李磊偉,呂 勇,牛春暉
(北京信息科技大學(xué)儀器科學(xué)與光電工程學(xué)院,北京 100192)
光譜選擇性吸收材料是一類對特定激光(主要考慮1.06 μm、1.55 μm 、10.6 μm等)具有強吸收作用,而對其他波段光不產(chǎn)生影響的功能性材料。它被廣泛地應(yīng)用到軍事隱身材料中。由于稀土元素4f層上電子在多種能級間躍遷而產(chǎn)生多種特殊吸收譜,它們的化合物常常被制成光譜選擇性吸收材料[1-3]。南京工業(yè)大學(xué)的韓鵬德[4]等發(fā)現(xiàn)Sm3+離子的6H5/2基態(tài)向6F9/2激發(fā)態(tài)的躍遷使得Sm類化合物在1050~1150 nm波段范圍內(nèi),形成一個較強吸收峰。
三氧化二鉻(Cr2O3)顏料具有著色力強,耐候性好等優(yōu)點,是一種常用的綠色顏料[5]。正因如此,也常常被應(yīng)用到軍事可見光迷彩上面。但是由于Cr2O3自身對近紅外激光有較強的反射作用,不能直接用作軍事上的隱身材料。
本文在前人研究基礎(chǔ)上,利用固相法制備出一種在1.06 μm和1.55 μm處具有強吸收作用,同時外觀呈綠色的光譜選擇性吸收材料??梢院芎玫丶嫒菘梢姾徒t外隱身。
采用固相法制備SmCrO3粉體,按照一定的質(zhì)量比稱取Sm2O3、Cr2O3,將兩者混合物置于尼龍罐中,加入一定量的去離子水,以二氧化鋯球作為研磨介質(zhì),球料比控制為3∶1,以轉(zhuǎn)速為300 r/min在球磨機上研磨2 h,讓原料充分混合。
然后將混合物置于燒杯,放到電熱恒溫鼓風(fēng)干燥箱內(nèi),在120 ℃溫度下干燥15 h。將烘干后的混合粉體置于陶瓷坩堝中,在馬弗爐中分別以1100 ℃、1200 ℃、1300 ℃、1400 ℃溫度進行高溫煅燒,分別標記為1#、2#、3#和4#樣品,四個樣品煅燒時間均為2 h。最后,將燒制好的材料放入研缽進行研磨,裝袋制成待測樣品。
實驗中采用日立DMAX-3A型X-射線衍射儀,CoKα靶(λ=0.1789 nm)進行材料樣品的物相分析,掃描范圍為20°~80°。
圖1是不同煅燒溫度下材料樣品的XRD圖。標號1#、2#、3#、4#和SmCrO3標準PDF卡片(PDF No.39-0262)進行比較,可以看到:1#和2#樣品的XRD特征峰值與SmCrO3特征峰值相差較大,經(jīng)過分析,確定在1#、2#中的雜峰(圖中已標出,約在32°和35°附近)分別對應(yīng)于Sm2O3與Cr2O3,說明在1100 ℃、1200 ℃溫度下,反應(yīng)未完全。而3#樣品與SmCrO3標準PDF卡片特征峰值基本對應(yīng),但是仍然有許多雜峰。而4#樣品的XRD峰值與SmCrO3標準PDF卡片特征峰值非常一致,各個峰值之間的相對強度也基本一致。說明在1400 ℃下,Sm2O3與Cr2O3反應(yīng)完全,生成SmCrO3。此時對應(yīng)化學(xué)反應(yīng)是:
Sm2O3+Cr2O3→SmCrO3
(1)
圖1 不同煅燒溫度下樣品的XRD圖
為了對制備的SmCrO3材料在近紅外激光和可見光隱身效果方面綜合評估,以下將從漫反射光譜、色坐標和激光雷達截面比進行分析。
為粗略探測制備的SmCrO3材料在1.06 μm和1.55 μm近紅外光的吸收效果,對各樣品進行了漫反射光譜測試。采用Acantes公司的AVASPHERE-LS-1509013型積分球(積分球內(nèi)部自帶鹵鎢燈光源)和AvaSpec-ULS2048-USB2型光纖光譜儀對各樣品的漫反射率進行測試。測試裝置結(jié)構(gòu)如圖2所示。
圖2 漫反射測量光譜裝置圖
如圖2所示,將壓實的待測樣品放在標準漫反射板上。實驗中,首先保存暗背景和標準參考背景。計算出來的樣品反射率按照下面方程計算:
(2)
式中,Samplen為放入樣品時光譜強度;Darkn為暗背景光譜強度;Refn為標準漫反射板光譜強度。其中在測試樣品時,漫反射光在積分球內(nèi)多次漫反射,混合均勻后通過頂端的光纖連接頭傳送到光纖光譜儀內(nèi),經(jīng)過計算機處理后得到樣品的漫反射率圖,用1減去漫反射率就得到樣品的吸收率。我們假設(shè)標準漫反射板的反射率為100%,那么所得到漫反射率就可以認為是準確的。
