楊福

【摘 要】長(zhǎng)期以來(lái)，多晶硅電池表面反射率較高的難題一直得不到有效解決，制約了電池效率的進(jìn)一步提升。濕法黑硅技術(shù)成功解決了這一難題，突破了這方面的效率限制。常規(guī)多晶電池的表面反射率高3%～5%（絕對(duì)值），降低表面反射率是提高多晶電池效率的關(guān)鍵。成本方面，單晶硅片受益于金剛線切割工藝的推廣，成本大幅下降，而多晶硅片金剛線線切的推廣受制于電池制絨工藝的匹配，具體講，金剛線線切多晶硅片使用常規(guī)制絨工藝后，反射率更高并有明顯的線痕等外觀缺陷，嚴(yán)重降低電池效率[1]。濕法黑硅技術(shù)完美的解決以上問(wèn)題，既能提升電池效率又能降低電池成本，是多晶電池繼續(xù)進(jìn)步的必由之路。

【關(guān)鍵詞】濕法黑硅電池；金剛線切割；表面反射率

1.引言

隨著國(guó)內(nèi)光伏產(chǎn)業(yè)規(guī)模逐步擴(kuò)大、技術(shù)逐步提升，光伏發(fā)電成本會(huì)逐步下降，未來(lái)國(guó)內(nèi)光伏容量將大幅增加。太陽(yáng)能發(fā)電成本能否降低，以求接近或達(dá)到常規(guī)電力的生產(chǎn)成本，成為影響太陽(yáng)能發(fā)電進(jìn)程的關(guān)鍵。降低晶體硅電池的成本，提升電池的效率是競(jìng)爭(zhēng)激烈的光伏產(chǎn)業(yè)的追求目標(biāo)之一。

黑硅作為興起的一種新型硅材料，是晶硅材料表面形成一層納米量級(jí)的微結(jié)構(gòu)組織，幾乎能陷住所有可見(jiàn)光，外觀為黑色的新型材料，其反射率很低，并且黑硅的制造工藝可以較容易地嵌入到目前的電池生產(chǎn)工藝中，有著廣闊的應(yīng)用前景[2]。

2 .黑硅技術(shù)原理

制備黑硅所采用的技術(shù)主要有：①激光刻蝕法；②氣相腐蝕法；③反應(yīng)離子刻蝕法（Reactive Ion Etching，RIE）；④金屬催化化學(xué)腐蝕法（Metal Catalyzed Chemical Etching，MCCE）。我們主要研究金屬催化化學(xué)腐蝕法，它不僅能夠有效的提高電池轉(zhuǎn)換效率，而且很容易嵌入到目前的電池生產(chǎn)工藝中。金屬催化化學(xué)腐蝕法其實(shí)可以看作是一個(gè)氧化還原反應(yīng)，陽(yáng)極是緊挨著銀顆粒下表面的硅，陰極是銀顆粒表面。整個(gè)過(guò)程的反應(yīng)方程式如下：

陰極表面（Ag顆粒表面）：H2O2+2H++2e-→2H2O

陽(yáng)極（緊挨著銀顆粒硅表面）：

Si+2H2O→SiO2+4H++4e-

SiO2+6HF→H2SiF6+2H2O

Si+6HF→H2SiF6+4H++4e-

總反應(yīng)式：Si+2H2O2+6HF→H2SiF6+4H2O

在整個(gè)反應(yīng)過(guò)程中，銀顆粒作催化劑，雙氧水作氧化劑，氫氟酸作刻蝕劑。

3 .黑硅電池的技術(shù)方案

黑硅電池工藝流程是在常規(guī)多晶電池工藝制絨后增加一步濕法刻蝕，后期成熟后可取代常規(guī)制絨，濕法黑硅電池不同之處在制絨這一工序，由于同樣采用濕法化學(xué)腐蝕工藝，與現(xiàn)有的常規(guī)電池工藝能很好的兼容，可以實(shí)現(xiàn)不同類(lèi)型的納米絨面[3]。這些絨面包括：納米正金字塔、納米倒金字塔、納米柱、納米凹坑等，對(duì)于不同類(lèi)型的納米結(jié)構(gòu)，其光學(xué)特性以及電學(xué)特性是不同的。光學(xué)特性主要是封裝后光學(xué)多次反射的角度和路徑不同，從而導(dǎo)致組件端光學(xué)增益的不同，電學(xué)特性主要是不同納米結(jié)構(gòu)的尺寸以及表面積不同，從而導(dǎo)致表面鈍化的不同，進(jìn)而影響最終電池的電性能。

