎng)為6 kGs時(shí),電阻變化為30%,若作為傳感器,其靈敏度為0.2 mV/V/Oe,低于霍爾元件。另一種方法是改變磁路結(jié)構(gòu),文獻(xiàn)[14]闡述了利用聚磁結(jié)構(gòu),可以改變磁場(chǎng)方向的,進(jìn)而改變傳感器的靈敏方向。江蘇多維科技有限公司的James Deak也提出了一種聚磁結(jié)構(gòu),可以改變外磁場(chǎng)方向,使磁場(chǎng)方向扭轉(zhuǎn)至TMR傳感器的靈敏方向,并申請(qǐng)了發(fā)明專利[15]。

1 Z軸TMR傳感器原理

本文詳細(xì)描述了靈敏方向垂直于芯片表面的TMR傳感器(Z軸TMR傳感器)的設(shè)計(jì)方法,其中的參數(shù)主要包括:聚磁結(jié)構(gòu)的厚度、寬度、間距、與磁敏單元的相對(duì)位置。

通過(guò)在MTJ(磁隧道結(jié),TMR傳感器的最小單元)上方沉積一層高磁導(dǎo)率的聚磁結(jié)構(gòu),可以扭轉(zhuǎn)外加磁場(chǎng)的方向,其立體結(jié)構(gòu)如圖1所示。

圖1 聚磁結(jié)構(gòu)立體示意圖

圖2是聚磁結(jié)構(gòu)和MTJ的仿真?zhèn)纫晥D,圖2中的曲線是磁場(chǎng)流線,代表磁場(chǎng)的方向。聚磁結(jié)構(gòu)位于MTJ的上方,為了方便描述,引入了兩個(gè)磁隧道結(jié)MTJ1和MTJ2。當(dāng)有垂直方向的外場(chǎng)時(shí)(如圖2中的“外加磁場(chǎng)”),由于聚磁結(jié)構(gòu)的存在,在聚磁結(jié)構(gòu)的邊緣,磁場(chǎng)方向會(huì)發(fā)生改變。若將MTJ放置在聚磁結(jié)構(gòu)下方的邊緣附近,則在MTJ表面,會(huì)存在平行于MTJ表面方向的磁場(chǎng)分量。

圖2 聚磁結(jié)構(gòu)改變磁場(chǎng)方向

圖3 推挽全橋電路

圖2中,由于MTJ1和MTJ2分別位于聚磁結(jié)構(gòu)的兩側(cè)。在這兩個(gè)磁隧道結(jié)位置處,磁場(chǎng)分量大小相等,方向相反。

若將兩個(gè)MTJ1和兩個(gè)MTJ2構(gòu)成如圖3所示的橋式電路,則會(huì)構(gòu)成推挽全橋結(jié)構(gòu)。根據(jù)TMR原理,自由層磁矩與被釘扎層磁矩夾角為0度時(shí),MTJ電阻最小;自由層磁矩與被釘扎層磁矩夾角為180°時(shí),MTJ電阻最大;且隨著夾角的變化,電阻呈單調(diào)變化。對(duì)于圖3中MTJ1,由于磁場(chǎng)方向反平行于其靈敏方向,因此,當(dāng)磁場(chǎng)增加時(shí),在MTJ自身偏置作用下,其自由層和釘扎層越趨近于反平行,電阻值越大。反之,MTJ2的電阻隨著外場(chǎng)的增加而減小。

通過(guò)測(cè)量全橋電路的差分輸出電壓,即可計(jì)算出磁場(chǎng)分量的值。由于磁場(chǎng)分量與外加磁場(chǎng)具有一一對(duì)應(yīng)的關(guān)系。那么,通過(guò)推挽橋式電路,即可計(jì)算出外加磁場(chǎng)的值。

