胡官昊，陳萬軍，施宜軍，周　琦，張　波

（電子科技大學(xué)微電子與固體電子學(xué)院，成都610054）

基于GaN器件Buck電路死區(qū)功耗分析與優(yōu)化

胡官昊，陳萬軍，施宜軍，周琦，張波

（電子科技大學(xué)微電子與固體電子學(xué)院，成都610054）

氮化鎵功率器件以其優(yōu)異的高速、高效特性而有望在電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域取得廣泛應(yīng)用。在Buck開關(guān)電源應(yīng)用中，系統(tǒng)采用GaN HEMT替換傳統(tǒng)Si功率器件后，系統(tǒng)死區(qū)損耗成為阻礙系統(tǒng)效率提升的一個(gè)重要因素。針對(duì)GaN器件的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)死區(qū)功耗展開理論及仿真討論，詳細(xì)分析Si功率器件與GaN HEMT在buck型開關(guān)電源系統(tǒng)中不同的工作機(jī)制以及死區(qū)時(shí)間對(duì)系統(tǒng)功耗的影響。優(yōu)化結(jié)果表明，輸入電壓為12 V、輸出電壓為1.2 V、開關(guān)頻率為700 kHz的GaN基電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，在死區(qū)時(shí)間Td1=20 ns、Td2=0 ns、負(fù)載電流為20 A的情況下系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率可達(dá)到92%。

死區(qū)時(shí)間；氮化鎵器件；同步buck型開關(guān)電源

引言

Buck型開關(guān)電源作為一種被廣泛應(yīng)用于精密儀器、通訊系統(tǒng)中的降壓轉(zhuǎn)換器，不斷朝著更小型化、輕型化，更高轉(zhuǎn)換效率方向發(fā)展。在Si基功率器件因自身材料特性限制很難繼續(xù)推動(dòng)這一發(fā)展的背景下，基于GaN材料的功率轉(zhuǎn)換技術(shù)被迅速發(fā)展起來［1］。然而，GaN器件因?yàn)椴痪哂蠸i器件自身所寄生的體二極管，導(dǎo)致器件的反向?qū)C(jī)理也不同于Si器件。這一特性使得系統(tǒng)死區(qū)時(shí)間對(duì)GaN器件作用不同于Si器件，正確評(píng)估這一影響對(duì)于充分發(fā)揮GaN器件在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域優(yōu)勢具有重要意義。

本文首先簡單介紹了buck型開關(guān)電源及開關(guān)電源中功率器件開關(guān)過程，通過理論分析，得出GaN HEMT相較于Si MOSFET在buck型開關(guān)電源系統(tǒng)應(yīng)用中對(duì)系統(tǒng)死區(qū)時(shí)間改變更為敏感的結(jié)論；然后借助于仿真手段搭建buck型開關(guān)電源電路，對(duì)理論分析結(jié)論進(jìn)行驗(yàn)證，同時(shí)評(píng)估死區(qū)時(shí)間變化對(duì)系統(tǒng)效率的影響；最后通過對(duì)GaN基buck型開關(guān)電源系統(tǒng)的死區(qū)時(shí)間仿真結(jié)果進(jìn)行分析優(yōu)化，獲得最優(yōu)轉(zhuǎn)換效率方案。

1　Buck型開關(guān)電源

Buck變換器是一種輸出電壓低于輸入電壓的直流穩(wěn)壓器，其基本電路拓?fù)湟妶D1。Buck變換器電路中開關(guān)管在開啟和關(guān)斷兩種狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換，通過改變驅(qū)動(dòng)信號(hào)的占空比獲得目標(biāo)輸出電壓［2-4］。

