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        多種寬帶傳輸結(jié)構(gòu)的研究與分析

        2017-07-20 11:32:54趙逸涵史源錢興成
        電子與封裝 2017年7期
        關(guān)鍵詞:金屬化電路板波導(dǎo)

        趙逸涵,史源,錢興成

        (單片集成電路與模塊國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,南京電子器件研究所,南京210016)

        多種寬帶傳輸結(jié)構(gòu)的研究與分析

        趙逸涵,史源,錢興成

        (單片集成電路與模塊國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,南京電子器件研究所,南京210016)

        針對寬帶高頻組件的發(fā)展趨勢,研究了三種不同的適用于寬帶高頻信號(hào)的傳輸結(jié)構(gòu)。主要介紹了三種傳輸結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)方案,并利用HFSS軟件對傳輸結(jié)構(gòu)進(jìn)行仿真優(yōu)化,最后進(jìn)行了實(shí)物分析驗(yàn)證。經(jīng)過測試,在寬帶高頻信號(hào)下,三種結(jié)構(gòu)均有比較良好的電性能傳輸特性。該測試結(jié)果表明,寬帶高頻組件的設(shè)計(jì)中可以根據(jù)實(shí)際需求運(yùn)用多種傳輸結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)較高的性能指標(biāo),具有廣泛的應(yīng)用前景。

        寬帶高頻;傳輸結(jié)構(gòu);HFSS仿真

        1 引言

        隨著射頻技術(shù)的不斷發(fā)展,信號(hào)頻段越來越高,頻帶也越來越寬,對射頻微波組件的要求也隨之提高,高集成化、小型化等都是未來組件的發(fā)展方向。傳統(tǒng)的微帶傳輸結(jié)構(gòu)不能解決寬帶小型化設(shè)計(jì)中的所有問題。多模塊之間寬帶信號(hào)的傳輸過渡以及模塊內(nèi)部寬帶信號(hào)的傳輸?shù)葐栴}是寬帶高頻組件設(shè)計(jì)過程中必須要解決的一個(gè)問題。寬帶信號(hào)的傳輸質(zhì)量對組件整體性能起著非常重要的作用。但目前關(guān)于寬帶傳輸?shù)碾娐方Y(jié)構(gòu)研究還不多,具體用于實(shí)際工程應(yīng)用中的更是有限[1]。

        所以本文對寬帶高頻傳輸結(jié)構(gòu)進(jìn)行了探索,對不同結(jié)構(gòu)寬帶信號(hào)傳輸?shù)牟鍝p、駐波等主要指標(biāo)進(jìn)行了分析,提供了多種在工程實(shí)際中可以應(yīng)用的寬帶信號(hào)傳輸?shù)慕鉀Q方法,為寬帶射頻組件的小型化、集成化提供了一個(gè)研究方向。

        2 多種傳輸結(jié)構(gòu)分析

        2.1 空氣腔過渡及共面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)

        在射頻微波組件中,經(jīng)常會(huì)遇到多個(gè)模塊的對接問題。為了解決這個(gè)問題,一般要采用SMP結(jié)構(gòu)的射頻連接器來完成多模塊間的信號(hào)互聯(lián),可以在節(jié)省體積的同時(shí)也保證互聯(lián)處的機(jī)械強(qiáng)度,有利于組件的小型化設(shè)計(jì)。但是單純的SMP射頻連接器結(jié)構(gòu)在高頻、寬帶信號(hào)下的表現(xiàn)并不理想,主要表現(xiàn)在傳輸損耗較大,帶內(nèi)平坦度不夠好,插入損耗在寬帶、尤其是超寬帶信號(hào)下存在突變點(diǎn)等。因此需要對該結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化,提高射頻連接器在高頻、寬帶下的性能。

        圖1 SMP連接器傳輸機(jī)構(gòu)側(cè)視圖和俯視圖

        圖1 所示為改進(jìn)后的SMP連接器的傳輸結(jié)構(gòu)示意圖。相比于傳統(tǒng)的SMP直接與微帶線相連接的結(jié)構(gòu),這里在SMP連接器的針的末端增加了一個(gè)空氣腔結(jié)構(gòu)。通過空氣腔與SMP射頻接頭的內(nèi)導(dǎo)體來模擬近似一個(gè)同軸傳輸線,提高接頭在高頻寬帶信號(hào)下的性能。