黑硅太陽(yáng)電池性能制約關(guān)鍵工序、控制要點(diǎn)和性能提升方案：

3.1 黑硅的反射率和表面復(fù)合間的相互制約

在黑硅的制備過(guò)程中，隨著制備時(shí)間的增加，黑硅層厚度也在增加，黑硅的反射率繼續(xù)變低或趨于飽和。這一現(xiàn)象在RIE法和MAE法制備的黑硅中都有出現(xiàn)。反射率的降低有助于避免光損失，但是相應(yīng)的黑硅表面積也隨之增加，這會(huì)加劇載流子的表面復(fù)合，影響電池的性能[6]。

3.2 對(duì)黑硅制備工藝進(jìn)行改良

多晶硅片經(jīng)過(guò)常規(guī)制絨后，再用濕法刻蝕制備黑硅，實(shí)現(xiàn)了傳統(tǒng)的絨面和硅納米結(jié)構(gòu)相結(jié)合的多尺度減反射絨面，減反射性能和內(nèi)量子效應(yīng)在相同刻蝕時(shí)間下，兩步制絨的黑硅較一步法制絨的要低。而兩步制絨的黑硅其IQE表現(xiàn)也比一步法制絨要好，且短波光譜響應(yīng)隨刻蝕時(shí)間的減少而提升，最佳IQE的黑硅制絨時(shí)間為1分鐘，對(duì)應(yīng)的黑硅層厚約為100nm，這和Hsu， W. Chuck等人的研究結(jié)果一致[8]。由此可以看出：通過(guò)優(yōu)化黑硅制備工藝，可以減薄黑硅層厚度，降低黑硅表面復(fù)合，提升短波光譜響應(yīng)。

3.3優(yōu)化黑硅PN結(jié)結(jié)深不均勻性

如果將黑硅厚度，和去損傷層、酸制絨所引入的硅片表面起伏都考慮在內(nèi)，其軸向（縱向）起伏的長(zhǎng)度和一般的黑硅的PN結(jié)結(jié)深（300-500nm）相比已不容忽略。如采用常規(guī)的黑硅發(fā)射結(jié)制備工藝，黑硅的軸向（縱向）起伏會(huì)影響摻雜的均勻性（結(jié)深的均勻性），從而引入側(cè)向電場(chǎng)，導(dǎo)致并聯(lián)電阻減小和反向電流密度的增大，從而影響器件性能[9]。黑硅的直徑（橫向尺度）一般在幾十納米量級(jí)，僅僅相當(dāng)于PN結(jié)結(jié)深的1/10左右。傳統(tǒng)的擴(kuò)散摻雜將導(dǎo)致黑硅層成為“死層”，影響光生載流子的擴(kuò)散。

4.黑硅電池試驗(yàn)過(guò)程

通過(guò)上述優(yōu)化改進(jìn)方案，我們針對(duì)性進(jìn)行試驗(yàn)，其中主要工序是擴(kuò)散和PECVD工序的優(yōu)化，由于黑硅電池片表面反射率較低，絨面區(qū)別于正常酸制絨絨面，如果要想得到正常膜色，PECVD工藝需要進(jìn)一步優(yōu)化，進(jìn)過(guò)多次調(diào)整，膜厚和折射率調(diào)整到合適范圍，膜厚80nm，折射率2.07，擴(kuò)散工序調(diào)整方向是使擴(kuò)散方阻平均值較正常方阻提升5-10個(gè)方阻，其余工序正常工藝流出，測(cè)試電性能參數(shù)。

5.黑硅試驗(yàn)分析和結(jié)論

通過(guò)試驗(yàn)，我們可以得出，黑硅工藝較常規(guī)工藝增加了制絨工序，后期如果工藝成熟，可代替常規(guī)工藝，和現(xiàn)有設(shè)備能夠很好的匹配。黑硅工藝和常規(guī)工藝差異小，無(wú)需長(zhǎng)時(shí)間調(diào)試工藝。從試驗(yàn)結(jié)果可以看出，黑硅工藝主要提升的參數(shù)是電流，主要原因是黑硅絨面反射率較低導(dǎo)致。從目前行業(yè)可以看出，金剛線電池片是主流趨勢(shì)，黑硅技術(shù)一方面能夠解決金剛線難制絨的問(wèn)題，另一方面能夠有效提升電池片轉(zhuǎn)換效率，是多晶電池片繼續(xù)發(fā)展的必由之路。

參考文獻(xiàn)：

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