圖1　同步Buck開關(guān)電源拓?fù)銯ig.1 Topology of synchronous buck converter

2　死區(qū)時(shí)間定義

柵極驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)序如圖2所示。理想的柵控制信號(hào)是具有固定周期T、固定占空比D的矩形脈沖，如圖2中實(shí)線部分。點(diǎn)線部分為實(shí)際控制信號(hào)的上升沿和下降沿。正確計(jì)算測量死區(qū)時(shí)間對(duì)優(yōu)化系統(tǒng)效率具有重要意義［5-6］。將死區(qū)時(shí)間分為兩部分：Td1作為M1開啟死區(qū)時(shí)間，代表自同步功率管M2開始關(guān)斷到M1開始開啟時(shí)間區(qū)間；Td2作為M2開啟死區(qū)時(shí)間，代表自主開關(guān)管M1開始關(guān)斷到同步開關(guān)管M2開始開啟時(shí)間區(qū)間。柵信號(hào)在電路中傳輸存在延時(shí)可能導(dǎo)致M1與M2同時(shí)開啟的情況發(fā)生時(shí)，Td1或Td2為負(fù)值。控制器為確保系統(tǒng)具有充足死區(qū)時(shí)間裕度，在2個(gè)控制信號(hào)之間插入一段延遲時(shí)間，保障系統(tǒng)安全高效。

圖2　柵極驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)序Fig.2 Timing sequence of gate driver voltages

3　功率管開關(guān)過程分析

從器件開關(guān)過程分析死區(qū)時(shí)間作用機(jī)理，探究Si MOSFET與GaN HEMT器件在應(yīng)用中的差別。圖3所示為考慮器件自身寄生電容、寄生電阻在內(nèi)的單個(gè)周期內(nèi)系統(tǒng)電流變化瞬態(tài)。為了簡化分析，圖中功率管模型均通過反向并聯(lián)二極管來說明器件的反向?qū)ㄌ匦浴?/p>

圖3（a）為圖2 t0時(shí)刻電路瞬態(tài)電流路徑，此時(shí)M1處于完全關(guān)斷狀態(tài)，M2處于完全開啟狀態(tài)。從t0開始，Vg2開始減小，M2開始關(guān)斷，此時(shí)M2的輸入電容Ciss（Cgs+Cgd）開始通過柵電阻Rg釋放存儲(chǔ)電荷。而M2漏源兩端電壓Vds隨著M2的輸出電容被充電不斷下降，直至達(dá)到GaN器件反向?qū)ㄩ撝惦妷篤th，器件開始反向?qū)?，并隨著Vg2的減小，反向?qū)窂搅鬟^的電流開始不斷增加。

圖3（b）為M2完全關(guān)斷t1時(shí)刻系統(tǒng)電流路徑，此時(shí)電流完全流過反向?qū)窂?，Si基MOSFET由于自身寄生的體二極管導(dǎo)通，壓降約為0.7 V；GaN器件反向?qū)娏?0 A時(shí)，壓降為2.2 V。從t1時(shí)刻至M1開啟前的時(shí)間段為Td1，Td1越高，GaN反向?qū)ǖ南到y(tǒng)功率損耗較Si基MOSFET越嚴(yán)重。

圖3　單周期內(nèi)不同瞬態(tài)電流路徑Fig.3 Transient current paths in different phases of single switching cycle

圖3（c）中，M1柵電壓Vg1從t2時(shí)刻開始增大，對(duì)Ciss充電，同時(shí)Vds1開始減小，M1輸出電容Coss對(duì)外放電。開關(guān)節(jié)點(diǎn)處電位Vs不斷升高，直至M2反向?qū)ㄍＶ梗藭r(shí)系統(tǒng)電流路徑如圖3（d）所示，M1溝道開啟，同時(shí)Coss開始充電。直至系統(tǒng)電流完全流經(jīng)M1溝道，圖3（e）所示。

圖3（f）為t3時(shí)刻后，M1的柵電壓開始降低，M1的輸入電容Ciss開始經(jīng)Rg放電，同時(shí) Coss開始充電，此時(shí)Vs開始降低，Coss放電。隨著以上過程持續(xù)，Vs不斷降低至使M2反向?qū)ǎ罱KM1在t4時(shí)刻完全關(guān)斷，此時(shí)電流完全流過M2的反向?qū)窂?，如圖3（g）所示。在t4至t5之間的時(shí)間段為Td2，Td2過大將使得GaN系統(tǒng)功耗遠(yuǎn)高于Si系統(tǒng)。在t5時(shí)刻M2柵電壓開始增加，電流路徑如圖3（h）所示，M2開始導(dǎo)通，這一過程直至M2完全導(dǎo)通，電流路徑完全流經(jīng)M2溝道，如圖3（i）所示。

