梁 棟，劉巍巍，韓 威，江肖力

（中電54所，石家莊050081）

Ku頻段小型化低噪聲放大器的設計*

梁 棟，劉巍巍，韓 威，江肖力*

（中電54所，石家莊050081）

設計制作了一款基于微組裝工藝的小型化低噪聲放大器（LNA）。該器件廣泛選用裸管芯、芯片電容等微型器件，采用兩級放大電路結構，使用AWR與HFSS電磁仿真軟件進行設計、優(yōu)化和仿真，運用鍵合金絲微波特性進行噪聲系數調試，實現較好的低噪聲微波特性。最終實現了在12.25 GHz～12.75 GHz工作頻段，增益大于20 dB，噪聲系數小于1.2 dB的低噪聲放大器，整體電路尺寸僅為12 mm×10 mm×7 mm。

低噪聲放大器；小型化；鍵合金絲；微組裝；AWR；HFSS

當前移動通信、衛(wèi)星通信更新換代，日新月異，射頻接收前端技術在此背景下愈顯重要［1-2］。其中，作為接收前端重要部件的低噪聲放大器（LNA）的性能尤為重要。作為不可或缺的微波器件，其主要作用是放大接收天線輸出端的有效信號，并降低噪聲干擾。對于LNA來說，追求超低噪聲系數，優(yōu)良的放大能力是永久的設計方向［3］，而在此基礎上實現小型化，則是目前系統(tǒng)對器件的迫切需求。而LNA的高性能、小型化將直接推動和優(yōu)化接收前端系統(tǒng)的整體性能與體積。本文將依托薄膜基板制造工藝，結合微組裝封裝工藝，進行探索設計，旨在實現低噪聲放大器的小型化。

1 LNA主要技術指標

1.1 噪聲系數FN

噪聲系數的定義為放大器輸入信噪比與輸出信噪比的比值，即：

式中，FN為微波部件的噪聲系數；Sin、Nin分別為輸入端的信號功率和噪聲功率；Sout、Nout分別為輸出端的信號功率和噪聲功率。

噪聲溫度是噪聲系數的另一種表達方式，相比于噪聲系數，噪聲溫度在噪聲超低區(qū)域差值較大，適合在某些噪聲系數要求非常高的系統(tǒng)作為衡量指標，這部分噪聲功率表示公式如下：

式中：k為波爾茲曼常量1.38×10-23J/K；Te為有效溫度，單位為K；B為帶寬，單位為Hz。

噪聲系數的物理含義是：輸入信號通過放大器后，放大器噪聲的產生，使輸出信噪比變壞，輸入輸出信噪比的差別倍數就是噪聲系數。

1.2 放大器增益G

放大器的增益定義為放大器輸出功率與輸入功率的比值：

一般來說，LNA的增益確定應與系統(tǒng)的整機噪聲系數、接收機動態(tài)范圍等結合起來考慮［4］。

2 LNA電路設計

2.1 電路結構

自給柵偏壓電路如圖1所示，在此FET的源級串聯一個電阻RS，當漏極電流流過RS時，在它的兩端將產生壓降，而在輸入匹配網絡中，有柵極電感到地設計（見圖2所示），以致柵極電壓為零，因此使VGS小于零，使得芯片工作在放大區(qū)，實現自給柵偏壓。同時，此電路也是一種直流負反饋電路，可以降低整個電路對晶體管自身性能變化的敏感度，提高晶體管靜態(tài)工作點的穩(wěn)定性［5］。實現單電源供電，相比于正負壓單獨供電，此電路結構可有效減小供電電路面積，利于本放大器小型化設計。

圖1 自給柵偏壓電路

由多級放大電路構成的放大器噪聲系數為：

式中：FN為整個放大器的噪聲系數，FN1、FN2、FN3分別是第1、2、3級的噪聲系數；G1、G2分別是第1、2級的增益［6］。從式（4）可知，第1級低噪聲放大電路的噪聲系數與增益對整個放大器的噪聲系數起著決定性作用，其噪聲系數越小，增益越大，整個電路的噪聲系數就越小。因此，第1級放大電路基本要按實現最佳噪聲系數設計，第2級放大電路主要起到增益放大的作用。本文設計也將遵循此原理，前級優(yōu)化噪聲系數并兼顧回波損耗，后級為最大增益設計，后級放大器增益比前級約高3 dB～4 dB。