        同軸線的內(nèi)導(dǎo)體半徑為a,外圈半徑為b,介電常數(shù)為εr,根據(jù)式(1)、(2)可以求得同軸傳輸線TE10模的截止頻率:

        通過HFSS仿真優(yōu)化設(shè)計(jì),空氣腔的長度為0.8mm,直徑為1 mm。SMP內(nèi)導(dǎo)體的末端焊接在微波電路板上,相比于傳統(tǒng)結(jié)構(gòu),本次改進(jìn)的結(jié)構(gòu)中還在與針相連的部分采用了一段共面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。其中電路板采用的是RT/Duroid5880介質(zhì)板,厚度為0.254 mm,通過仿真設(shè)計(jì)將共面波導(dǎo)的地孔直徑設(shè)為0.5 mm,共面波導(dǎo)兩邊的地與中間的金屬微帶間距設(shè)為0.5 mm。地孔之間的距離設(shè)為0.8 mm。圖2所示為該傳輸結(jié)構(gòu)尺寸示意圖。

        圖2 SMP連接器傳輸結(jié)構(gòu)尺寸示意圖

        這里采用共面波導(dǎo)有幾個(gè)方面的優(yōu)勢,一個(gè)是相比于微帶,共面波導(dǎo)的駐波特性更好,對信號(hào)的反射相對較小;二是多了兩排地孔,可以使SMP射頻連接器附近的接地效果更好,保證射頻連接器、盒體、電路板之間接地的連續(xù)性,提高信號(hào)傳輸?shù)馁|(zhì)量。

        該結(jié)構(gòu)的仿真結(jié)果如圖3所示,可以看出該SMP傳輸結(jié)構(gòu)在18~45 GHz的頻帶內(nèi),S11小于-20 dB,S21大于-0.5 dB,在寬帶高頻信號(hào)下表現(xiàn)比較好。因此該結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用于寬帶高頻的信號(hào)傳輸。

        圖3 SMP結(jié)構(gòu)仿真結(jié)果

        2.2 微波多層電路板中的信號(hào)傳輸及平面過渡結(jié)構(gòu)

        為了解決組件小型化設(shè)計(jì)的問題,微波多層電路板的應(yīng)用勢在必行。將傳統(tǒng)的平面結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)槎鄬恿Ⅲw結(jié)構(gòu),同時(shí)也對信號(hào)的傳輸提出了較高的要求。微帶傳輸線并不能直接應(yīng)用于多層電路板的信號(hào)傳輸,在不同結(jié)構(gòu)之間信號(hào)需要經(jīng)過過渡結(jié)構(gòu)來保證信號(hào)傳輸?shù)倪B續(xù)性。

        基片集成波導(dǎo)(SIW)結(jié)構(gòu),上下表面均為金屬化層,在介質(zhì)基片中間隔一定距離制作兩排金屬化通孔。于是在上下金屬面和兩排金屬化通孔之間就形成了一個(gè)類似矩形波導(dǎo)的結(jié)構(gòu)。基片集成波導(dǎo)的兩排金屬化通孔構(gòu)成了波導(dǎo)的窄邊,上下表面的金屬層構(gòu)成了波導(dǎo)的兩個(gè)寬邊,電磁波在介質(zhì)基片左右兩排金屬化通孔和上下金屬面所圍成的矩形區(qū)域內(nèi)以類似于介質(zhì)填充矩形波導(dǎo)的場模式傳輸,因此有高Q值、低差損、尺寸小、輻射低、易集成、易于實(shí)現(xiàn)等優(yōu)點(diǎn),在微波多層電路板中有比較廣泛的應(yīng)用,包括濾波器、功分器、移相器等。因此SIW和微帶的過渡結(jié)構(gòu)對于微波多層電路的設(shè)計(jì)有重要的作用和影響[2]。