2 聚磁結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

為了提高Z軸傳感器的靈敏度,一方面,需要提高M(jìn)TJ本身的磁場(chǎng)響應(yīng);另一方面,需要對(duì)聚磁結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì),在外加磁場(chǎng)(Z軸磁場(chǎng))一定的情況下,盡可能提高水平方向的磁場(chǎng)分量(平行于MTJ表面方向的磁場(chǎng)分量)。本節(jié)從這兩個(gè)方面,詳細(xì)敘述Z軸傳感器的仿真、設(shè)計(jì)過(guò)程。

2.1 MTJ的磁場(chǎng)響應(yīng)

對(duì)于MTJ來(lái)說(shuō),其靈敏度反映的是自由層內(nèi)的磁矩被外加磁場(chǎng)改變的難易程度,而自由層內(nèi)磁矩的方向?qū)?yīng)的是自由層的最小能量方向。自由層內(nèi)的能量主要包括:退磁場(chǎng)能、外場(chǎng)能、磁晶各向異性能。一旦薄膜工藝確定,外場(chǎng)能和磁晶各向異性能在固定方向的大小即得以確定,而退磁場(chǎng)能得取決于MTJ的長(zhǎng)寬比,即形狀各向異性。對(duì)于CoFeB/MgO/CoFeB/NiFe隧道結(jié),不同長(zhǎng)寬比對(duì)應(yīng)的TMR傳感器的靈敏度如圖4所示。

圖4 TMR傳感器靈敏度隨長(zhǎng)寬比的變化

從圖4可以看出,當(dāng)長(zhǎng)寬比較小時(shí),其靈敏度可以得到15 mV/V/Oe以上。但是此時(shí)磁滯較大,對(duì)有磁滯的應(yīng)用來(lái)說(shuō),需要評(píng)估磁滯的影響。由于理論分析MTJ非常困難,在實(shí)際研制時(shí),會(huì)采用不同的長(zhǎng)寬比,進(jìn)行篩選,最終確定長(zhǎng)寬比。

我國(guó)是農(nóng)業(yè)大國(guó)，秸稈資源十分豐富，開(kāi)發(fā)潛力巨大。國(guó)家大力提倡秸稈直燃發(fā)電技術(shù)，旨在依托我國(guó)火電體系的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，優(yōu)化能源資源配置，構(gòu)建城鄉(xiāng)生態(tài)環(huán)保平臺(tái)，消納農(nóng)業(yè)殘余物，解決秸稈田間直焚造成的環(huán)境污染，增加可再生能源電力生產(chǎn)，探索能源綠色發(fā)展之路。

在磁電阻器件的MEMS工藝中,線寬小于1 μm時(shí),精度較差;而為了減小器件體積、降低成本、降低功耗,應(yīng)盡量減小線寬。根據(jù)目前的工藝水平,我們將線寬設(shè)計(jì)為2 μm,即MTJ的寬度方向尺寸為2 μm。通過(guò)改變MTJ的長(zhǎng)度方向尺寸,來(lái)改變MTJ的長(zhǎng)寬比,調(diào)節(jié)MTJ自身的靈敏度。

2.2 MTJ離聚磁結(jié)構(gòu)的垂直距離

首先要考察MTJ到聚磁結(jié)構(gòu)的垂直距離,聚磁結(jié)構(gòu)和MTJ位置關(guān)系如圖5所示,其中G為所述的垂直距離。二維有限元仿真如圖6所示,其中的顏色越深,表示水平方向的磁場(chǎng)越強(qiáng)。從圖6可以看出,垂直距離G越近,MTJ位置處的水平磁場(chǎng)分量越大。因此,為了提高磁場(chǎng)強(qiáng)度,垂直距離G應(yīng)越小越好。

圖5 聚磁結(jié)構(gòu)和MTJ之間距離示意圖

圖6 NiFe聚磁效果的二維有限元仿真

NiFe通常厚度較大,工藝上多采用電鍍的方法構(gòu)建,方法是在MTJ薄膜的上表面增加絕緣層,然后再電鍍NiFe。為了保證電氣絕緣和工藝可控性,通常垂直距離最小為1 μm。本設(shè)計(jì)中,設(shè)置垂直距離為1 μm,以在保證工藝的前提下,盡可能大地提高靈敏度。