經(jīng)過對(duì)器件開關(guān)過程分析發(fā)現(xiàn)，控制器為Si MOSFET系統(tǒng)引入的足量死區(qū)時(shí)間對(duì)GaN器件不能發(fā)揮其更優(yōu)異的器件特性。死區(qū)時(shí)間過長則死區(qū)器件反向?qū)〒p耗大幅增加，過短則會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)功耗大幅增加。由于GaN HEMT器件較Si基MOSFET器件更為優(yōu)異的R*Q優(yōu)值［7］，使得GaN HEMT器件在開關(guān)電源工作中具有更快的開啟速度以及更低的導(dǎo)通電阻，從而具備更小的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。然而這一優(yōu)異特性在過短的死區(qū)時(shí)間系統(tǒng)中將產(chǎn)生不良影響，因?yàn)樵谳^短死區(qū)時(shí)間系統(tǒng)中，更快的開啟速度使得器件開啟過程可能發(fā)生在另一器件完全關(guān)斷之前，從而發(fā)生嚴(yán)重的穿通現(xiàn)象；GaN器件較低的導(dǎo)通電阻使得器件在這一短暫的穿通過程中流過較大電流，從而產(chǎn)生嚴(yán)重的穿通損耗，這對(duì)高效轉(zhuǎn)換系統(tǒng)顯然是不可接受的。

綜上所述，GaN開關(guān)電源系統(tǒng)對(duì)于死區(qū)時(shí)間的設(shè)置要求較Si基MOSFET更為嚴(yán)格，理論而言相同死區(qū)時(shí)間對(duì)GaN開關(guān)電源引起的無用功耗相較Si基開關(guān)電源要高出許多，因此，準(zhǔn)確評(píng)估這一過程對(duì)于優(yōu)化系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率具有重要的意義。

圖4　死區(qū)時(shí)間產(chǎn)生電路Fig.4 Dead-time generating circuit

4　仿真設(shè)置

在針對(duì)GaN基開關(guān)電源系統(tǒng)的死區(qū)時(shí)間相關(guān)功耗評(píng)估優(yōu)化的同時(shí)，為了對(duì)比分析死區(qū)時(shí)間對(duì)GaN器件系統(tǒng)和Si系統(tǒng)的不同影響，本文采用相同的電路結(jié)構(gòu)對(duì)兩種器件進(jìn)行了仿真分析。本文所采用的器件模型分別為：Renesas公司所提供的RJ K0301DPB的Si MOSFET模型［8］，EPC公司提供的型號(hào)為EPC2023的GaN功率器件模型［9］，TI公司提供的LM5113驅(qū)動(dòng)模型［10］，凌力爾特公司的控制器LTC3833仿真模型［11］，以及相應(yīng)無源器件模型搭建電路進(jìn)行仿真。2種功率器件均為30 V、60 A增強(qiáng)型器件，由于GaN器件材料優(yōu)勢，GaN器件特征導(dǎo)通電阻Ron為1 mΩ，不到RJK0301DPB的導(dǎo)通電阻2.3 mΩ的一半，EPC2023器件的特征柵電容為20 nC，小于RJK0301DPB的 32 nC，從而EPC 2023應(yīng)具有較RJK0301DPB更小的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗［8-9］。轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的參數(shù)為：12～1.2 V，輸出電流20 A，系統(tǒng)頻率700 kHz。為了驗(yàn)證實(shí)際工程應(yīng)用中控制器內(nèi)部提供死區(qū)時(shí)間對(duì)系統(tǒng)功耗的影響，仿真并未采用EPC公司提供的電路設(shè)計(jì)方案［12］，即通過反向器將Vg1信號(hào)轉(zhuǎn)化產(chǎn)生Vg2，這一設(shè)計(jì)在增加系統(tǒng)復(fù)雜度的同時(shí)也增加了系統(tǒng)功耗及成本。