        基片集成波導(dǎo)的介質(zhì)板厚度為h,介電常數(shù)為εr,金屬化通孔直徑為d,周期為s,兩排金屬化過孔圓心之間的距離為ω,等效為波導(dǎo)寬邊為a,窄邊為b的矩形波導(dǎo)。根據(jù)文獻(xiàn)[4~5]可以推得TE10模的截止頻率與波導(dǎo)尺寸的關(guān)系式如下:

        而在填充介質(zhì)的介電常數(shù)為εr的矩形波導(dǎo)中,模的TE10截止頻率為:

        聯(lián)立式(3)、(4),可以得到在相同主模截止頻率、相同介電常數(shù)下,基片集成波導(dǎo)和矩形波導(dǎo)的近似對應(yīng)關(guān)系。

        因此,在設(shè)計(jì)基片集成波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的時(shí)候,等效公式可以寫成如下形式:

        其中,leff和ωeff為基片集成波導(dǎo)的等效長邊長度和等效寬邊長度。但是傳統(tǒng)的SIW和微帶過渡的結(jié)構(gòu)在寬帶傳輸特性上并沒有優(yōu)勢,相反,由于SIW結(jié)構(gòu)存在截止頻率等問題,很難直接用于傳輸寬帶信號(hào)[3]。因此,本文在這里探索設(shè)計(jì)了一個(gè)基于基片脊波導(dǎo)(RSIW)的平面?zhèn)鬏斀Y(jié)構(gòu)。如圖4所示,在該結(jié)構(gòu)中,采用了兩層RT/Duroid6010介質(zhì)板,介電常數(shù)為10.2,其中一層厚度為0.254 mm,一層厚度為0.625 mm,兩層介質(zhì)板中間采用厚度為0.1 mm的RO3010半固化片粘接,介電常數(shù)為10.2。

        其中上層是由矩形金屬區(qū)、微帶線以及微帶到RSIW的梯形過渡區(qū)組成,在矩形金屬區(qū)的兩側(cè)是兩排金屬化通孔陣列,從top層到bottom層。在兩側(cè)微帶以及過渡結(jié)構(gòu)的正下方,第一塊介質(zhì)板的下表面即Middle1層均覆上銅,來提高結(jié)構(gòu)的接地效果。如圖5所示,在第二塊介質(zhì)板的上表面即Middle2層加一個(gè)金屬條,并且在金屬條上和兩端制作出從Middle2層到Bottom層的埋孔。

        相比于傳統(tǒng)的SIW結(jié)構(gòu),這種改進(jìn)型結(jié)構(gòu)通過增加中間的金屬條拓展了傳輸帶寬。這里傳輸線兩側(cè)的金屬化通孔直徑設(shè)為0.4 mm,通孔之間的孔距為1.58 mm,兩排通孔之間的距離為4.4 mm,中間的金屬條寬度為1.4 mm,中間埋孔的直徑為1.12 mm。

        圖4 RSIW傳輸結(jié)構(gòu)

        圖5 RSIW傳輸結(jié)構(gòu)圖

        仿真時(shí),通過調(diào)節(jié)金屬帶的寬度及梯形過渡區(qū)的長度和寬度來優(yōu)化仿真設(shè)計(jì),提高寬帶傳輸特性。仿真測試結(jié)果如圖6所示,從圖中可以看出,在6~22 GHz帶寬內(nèi)性能指標(biāo)良好,回波損耗小于-10 dB,差損小于1 dB,且可以看出帶內(nèi)的平坦度等指標(biāo)均比較好。通過RSIW結(jié)構(gòu)使得信號(hào)在介質(zhì)板的板間傳輸,可以提高信號(hào)的隔離度且減少信號(hào)的空間泄露,因此在寬帶射頻組件中有廣泛的應(yīng)用。

        圖6 RSIW傳輸結(jié)構(gòu)仿真結(jié)果

        2.3 微波多層電路板中的垂直過渡結(jié)構(gòu)