圖2為本放大器的電路原理圖，放大器由A1和A2組成的兩級放大電路單元組成。

圖2 放大器原理圖

圖2中的A1和A2為裸管芯FHX13X，皆為GaAs Super HEMT場效應管，低噪聲性能優(yōu)良，且可靠性與穩(wěn)定度高，其尺寸僅為0.45 mm×0.35 mm×0.1 mm，其推薦使用頻率為2 GHz～18 GHz，在12 GHz時，如圖3所示，其靜態(tài)工作點為VDS=2 V，Ids=10 mA時，FHX13X的噪聲系數優(yōu)于0.5 dB，增益在12 dB以上。

圖3 管芯靜態(tài)工作點參數

圖3中，V1為78M05穩(wěn)壓裸芯片，圖中所有電阻均采用薄膜電阻，電容均采用高性能的單層電容，高頻電感則利用鍵合金絲進行等效替代，大大實現電路小型化。

2.2 鍵合金絲電路模型

圖4、圖5分別是鍵合金絲的拓撲圖與等效電路圖。從鍵合金絲的等效電路來看，可看成是串聯電感和并聯到地電容的分布參數組合［7］。在高頻頻段，鍵合金絲的分布參數效應愈趨于明顯，特別是其電感值隨著鍵合金絲的長度變化明顯。

圖6為直徑25μm，拱高為0.2 mm，跨長為0.5 mm的單根鍵合金絲在HFSS中的三維仿真模型，其波端口激勵已嵌入至鍵合線根部，以便排除兩端微帶線帶來的參數干擾。圖7為計算得到的待測金絲等效電感值與品質因數，從中可見其感值隨著頻率的提高而變大，因此可將其等效為高頻電感使用，完成匹配與調試工作，同時鍵合金絲本身在Ku段品質因數很高，因此在輸入端引入的損耗很小，利于低噪聲放大設計。

圖4 鍵合金絲拓撲圖

圖5 鍵合金絲等效電路圖

圖6 鍵合金絲HFSS仿真模型

圖7 鍵合金絲等效參數曲線

2.3 穩(wěn)定性分析

實際中微波場效應晶體管都存在內部反饋，微波管的S12就表示內部反饋量，它是電壓波的反向傳輸系數，S12越大，內部反饋越強，反饋量達到一定強度時，將會引起放大器穩(wěn)定性變壞，甚至產生自激震蕩［8］。微波放大器的穩(wěn)定性判斷條件如下：

式中：D=S11S22-S12S21。當K＞1時，放大器處于穩(wěn)定工作狀態(tài)。

在電路結構設計中，放大器管芯的源極與地之間串聯RLC電路構成直流負反饋，可提高放大器的穩(wěn)定性，有效防止電路自激。

2.4 電路仿真設計

AWR為微波設計常用的電磁仿真軟件，可方便建立電路級模型，展開電路拓撲結構設計，并進行參數調整優(yōu)化，得到較優(yōu)的噪聲系數，增益等參數的仿真結果。

本電路基板采用ε=9.8，厚度為0.381 mm的氧化鋁陶瓷基片，濺射金層厚度為4μm。通過不斷仿真優(yōu)化，輸入采用圖2中的L1（并聯到地電感）、L2（串聯電感）組合，輸出采用微帶L型枝節(jié)匹配，可以得到較好的輸入輸出阻抗匹配。級間保持較短微帶線連接，即能得到最大增益設計。同時，仿真設計帶寬大于實際使用帶寬，用于補償仿真計算與實際微組裝過程中引入的頻率偏移。

圖8 放大器AWR仿真模型

從仿真優(yōu)化過程中可以得出，在輸入處的金絲鍵合線L1、L2的長度對放大器的噪聲系數與輸入駐波影響大，參數調節(jié)可以看出，L2對噪聲系數影響較大，而L1則同時影響噪聲系數與輸入駐波。在L1長度為0.9 mm，L2長度為0.3 mm時，其噪聲系數，駐波比仿真最優(yōu)。

經過優(yōu)化后，各指標仿真結果如圖9～圖12所示。

圖9 放大器FN仿真曲線

圖10 放大器S21仿真曲線

圖11 放大器S11、S22仿真曲線

圖12 放大器穩(wěn)定系數K值仿真曲線

3 電路組裝

本電路為典型的基于薄膜工藝的混合集成電路，所有芯片均采用裸芯片，所有元器件及薄膜陶瓷基片都使用導電膠將其粘接在鍍金盒體中，其電路有效面積尺寸為8 mm×6 mm，除去K連接器外形尺寸為12 mm×10 mm×7 mm，如圖13所示。與傳統(tǒng)封裝LNA相比，如國內巨田微波的JTLA系列相比，性能指標相當（如表1所述），而尺寸面積可減小10倍以上，小型化成果顯著。