2.3 聚磁結(jié)構(gòu)間距、厚度和寬度

對(duì)于聚磁結(jié)構(gòu)來(lái)說(shuō),聚磁能力表征的是將垂直磁場(chǎng)轉(zhuǎn)變?yōu)樗酱艌?chǎng)的效果,是最為關(guān)鍵的指標(biāo)。在仿真時(shí),在垂直方向施加100 Gs的磁場(chǎng),觀察在聚磁結(jié)構(gòu)下方邊緣的水平磁場(chǎng)分量,來(lái)考察不同結(jié)構(gòu)的聚磁結(jié)構(gòu)的性能。不同的幾何尺寸,會(huì)有不同的等效磁導(dǎo)率,繼而具備不同的聚磁能力。而在本設(shè)計(jì)中,主要考察厚度和寬度這兩個(gè)維度對(duì)聚磁能力的影響。鑒于MTJ的寬度為2 μm,且在相鄰兩個(gè)聚磁結(jié)構(gòu)之間,至少應(yīng)放置兩個(gè)MTJ,并留有絕緣距離,因此設(shè)置相鄰兩個(gè)聚磁結(jié)構(gòu)間距為15 μm。

圖7是聚磁陣列的三維仿真模型,其中棕色為聚磁結(jié)構(gòu),由于在TMR傳感器中,MTJ有很多個(gè),就需要多個(gè)聚磁結(jié)構(gòu)并聯(lián),再將多個(gè)MTJ放置于兩個(gè)聚磁結(jié)構(gòu)之間。因此,需要設(shè)計(jì)聚磁陣列。X和Z方向分別為聚磁結(jié)構(gòu)的厚度和寬度方向,外加磁場(chǎng)方向?yàn)閆軸方向。為了方便比較,在后處理時(shí),選圖7中的計(jì)算平面內(nèi)Y=0的一段直線,來(lái)比較不同的厚度和寬度時(shí),在該直線上的X方向水平磁場(chǎng)分布。圖8～圖10是沿著聚磁結(jié)構(gòu)的寬度方向,即圖7中的X方向,不同寬度和厚度的聚磁結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的水平磁場(chǎng)分量分布,其中外加磁場(chǎng)強(qiáng)度100 Gs,原點(diǎn)是圖7中的坐標(biāo)(0,0,0)。

圖10 聚磁結(jié)構(gòu)寬度20 μm時(shí),水平磁場(chǎng)分布

圖7 聚磁陣列與仿真平面位置關(guān)系

圖8 聚磁結(jié)構(gòu)寬度5 μm時(shí),水平磁場(chǎng)分布

圖9 聚磁結(jié)構(gòu)寬度10 μm時(shí),水平磁場(chǎng)分布

從圖8～圖10可見(jiàn),隨著厚度的增加,聚磁效果也隨著增強(qiáng)。但是當(dāng)厚度超過(guò)10 μm時(shí),厚度的聚磁增強(qiáng)效果很微弱;而聚磁層越厚,對(duì)電鍍的工藝要求越高,聚磁層的寬度精度越差,因此本設(shè)計(jì)中聚磁層厚度設(shè)計(jì)為10 μm。

當(dāng)聚磁層厚度確定后,需要設(shè)計(jì)聚磁層寬度。圖11是聚磁層厚度為10 μm時(shí),不同寬度聚磁層對(duì)應(yīng)的水平磁場(chǎng)分布。從圖11可以看出,隨著寬度的增加,聚磁的效果略有減小,但是幾乎可以忽略。而在工藝上,聚磁層寬度應(yīng)不小于聚磁層厚度;但是寬度越大,器件的尺寸越大,會(huì)增加成本和傳感器的探測(cè)精度。因此寬度設(shè)計(jì)成10 μm比較合適。

圖11 聚磁層厚度10μm,不同聚磁層寬度對(duì)應(yīng)的水平磁場(chǎng)