死區(qū)延時(shí)產(chǎn)生電路原理如圖4所示，控制器所產(chǎn)生的控制信號(hào)經(jīng)過如圖3所示的死區(qū)延遲時(shí)間產(chǎn)生電路。圖中虛線框內(nèi)為Td1引入延時(shí)產(chǎn)生電路，點(diǎn)短線框內(nèi)為Td2引入延時(shí)產(chǎn)生電路。這種RCD電路的工作原理為：在柵信號(hào)的上升過程中，柵信號(hào)通過可變電阻給電容充電，這個(gè)充電過程將對(duì)驅(qū)動(dòng)器接收的信號(hào)引入一個(gè)延時(shí)，從而在器件開啟之前引入一個(gè)死區(qū)時(shí)間。而在柵信號(hào)下降過程中，電容存儲(chǔ)電荷通過二極管直接釋放，不會(huì)對(duì)柵信號(hào)下降造成延時(shí)。通過調(diào)節(jié)電阻大小可以向柵信號(hào)中插入適合的Td1和Td2延時(shí)使系統(tǒng)性能達(dá)到最優(yōu)。本次仿真針對(duì)Td1和Td2引入延時(shí)對(duì)系統(tǒng)的影響，分別固定其中一個(gè)變量進(jìn)而對(duì)另一變量進(jìn)行優(yōu)化分析，獲得最優(yōu)死區(qū)時(shí)間。為了滿足驅(qū)動(dòng)器速度與被驅(qū)動(dòng)的器件速度匹配，在低阻抗的柵極驅(qū)動(dòng)器與被驅(qū)動(dòng)器件之間連接一個(gè)1 Ω的外部電阻。

圖5　各系統(tǒng)器件總功耗隨死區(qū)時(shí)間變化關(guān)系對(duì)比Fig.5 Power loss on GaN vs.Si devices as a variation of dead-time

5　仿真結(jié)果及分析

5.1死區(qū)時(shí)間對(duì)兩種系統(tǒng)功耗影響

死區(qū)時(shí)間對(duì)M1和M2功率管總功耗影響關(guān)系如圖5所示，其中圖5（a）為功率管功耗與Td1引入延時(shí)關(guān)系，圖5（b）為功率管功耗與Td2引入延時(shí)關(guān)系。從圖中可以看出如下結(jié)論：①在Buck型開關(guān)電源中引入GaN HEMT替代Si MOSFET可以顯著降低系統(tǒng)無用功耗，提升系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率，由此可預(yù)見在更適合GaN器件應(yīng)用的高頻開關(guān)電源系統(tǒng)中，GaN系統(tǒng)的優(yōu)勢將更加明顯；②在相同系統(tǒng)狀態(tài)情況下，GaN HEMT相較于Si MOSFET對(duì)系統(tǒng)死區(qū)時(shí)間更為敏感，在引入過長死區(qū)時(shí)間后，器件損耗顯著增加，使得GaN HEMT總功耗顯著增大甚至超過Si MOSFET，抵消由引入GaN器件為系統(tǒng)帶來的能耗降低；③從圖中最優(yōu)效率點(diǎn)的位置可以看出，GaN系統(tǒng)需要更為精準(zhǔn)的死區(qū)時(shí)間調(diào)整電路輔助以達(dá)到最優(yōu)的轉(zhuǎn)換效率；④基于當(dāng)前大多控制器針對(duì)Si基功率管設(shè)計(jì)這一事實(shí)，控制器在上下管同步信號(hào)中插入在死區(qū)時(shí)間對(duì)Si功率管損耗影響不大，且充分防止穿通情況發(fā)生，而這一過長的死區(qū)時(shí)間不僅會(huì)導(dǎo)致GaN系統(tǒng)功耗顯著增大，在更高頻情況下甚至?xí)瓜到y(tǒng)失去轉(zhuǎn)換功能。

5.2死區(qū)時(shí)間對(duì)GaN系統(tǒng)上下管影響

為Td1和Td2引入的時(shí)間延遲對(duì)GaN系統(tǒng)上下兩管功耗的影響仿真結(jié)果如圖6所示，從圖6中可以看出：

（1）Td1引入延遲后降低了同步整流管 M2損耗。圖6（a）可以分為2個(gè)階段，第1階段為圖中0～15 ns范圍，由于Td1延遲的引入，使得Td2減小，M2反向?qū)〞r(shí)間減少，從而使M2功耗降低，系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率提升。而在這個(gè)階段Td1引入延遲并未對(duì)M1功耗產(chǎn)生影響。第2階段為圖中15～35 ns區(qū)域，由于Td1引入延遲時(shí)間持續(xù)增大，使得Td2不斷減小，在M1并未完全關(guān)斷前，M2開始微弱導(dǎo)通，產(chǎn)生穿通損耗，在這個(gè)階段M1與M2功耗開始不斷增大，隨著Td2減小為負(fù)值，穿通現(xiàn)象加重，M1與M2功耗開始大幅度增加。而這一階段發(fā)生在M1關(guān)斷、M2開啟并逐漸由儲(chǔ)能元件對(duì)外供電過程中，M2源漏兩端電壓為（Vin-Vo），遠(yuǎn)大于M1，因此在這個(gè)過程中M2功耗顯著高于M1。

