新型低毒AgInS2量子點(diǎn)的制備和表征以及對腫瘤細(xì)胞的成像
2017-02-04 14:18:22張濤李智孫權(quán)洪馬楠
分析化學(xué) 2016年12期
張濤+李智+孫權(quán)洪+馬楠
摘 要 在水相中快速合成AgInS2（AIS）量子點(diǎn)，并對其紫外可見吸收光譜及熒光發(fā)射光譜進(jìn)行了表征，通過電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀分析了其元素組成，采用高分辨透射電鏡觀察其形貌與分布，并驗(yàn)證了它相對于傳統(tǒng)的CdTe量子點(diǎn)在光穩(wěn)定性和細(xì)胞毒性方面的優(yōu)勢。在AgInS2表面連接了葉酸實(shí)現(xiàn)了對腫瘤細(xì)胞的靶向成像。endprint
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