李云龍++++呂忠河++++李琦

摘 要：電氣行業(yè)的新技術往往能大大減少安全隱患、提高施工質量及減小帶電作業(yè)空間。本文結合實際工程，詳細介紹了近幾年新興的環(huán)氧澆注式全絕緣母線與之前的四弗乙烯帶繞包的絕緣母線在最主要的絕緣層面上的對比。希望有更多的適用工程采用該項技術，使該技術發(fā)揮更大的效益。文中重點強調了該技術在中國比較重要的項目中所取代繞包母線的技術革新本人還從實際現(xiàn)場施工的過程中對于新興技術的深刻體驗，對于工作效率、施工成本及文明施工等方面比較出該項技術的優(yōu)勢，從而更能說明其推廣價值。

關鍵詞：全絕緣母線；環(huán)氧樹脂；聚四氟乙烯；電容屏

一、緒論

中國在建最高樓，上海新地標：上海中心大廈工程中，從設計到最后的施工完成過程中，發(fā)現(xiàn)其占用空間之小、運行之穩(wěn)定、毫無安全距離隱患的優(yōu)點對于這樣的寸土寸金的典型工程來說，是一種完美的配合。本文分析的全絕緣環(huán)氧樹脂澆注母線在其絕緣方式的技術支持下，是如何更好的取代繞包母線?？傮w來說該技術會是將來一個發(fā)展趨勢，希望通過本文讓更多的適用工程使用該技術，以及注意在使用中的問題，使該技術發(fā)揮更大的經(jīng)濟和社會效益。

二、絕緣層技術及前期加工工藝對比

（一）主要絕緣層工藝。環(huán)氧樹脂澆注母線為圓導體纏繞絕緣紙采用半導體紙做屏位、等厚度不等長度的原則來均壓設計的。繞包母線為圓導體纏繞聚四氟乙烯帶采用鋁箔做屏位、等厚度等長度的原則來均壓設計的。

（二）加工工藝。在這里以10Kv4000A絕緣母線為例，主要從四個方面來對比分板：導體焊接、絕緣層包繞、屏位層分析、接地制作。1、導體處理。導體處理方面澆注與繞包工藝是相同的，清理銅管表面，使其無尖角毛刺，并用半導電自粘帶將銅管表面均勻纏繞。防止通電后，導體表面放電。2、絕緣層包繞。繞包式全絕緣母線包繞工藝：。采用四氟乙烯帶粘硅油包繞，每層聚四氟乙烯帶之間涂抹硅油來保證排除空氣隙，10KV母線采用三屏位，在特定位置處纏繞鋁箔作為屏蔽層，在屏蔽層外熱縮絕緣護套，再重復之前四氟乙烯帶粘硅油包繞，直至最后外絕緣。環(huán)氧樹脂干式全絕緣母線包繞工藝：。采用絕緣紙2/3疊壓包繞，每次纏繞時拉伸絕緣紙到原長度的130%，保證層與層之前不會有支撐間隙，10KV母線采用三屏位，在特定位置處纏繞半導體紙作為屏蔽層，在屏蔽層外再重復之前的絕緣紙包繞方式，直至最后外絕緣3、屏位層分析。上面的表格來看，在材料方面，繞包母線的屏位鋁箔與絕緣層之間涂抹硅油會使屏位極易發(fā)生滑動現(xiàn)象，不能保證等梯差的屏間會使場強分布不均，在金具夾持或電動力作用下屏蔽層易斷裂，且在有立體彎及落差安裝時，硅油流淌使上部絕緣強度降低，容易造成擊穿等事故。環(huán)氧樹脂澆注式的絕緣母線在包繞完成后會有抽真空干燥操作，這樣既保證了主絕緣區(qū)無空氣隙，又保證了屏位與絕緣間的一體式。屏蔽層外的處理方面，繞包母線的熱縮套厚度過大，會在主絕緣區(qū)支撐起一環(huán)形三角體空間，這樣對于局部放電水平影響過大，環(huán)氧樹脂澆注式的絕緣母線全部為等厚包繞紙，微小空隙會被澆注過程中的環(huán)氧樹脂密封。

三、聚四氟乙烯帶繞包母線環(huán)氧樹脂澆注母線

（一）溫升實驗

從實驗結果分析，在各幾個主要點的不同時間、不同室溫下，同一位置的繞包母線比澆注母線溫升都要高，在3、9中間接頭的處理上，環(huán)氧樹脂澆注母線的中間用屏蔽筒密封，保證了整體等電位，而聚四氟乙烯帶的則是用熱縮套一層一層熱縮上，溫升非常高。

（二）耐壓實驗。10Kv絕緣管母線相對地工頻耐壓實驗采取是加壓42Kv，時長5min。環(huán)氧樹脂澆注母線在整個耐壓過程中表現(xiàn)穩(wěn)定，無放電聲音，而聚四氟乙烯帶的繞包母線則在第二分鐘出現(xiàn)擊穿現(xiàn)像?，F(xiàn)場解剖有明顯的沿面閃絡現(xiàn)像，表面爬電痕跡明顯。

發(fā)生這種現(xiàn)像都是因為內(nèi)部絕緣不均，電位屏沒有有效的把電場分布，制作的過程中對于絕緣間的空氣隙不能完全清除，加完高壓有對空氣的放電進而對絕緣母線主絕緣的損傷，最后導致?lián)舸?/p>

（三）局放實驗。繞包母線絕緣層間的間隙存在的最根本隱患便是局部放電，到后期影響便是對空氣隙放電進而影響主絕緣。

四、結論

當今的變電站都是以安全運行為首要任務，必須保證電網(wǎng)不間斷運行，這就要求電網(wǎng)系統(tǒng)中的第一個組件都要提升自己的安全系數(shù)，從本文中得出不管是從絕緣材料、制作工藝、運行狀態(tài)各個方面，環(huán)氧樹脂澆注的絕緣母線相對于較老的繞包式母線，有著很好的表現(xiàn)。

參考文獻：

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