圖13 放大器實物圖

4 電路調試及測試

LNA微組裝完成后，進行電路調試，校正二維仿真及微組裝過程帶來的差異性。主要手段采用金絲鍵合進行靜態(tài)工作點與匹配網絡的調試，配合設計過程中所預留調試手段（薄膜電阻阻值分階梯設計，匹配網絡調試小島，金絲鍵合長短等），實現狹小空間里的靈活調試，特別是鍵合金絲線L1的根數與長度，對噪聲系數與輸入駐波比有較大影響。發(fā)現在一定范圍內，鍵合金絲L1感值越大（即并排到地的鍵合金絲根數越少，長度越長），噪聲系數越好，而輸入駐波越差。通過調試，在L1為兩根，長度約為2 mm時，得到一個噪聲系數與駐波比相對均衡的結果。

采用噪聲系數分析儀Agilent N8975A對產品進行了測試，噪聲源為346 A，在12 GHz的ENR為4.97 dB。實測結果如圖14所示，從圖中可以看出在12.25～12.75 GHz頻段內噪聲系數小于1.2 dB。

圖14 放大器FN實測曲線

而與圖9相比，實際比仿真惡化0.5 dB，分析原因首先是來自仿真誤差，采用AWR進行了理想電路級仿真，實際器件與理論模型的偏差會引入一定的不確定性；再者測試時K連接器、波珠以及與微帶線的粘接裝配都會引入額外損耗。具體而言，K連接器與波珠噪聲貢獻約為0.2 dB～0.3 dB；第一級放大器噪聲系數約為0.8 dB，其中自偏置電阻R3帶來0.1 dB～0.2 dB的噪聲；第2級放大器噪聲系數約為1.2 dB。

采用矢量網絡分析儀R&S ZVA50對產品進行測試，實測結果如圖15所示，從圖中可以看出，在使用頻段，放大器增益大于22 dB，帶內平坦度優(yōu)于1 dB，駐波比優(yōu)于2∶1。測試以上數據時，低噪聲放大器工作電壓為+8 V，工作電流為40 mA。

圖15 放大器S參數實測曲線

表1為本產品與國內外同類產品的性能比較，可見本產品的性能指標已達到國內先進，但與國外成熟產品還有一定的距離，將是下一步努力的方向與目標。

表1 本產品與國內外同類產品比較

5 結論

基于薄膜制造工藝與微組裝封裝工藝，本文圍繞裸管芯進行AWR電磁仿真優(yōu)化設計，并探究了鍵合金絲的微波特性。通過金絲鍵合匹配調試，最終實現了一款在12.25～12.75 GHz頻段，噪聲系數為1.2 dB，整體電路尺寸僅為12 mm×10 mm×7 mm的低噪聲放大器。通過此類LNA設計的探索，即廣泛使用裸芯片，采用鍵合互聯，并將鍵合金絲用于匹配網絡設計，可大大提高調試靈活度，有力實現器件小型化，同時對衛(wèi)星通信，電子對抗等整機接收設備小型化也有很好的推動與促進作用。

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梁 棟（1986-），男，漢族，山東泰安人，工程師，射頻與微波專業(yè)，工作單位：中電54所，主要研究微波器件與電路及其小型化，dongl-1986@163.com；

江肖力（1964-），研究員級高級工程師，現任中電54所微組裝中心主任，主要從事于衛(wèi)星通信微波技術與微組裝技術設計與研究。

Design of a Compact Ku Band Low Noise Amplifier*

LIANG Dong，LIU Weiwei，HAN Wei，JIANG Xiaoli*
（CECT54，Shijiazhuang 050081，China）

A compact and low noise amplifier（LNA）was designed and fabricated by using the micro-assembly pro?cess.Micro components were widely selected such as dies，chip capacitors and others.Based on a two stage structure，the circuit EMdesign，optimization and analysis were realized in AWR and HFSS.The bonding wire based on microassembly adjustment method was used to achieve a low noise performance.The fabricated LNA was under a working range from 12.25 GHz to 12.75 GHz，with an associated gain of 20 dB and noise figure as low as 1.2 dB.The final product size was only 12 mm×10 mm×7 mm.

LNA；downsized；bonding wire；micro assembly；AWR；HFSS

TP722.3

A

1005-9490（2016）06-1364-05

1220

10.3969/j.issn.1005-9490.2016.06.017

項目來源：國家自然科學基金項目（61404119）

2015-12-04 修改日期：2016-03-25