不同煅燒溫度對應(yīng)的材料樣品,漫反射率如圖3所示,圖中1#、2#、3#、4#樣品分別對應(yīng)溫度1100 ℃、1200 ℃、1300 ℃、1400 ℃。從圖中可以看到,在1.06 μm和1.55 μm處,制備的4個樣品均有較強的吸收作用,而且隨著煅燒溫度的增加,漫反射率不斷減弱,即吸收率在增強,說明主要是SmCrO3在起吸收作用。當煅燒溫度為1400 ℃時,材料厚度約為0.2 mm時,1.06 μm和1.55 μm出現(xiàn)較強的吸收峰,其吸收率分別為54%和53%。表明SmCrO3是一種良好的近紅外激光隱身材料。
圖3 不同樣品對應(yīng)漫反射率圖
外觀上,1#~4#樣品均為淺綠色。為準確區(qū)分各樣品顏色,本實驗中采用光譜儀對各個樣品的可見波段漫反射譜進行測量,求出各個樣品的色坐標值。
在XYZ系統(tǒng)中[6-7],色坐標和三刺激值關(guān)系可以表示如下:
(4)
實驗中,同樣按照圖2裝置所示,將壓實的待測樣品放置在標準漫反射板上。打開光源對樣品進行(380~780 nm)漫反射譜測量,將得到的數(shù)據(jù)歸一化后,按照公式(5)計算出4個樣品的色坐標值:
(5)
其中,x′(λ)、y′(λ)和z′(λ)是標準光譜的三刺激值。計算結(jié)果如表1所示。
表1 4個樣品和Cr2O3的色坐標值
從表1中可以看出4個樣品和Cr2O3的色坐標值相差很小,總體變化范圍是(0.3588±0.0007,0.3792±0.0081)。這表明,本次實驗中說明制備的SmCrO3可以代替Cr2O3,作為可見迷彩材料。
激光隱身的評價方法有很多種[8-10],但是大多評價方法依據(jù)激光測距機工作原理制定的,未曾考慮激光制導(dǎo)系統(tǒng)的評價方法。與激光測距機不同:激光制導(dǎo)系統(tǒng)的接收端和發(fā)射端有較大夾角。按照巨養(yǎng)鋒等人[11]的觀點:目標激光雷達截面(LRCS)是從微波引入的綜合描述目標對激光散射能力的物理量,LRCS越小,表明對激光的吸收效果越好。其定義如下式:
(6)
式中,Pi是目標處的入射激光功率密度;Ps是來自目標散射的激光照射到觀測點處的功率密度;R是目標到觀測點的距離。由于實驗室中的功率計探頭面積一定,且在保證探頭全部被照射的前提下,入射激光功率密度和目標散射功率密度比值可以改為兩者功率比值;即:
(7)
式中,PS是目標處入射激光功率;PI是觀測點處來自目標散射的激光功率。
由于實驗室條件限制,難以直接準確測量材料的激光雷達截面。故而轉(zhuǎn)為求激光雷達截面比。即將標準漫反射板的激光雷達截面和制備材料的激光雷達截面作比(本文記為K值),K值越大表明樣品的隱身效果越好。K值定義式如下:
(8)
圖5 實驗原理圖
圖6 K值與角度之間關(guān)系
從圖5中可以看到,在空間中0°~90°范圍內(nèi),1#、2#、3#、4#、樣品的K值基本保持在1.8以上,并且隨著溫度的升高,K值不斷變大,這表明隨著煅燒溫度的升高,材料樣品對1064 nm激光的吸收能力不斷增強。
采用固相法在1400 ℃下合成了單一晶相的SmCrO3粉體。厚度為0.2 mm的SmCrO3材料在1.06 μm和1.55 μm將出現(xiàn)強的吸收峰,其吸收率分別為54%和53%。計算了不同煅燒溫度下材料的色坐標值,與常見的可見迷彩材料Cr2O3作比較,發(fā)現(xiàn)色坐標保持在(0.3588±0.0007,0.3792±0.0081)范圍內(nèi),變化很小,表明SmCrO3可以代替Cr2O3,作為可見迷彩材料。同時利用激光雷達截面比(K值)評價樣品近紅外激光吸收效果,測得K值基本保持在1.8以上,并且隨著溫度的升高,K值不斷變大。綜上所述,SmCrO3是一種兼容可見、近紅外激光的多功能隱身材料。
[1] GAO Dan.The morphology and luminescence properties of rare earth doped yttrium vanadate powders which can be controlled by precipitation method[D].Qingdao:Qingdao Science and Technology University,2012:4-10.(in Chinese)
高丹.沉淀法形貌可控制備稀土元素摻雜的釩酸釔粉體及其發(fā)光性能[D].青島:青島科技大學(xué),2012:4-10.