（2）從圖6（b）可以看出，Td2引入延時(shí)后，M2反向?qū)〞r(shí)間增大，由于GaN器件方向?qū)▔航递^高為2.2 V左右，系統(tǒng)負(fù)載電流為20 A的情況下，M2反向?qū)〞r(shí)間增大意味著無用功耗更高，導(dǎo)致系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率開始下降。不同于圖6（a）中情況，為防止器件穿通，控制器在輸出上端功率管控制信號(hào)時(shí)加入一段死區(qū)時(shí)間，使得Td1并未快速降低至0。因此，圖6（b）中曲線出現(xiàn)一個(gè)平緩區(qū)域，但是由于過長的Td2延遲引入，使得Td1變?yōu)樨?fù)值，發(fā)生穿通現(xiàn)象，此時(shí)等效于將12 V輸入電源短接，遠(yuǎn)大于圖6（a）情況，因此功耗遠(yuǎn)高于圖6（a）。以上過程發(fā)生在M2關(guān)斷、M1開啟并逐漸由電源對(duì)負(fù)載供電過程中，M1源漏兩端電壓為（Vin-Vs），遠(yuǎn)大于M2源漏兩端電壓，因此在這個(gè)過程中M1功耗顯著高于M2。

5.3最優(yōu)死區(qū)時(shí)間

通過對(duì)Td1與Td2死區(qū)時(shí)間調(diào)節(jié)，分別獲得了最優(yōu)死區(qū)時(shí)間Td1和Td2。理論分析及仿真驗(yàn)證表明，Td2引入延遲為0時(shí)系統(tǒng)功耗最低。同時(shí)對(duì)圖6（a）中最優(yōu)效率點(diǎn)附近Td1引入延遲進(jìn)行更詳細(xì)的數(shù)據(jù)仿真，最終獲得最優(yōu)死區(qū)時(shí)間Td1=20 ns，Td2=0 ns，系統(tǒng)最優(yōu)轉(zhuǎn)換效率為92%。

圖6　氮化鎵系統(tǒng)效率及器件功耗與死區(qū)時(shí)間變化關(guān)系Fig.6 GaN system efficiency and Relationship of power loss and different dead-time

6　結(jié)語

本文通過對(duì)實(shí)際工程應(yīng)用案例的引入，詳細(xì)介紹了系統(tǒng)死區(qū)時(shí)間對(duì)功率器件開關(guān)過程的影響。結(jié)合GaN HEMT的開關(guān)機(jī)制，理論分析了這一極具應(yīng)用前景的Si基器件替代品與Si基器件在開關(guān)電源應(yīng)用中對(duì)系統(tǒng)的不同要求，引出未來GaN開關(guān)電源系統(tǒng)應(yīng)具備更精確的死區(qū)時(shí)間控制這一結(jié)論，并借助于仿真軟件對(duì)以上理論分析結(jié)果進(jìn)行驗(yàn)證并優(yōu)化，最終獲得了在開關(guān)頻率700 kHz、輸出電流20 A工作條件下，完成12～1.2 V轉(zhuǎn)換功能并具有92%轉(zhuǎn)換效率的GaN基Buck型開關(guān)電源設(shè)計(jì)方案。從仿真結(jié)果中發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有控制器內(nèi)部死區(qū)時(shí)間設(shè)置對(duì)于新型GaN開關(guān)電源高效應(yīng)用具有一定的負(fù)面作用，提高死區(qū)時(shí)間控制精度才能充分發(fā)揮GaN器件應(yīng)用于開關(guān)電源中的優(yōu)勢，這也將成為未來GaN開關(guān)電源系統(tǒng)研究的一個(gè)目標(biāo)。

［1］Reusch D，Strydom J，Lidow A.Highly efficient gallium nitride transistors designed for high power density and high output current DC-DC converters［C］.Electronics and Application Conference and Exposition（PEAC），2014 International.IEEE，2014：456-461.

［2］Pressman A，Billings K，Morey T.開關(guān)電源設(shè)計(jì)［M］. 第3版.北京：電子工業(yè)出版社，2010.