2.4 MTJ中心到聚磁層邊緣距離

由前文確定的聚磁結(jié)構(gòu)最佳物理尺寸為:間距為15 μm,厚度10 μm,寬度10 μm。下面基于該尺寸,進(jìn)行MTJ中心到聚磁層邊緣距離的設(shè)計(jì)。圖12顯示了圖7中聚磁結(jié)構(gòu)下方,直線Y=0位置處的水平磁場(chǎng)分布,灰色框表示聚磁結(jié)構(gòu)的位置。從圖12可見(jiàn),水平磁場(chǎng)最大的位置位于聚磁結(jié)構(gòu)的外側(cè),距離聚磁結(jié)構(gòu)邊緣0.5 μm左右。

圖12 聚磁結(jié)構(gòu)和磁場(chǎng)分布的空間位置關(guān)系

3 TMR傳感器試制和靈敏度測(cè)試

圖13是按照本文的設(shè)計(jì)方法實(shí)際得到的傳感器特性曲線。從圖13可以看出,在低場(chǎng)下,靈敏度大致為10 mV/Oe,而霍爾器件的靈敏度小于1 mV/Oe,且在100 Gs以內(nèi),傳感器具有良好的線性度。

圖13 Z軸TMR傳感器傳輸特性曲線

圖14列出了本實(shí)驗(yàn)中不同MTJ長(zhǎng)度和MTJ中心到聚磁結(jié)構(gòu)邊緣距離D的組合下,得到的傳感器靈敏度。從圖14可見(jiàn),當(dāng)MTJ中心到聚磁結(jié)構(gòu)邊緣距離為0.5 μm時(shí),傳感器的靈敏度最高,符合仿真結(jié)果。

圖14 不同MTJ長(zhǎng)度和間距D時(shí),傳感器的靈敏度

圖15是制得的TMR傳感器實(shí)物圖,采用了小體積的SSIP封裝,尺寸為2.9 mm×2.9 mm×0.9 mm。

圖15 制得的TMR傳感器

4 閉環(huán)電流檢測(cè)模塊試制和測(cè)試

利用制得的TMR傳感器,搭建的閉環(huán)電流檢測(cè)模塊如圖16所示,其中鐵芯內(nèi)徑15 mm,外徑23 mm,次級(jí)線圈2 000匝,被測(cè)導(dǎo)線穿過(guò)鐵芯內(nèi)孔(圖16中未畫(huà)出),TMR傳感器位于鐵芯的氣隙中,反饋電路為次級(jí)線圈提供反饋電流。被測(cè)導(dǎo)線、次級(jí)線圈、TMR傳感器和反饋電路構(gòu)成閉環(huán)系統(tǒng)。

圖16 TMR閉環(huán)電流檢測(cè)模塊實(shí)物圖

表2是上圖電流檢測(cè)模塊的實(shí)際測(cè)試數(shù)據(jù),模塊的測(cè)量范圍為0～100 A,從表中可見(jiàn),在整個(gè)測(cè)量范圍內(nèi),測(cè)量誤差小于0.3%,且當(dāng)被測(cè)電流大于1 A時(shí),測(cè)量誤差小于0.1%。

表2 TMR閉環(huán)電流檢測(cè)模塊性能

5 結(jié)論

本文闡述了該聚磁結(jié)構(gòu)的詳細(xì)設(shè)計(jì)方法,根據(jù)方法制備出的傳感器靈敏度達(dá)到10 mV/Oe,遠(yuǎn)大于霍爾器件的靈敏度,驗(yàn)證了設(shè)計(jì)方法的正確性,預(yù)示著利用聚磁結(jié)構(gòu),可以使TMR技術(shù)應(yīng)用到電流傳感器模塊中。利用該結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的TMR元件構(gòu)成的閉環(huán)電流傳感器,測(cè)量誤差小于0.3%的。然而,若要在電流測(cè)量領(lǐng)域內(nèi),發(fā)揮TMR傳感器在靈敏度和溫度特性方面的優(yōu)勢(shì),還需要進(jìn)行大量的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證工作。

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