        與傳統(tǒng)平面微波電路板相比,多層微波板由于是三維立體結(jié)構(gòu)電路,因此需要大量應(yīng)用到垂直過渡結(jié)構(gòu)用于信號(hào)在板間不同層的傳輸。微帶到微帶的垂直過渡,微帶到帶狀線的垂直過渡等在微波多層電路板中應(yīng)用都比較廣泛,本文也對該結(jié)構(gòu)進(jìn)行了相關(guān)的仿真設(shè)計(jì)。

        如圖7所示是該垂直過渡結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)圖。在該結(jié)構(gòu)中采用兩塊0.254 mm厚的RT/Duroid6002介質(zhì)板,介電常數(shù)為2.92,中間用一塊0.1 mm厚的RO4450F半固化片粘接而成,介電常數(shù)為3.52。該過渡結(jié)構(gòu)主要由微帶和中間的垂直通孔以及中間的帶狀線等幾部分組成。其中,在垂直過孔周圍設(shè)置一圈地孔來等效同軸傳輸結(jié)構(gòu),通過調(diào)節(jié)周圍地孔的位置以及中間金屬化過孔的直徑等參數(shù)來優(yōu)化設(shè)計(jì)。在傳輸線兩側(cè)增加兩排地孔,提高信號(hào)傳輸?shù)馁|(zhì)量。

        圖7垂直過渡結(jié)構(gòu)示意圖

        圖8 所示為垂直過渡結(jié)構(gòu)的HFSS仿真結(jié)果。從仿真結(jié)果圖可知該結(jié)構(gòu)在整個(gè)DC-42 GHz頻帶內(nèi),傳輸損耗小于0.5 dB,輸入輸出駐波小于-15 dB。

        圖8 垂直過渡結(jié)構(gòu)仿真結(jié)果

        從理論上看,該結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用于超寬帶射頻信號(hào)在微波多層電路板中的垂直過渡傳輸,提高寬帶組件的集成度。

        3 測試結(jié)果

        圖9所示為SMP空氣腔過渡結(jié)構(gòu)在實(shí)際射頻組件應(yīng)用中的實(shí)物制作圖。其中方框部分為過渡結(jié)構(gòu)。

        圖9 SMP過渡結(jié)構(gòu)實(shí)物照片

        圖10 所示為該SMP結(jié)構(gòu)在微波寬帶組件中應(yīng)用時(shí)的測試結(jié)果,從圖中可以看出在23~41 GHz的整個(gè)頻帶內(nèi),駐波最差的地方不超過1.9,沒有存在明顯的駐波異常的地方。同時(shí)試驗(yàn)過程中同時(shí)安裝了多個(gè)SMP結(jié)構(gòu),發(fā)現(xiàn)不同接頭之間的駐波比一致性較好,在實(shí)際的工程應(yīng)用中可以廣泛使用在高頻寬帶單通道及多通道組件中。

        圖10 SMP結(jié)構(gòu)測試結(jié)果

        測試時(shí)為了模擬實(shí)際組件應(yīng)用中的狀況,還制作了兩個(gè)相同的SMP傳輸結(jié)構(gòu),中間使用了SMP-KK的射頻連接器進(jìn)行對接。測試結(jié)果如圖11所示,可以看到在整個(gè)400 MHz~43.5 GHz的帶寬內(nèi),駐波均小于2,插入損耗在3 dB以下。該測試結(jié)果差于理論仿真值,這與測試儀器接頭的誤差以及SMP-KK本身的性能均有關(guān),最終結(jié)果雖與理論值有出入,但是總體水平良好,該傳輸結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用于實(shí)際工程中。

