黃樹來　姜永超　徐進(jìn)棟　王娟　劉瑞娟

【摘 要】PN結(jié)物理特性實(shí)驗(yàn)是一個綜合了熱學(xué)與電學(xué)知識的物理實(shí)驗(yàn)，通過測量不同溫度下結(jié)電壓的變化，得到PN結(jié)溫度傳感器的靈敏度。進(jìn)而可以推算出絕對零度下硅的禁帶寬度，分析了實(shí)驗(yàn)結(jié)果誤差的主要來源。

【關(guān)鍵詞】PN結(jié)；測溫靈敏度；禁帶寬度

1 原理

半導(dǎo)體物理中，PN結(jié)的正向電流與電壓關(guān)系式為：

I=I0[exp（eU1/kT）-1]

其中I是正向電流，I0是反向飽和電流，在一定溫度下為常數(shù)；T是熱力學(xué)溫度；e是電子的電量；U1為PN結(jié)正向壓降。由于在常溫（300K）下，kT/e≈0.026V，而PN結(jié)正向壓降約為十分之幾伏，則exp（eU1/kT）>>1，于是上式可以近似寫為：

I=I0[exp（eU1/kT）]

即，PN結(jié)正向電流隨正向電壓近似按指數(shù)規(guī)律變化。

當(dāng)PN結(jié)中通一恒定的小電流（通常電流I=100μA）時，由半導(dǎo)體理論可得Ube（U1）與T的近似關(guān)系

Ube=ST+Ug0

式中為PN結(jié)溫度傳感器靈敏度。由Ug0可求出溫度為0K時半導(dǎo)體材料的近似禁帶寬度Eg0=qUg0。硅材料的Eg0約為1.205eV。

2 實(shí)驗(yàn)

（1）按照圖1所示連接實(shí)驗(yàn)線路。測溫電路如圖2所示，其中數(shù)字電壓表V2既作測溫電橋指零用，又可監(jiān)測PN結(jié)電流，保持電流I=100μA。

（2）調(diào)節(jié)圖1中電源電壓，使電阻兩端電壓保持不變，即電流I=100μA。同時測量恒溫器的溫度。從室溫開始每隔5℃左右測一對Ube（即V1）與溫度T（℃）值，數(shù)據(jù)見表格1，求得Ube-T關(guān)系。

（3）用最小二乘法對Ube-T關(guān)系進(jìn)行直線擬合，求出PN結(jié)測溫靈敏度S=-2.28mV/K，截距Ug0=1.2235V。可推得溫度為0K時硅材料禁帶寬度Eg0=1.2235eV。硅在絕對零度的禁帶寬度的公認(rèn)值為1.205eV，測量結(jié)果基本與之相吻合。產(chǎn)生誤差的主要原因是，PN結(jié)溫度傳感器的線性范圍大約在-50到150℃之間，在低溫下，非線性項(xiàng)不可以完全忽略，因此本實(shí)驗(yàn)方法測得的硅的禁帶寬度是半定量的。

3 結(jié)論

根據(jù)PN結(jié)電壓與溫度的線性關(guān)系，半定量得到了PN結(jié)中硅材料的禁帶寬度，與公認(rèn)值比較接近。誤差主要是低溫下非線性項(xiàng)不能完全忽略而引起的，本實(shí)驗(yàn)可作為一種測量硅的禁帶寬度的半定量近似方法來使用。

【參考文獻(xiàn)】

[1]姜永超，主編.大學(xué)物理實(shí)驗(yàn)[M].北京：中國農(nóng)業(yè)出版社，2015.

[2]陳水橋.PN結(jié)正向壓降溫度特性的研究和應(yīng)用[J].物理實(shí)驗(yàn)，2000.

[3]陸申龍，曹正東.低溫條件下半導(dǎo)體材料禁帶寬度的測量[J].大學(xué)物理，1996.

[責(zé)任編輯：朱麗娜]