[2] CHENG Hongfei,HUANG Daqing.Research progress of multi spectral compatible stealthy materials[J].Journal of Aeronautical Materials,2014,34(5):93-99.(in Chinese)
程紅飛,黃大慶.多頻譜兼容隱身材料研究進展[J].航空材料學(xué)報,2014,34(5):93-99.
[3] LIN Wenxue.The development status of laser stealth technology for materials[J].Scientific Vision,2014,21(31):14-15.(in Chinese)
林文學(xué).材料激光隱身技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀[J].科學(xué)視界,2014,21(31):14-15.
[4] HAN Pengde,HuangXiaogu,HeWei,et al.TEM characterization and reflectivity of SmBO3Crystal Transition[J].Chinese Journal of Inorganic Chemistry,2011,27(11):118-123.(in Chinese)
韓朋德,黃嘯谷,何偉,等.SmBO3晶型轉(zhuǎn)變的TEM表征與反射性能[J].無機化學(xué)學(xué)報,2011,27(11):118-123.
[5] YUAN Le,WEN Xiaolong,LU Hu,et al.Al/Cr2O3study on preparation and infrared reflection characteristics of composite powders[J].Journal of Inorganic Materials,2013,28(5):545-550.(in Chinese)
袁樂,翁小龍,盧虎,等.Al/Cr2O3復(fù)合粉體的制備及紅外反射特性研究[J].無機材料學(xué)報,2013,28(5):545-550.
[6] WANG Mu,LIU Wenhua,ZHANG Jinghui,et al.Relative spectral power distribution and emission color coordinates of Ce2+and Eu2+doped calcium magnesium chlorosilicate system[J].Journal of Luminescence,2011,32(1):16-20.(in Chinese)
王木,劉文華,張競輝,等.鈰銪摻雜氯硅酸鎂鈣體系的相對光譜功率分布與色坐標定位[J].發(fā)光學(xué)報,2011,32(1):16-20.
[7] WANG Guanghau,ZHAO Huiqiong,DENG Rongfu,et al.Reseach on the preparation and chromaticity coordinates shift mechansim of organic white light Top-emitting devices[J].Spectroscopy and Spectral Analysis,2016,36(11):3758-3763.(in Chinese)
王光華,趙惠瓊,鄧榮賦,等.頂發(fā)射白光OLED器件制備及其色坐標漂移機制研究[J].光譜學(xué)與光譜分析,2016,36(11):3758-3763.
[8] WANG Zirong, SUN Xiaoquan.Summary on property characterizations of electro-optic camouflage[J].Laser & Infrared,2005,35(1):11-14.(in Chinese)
王自榮,孫曉泉.光電隱身性能表征概述[J].激光與紅外,2005,35(1):11-14.
[9] WANG Zirong,SUN Xiaoquan.Research on evaluation method of laser camouflage effectiveness[J].Laser Magazine,2005,26(4):87.(in Chinese)
王自榮,孫曉泉.激光隱身效果評價方法研究[J].激光雜志,2005,26(4):87.
[10] WANG Bo,WANG Zirong,SUN Xiaoquan.Evaluation of stealth effects of laser camouflage coatings[J].Space Electronic Warfare,2003(1):41-42.(in Chinese)
王博,王自榮,孫曉泉.激光隱身涂層隱身效果評估[J].航天電子對抗,2003(1):41-42.
[11] JU Yangfeng,XUE Jianguo,ZHANG Le,et al.Evaluation on the effectiveness of laser stealth technology[J].Optoelectronic Technology Applications,2011,32(3):436-438.(in Chinese)
巨養(yǎng)鋒,薛建國,張樂,等.激光隱身效果評估方法研究[J].光電技術(shù)應(yīng)用,2011,32(3):436-438.