        圖12、圖13所示為垂直過渡結(jié)構(gòu)的實(shí)物照片和測試曲線,從圖中可以看出在1~18 GHz的頻率帶寬內(nèi),駐波小于2.5,差損小于1.5 dB,與前文的仿真結(jié)果基本吻合。但是在18 GHz以后發(fā)現(xiàn)差損明顯變大,且輸入輸出駐波均變差,與仿真結(jié)果有較大出入,通過分析判斷,主要原因是電路板兩端和盒體以及接頭之間的地接觸不夠好,不能保證地的連續(xù)性,因此會(huì)在寬帶高頻信號(hào)下表現(xiàn)較差。此外,由于工藝水平的限制,電路板加工精度包括金屬化孔的直徑、焊盤半徑、位置等也會(huì)對最終測試結(jié)果產(chǎn)生影響。所以關(guān)于該結(jié)構(gòu),以目前的實(shí)驗(yàn)結(jié)果來看,可以應(yīng)用到18 GHz的工作頻率,但完成和優(yōu)化適合當(dāng)前加工工藝水平的仿真設(shè)計(jì)是下一步的工作計(jì)劃。

        圖12 垂直過渡結(jié)構(gòu)實(shí)物照片

        圖13 垂直過渡結(jié)構(gòu)測試結(jié)果

        4 結(jié)論

        隨著寬帶、超寬帶微波射頻組件的應(yīng)用越來越廣泛,對信號(hào)傳輸性能的要求也不斷提高,因此,本文對三種寬帶高頻信號(hào)傳輸結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究,這三種結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用于寬帶高頻微波電路的不同情況。其中SMP空氣腔過渡結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用于多個(gè)模塊對接過程中的信號(hào)傳輸;RSIW結(jié)構(gòu)過渡可以應(yīng)用于微波多層電路板中寬帶信號(hào)的平面?zhèn)鬏敽瓦^渡;垂直過渡結(jié)構(gòu)則可以應(yīng)用在微波多層電路板中寬帶信號(hào)的三維立體傳輸。綜合仿真設(shè)計(jì)、實(shí)物制作和測試結(jié)果,可以得出結(jié)論:這幾種傳輸結(jié)構(gòu)均適用于實(shí)際工程中的寬帶高頻信號(hào)傳輸,具有易用性與可實(shí)現(xiàn)性。

        [1]楊駕鵬,周駿,沈國策,吳璟,沈亞,蔡茂.TSV垂直傳輸結(jié)構(gòu)的射頻特性研究[J].固體電子學(xué)研究與進(jìn)展,2016(3): 213-216.

        [2]YCassivi,Perregrini,PBressan,K Wu,G Conciauro. Dispersion Characteristics of Substrate Integrated Rectangular Waveguide[J].IEEE Microwave Wireless Compon.Lett.2002,12(9):333-335.

        [3]R Kazemi1,R A Sadeghzadeh1,A E Fathy.Design of a Wideband eight-way Compact SIW Power Combiner Fed by a Low Loss GCPW to SIW Transition[J].Progress in Electromagnetics Research C,2012(26):97-110.

        [4]R Kazemi,A E Fathy.Design of single-ridge SIW power dividers with over 75%bandwidth[J].IEEE MTT-S Int. Microw.Symp.Dig.,Tampa,FL,USA,2014:1-6.

        [5]H Li,W Hong,et al.Substrate integrated waveguide based on LTCC[C].IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest.Philadelphia,USA:IEEE,2003:2045-2048.

        Research and Analysis of Several Wide-Band Transmission Structures

        ZHAO Yihan,SHI Yuan,QIAN Xingcheng
        (National key laboratory of integrate circuits and module,Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing 210016,China)

        Proceeding from the development path of wide-band and high-frequency components,the paper conducts certain researches and presents designs of three different transmission structures for wide-band and high-frequency signal.The HFSS software is used to stimulate and optimize the structure of transmission.Three structures of transmission are verified and analyzed practically.After tests,three structures all have a high electronic quality.The structures can be applied flexibly in scenarios with various requirements to achieve higher electronic performance in the design of the wide-band and high frequency components.The structures willbe widely applied in many fields.

        wide-band and high-frequency;transmission structure;HFSS stimulation

        TN603

        A

        1681-1070(2017)07-0043-05

        趙逸涵(1992—),男,江蘇南京人,2014年畢業(yè)于武漢理工大學(xué)電子與科學(xué)技術(shù)專業(yè),現(xiàn)為南京電子器件研究所在讀碩士研究生,從事寬帶微波射頻電路研究。

        2017-3-31

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