［3］Rogers E.Understanding buck power stages in switch mode power supplies［J/OL］.Texas：Texas Instruments. （1999-03）［2016-05］.http：//www.ti.com/lit/an/slva057/slva057.pdf.

［4］Maniktala S.精通開關(guān)電源設(shè)計(jì)［M］.第2版.北京：人民郵電出版社，2014.

［5］Zhang Xi.How to calculate and minimize the dead time requirement for IGBTs proper-ly［J/OL］.Munich：Infineon Technologies.（2008-05）［2016-05］.http：//www.infineon.com/dgdl/Infin-eon-AN2007_04_Deadtime_calculation_for_IGBT_modules-AN-v1.0-en.pdf.

［6］馬煥，王康平，楊旭.GaN器件的LLC諧振變換器的優(yōu)化設(shè)計(jì)［J］.電源學(xué)報(bào)，2015，13（1）：21-27. Ma Huan，Wang Kangping，Yang Xu.Optimal design of GaN-based LLC resonant converter［J］.Journal of Power Supply，2015，13（1）：21-27（in Chinese）.

［7］Baliga B J.Power semiconductor device figure of meritfor high-frequency applications［J］.Electron Device Letters，IEEE，1989，10（10）：455-457.

［8］Renesaselectronics.RJK0301DPBdata-sheet［OL］. （2015-01）［2016-05］.https：//www.renesas.com/zh-cn/doc/ products/transistor/003/r07ds1244ej0901_rjk0301dpb.pdf.

［9］Efficient Power Conversion Corporaton.EPC2023 datasheet［OL］.（2015-12）［2016-05］.http：//epc-co.com/epc/Portals/0/epc/documents/datasheets/EPC2023_preliminary.pdf.

［10］Instruments T.LM5113 datasheet［OL］.（2016-01）［2016-05］.http：www.ti.com/product/lm5113.

［11］Linear Technology.LTC3833 datasheet［OL］.（2010-11）［2016-05］.http：//cds.linear.com/docs/en/datasheet/3833f.pdf.

［12］Efficient Power Conversion.EPC9101 Quick Start Guide ［OL］.（2013）［2016-05］.http：//epc-co.com/epc/Portals/0/epc/ documents/guides/EPC9101_qsg.pdf.

Analysis of Dead-time Related Loss on GaN-based Synchronous Buck Converter

HU Guanhao，CHEN Wanjun，SHI Yijun，ZHOU Qi，ZHANG Bo
（School of Microelectronics and Solid-State Electronics，University of Electronic Science and Technology of China，Chengdu 610054，China）

GaN-based power device is expected to be widely used in power converter system，owing to its superior characteristics of high-speed and high-efficiency，it is important that the dead-time related loss of GaN-based HEMT devices have negative impact on improving system efficiency in application of buck converter.In order to accurately assess the influence of the dead-time related loss on converter efficiency，analytical model combined with simulation results for dead-time related loss of GaN-based devices upon power converter system has been discussed and optimized in this letter.The different operating principle of buck converter system is discussed in Si-MOSFET and GaN HEMT and the mechanism of dead-time related loss is analyzed，respectively.for a converter of input voltage 12 V to output voltage 1.2 V，load current 20 A operating at a switching frequency of 700 kHz，the optimal efficiency is 92%under the conditions of Td1is 20 ns，Td2is 0 ns.

dead-time；GaN transistor；synchronous buck converter

胡官昊

10.13234/j.issn.2095-2805.2016.4.90

TN 86

A

2016-05-05 基金項(xiàng)目：國家科技重大專項(xiàng)資助項(xiàng)目（2013ZX02308005）；國家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目（61274090） Project Supported by the National Science and Technology Major Project（2013ZX02308005）；the National Natural Science Foundation of Chi-na（61274090）

胡官昊（1990-），男，碩士研究生，研究方向：功率集成電路，E-mail：hy061015 @163.com。

陳萬軍（1978-），男，通信作者，教授，博士生導(dǎo)師，研究方向：功率半導(dǎo)體器件、寬禁帶功率半導(dǎo)體、功率集成電路，E-mail：wjchen@uestc.edu.cn。

施宜軍（1990-），男，博士研究生，研究方向：新型半導(dǎo)體材料與功率器件，E-mail：syj20094870@sina.com。

周琦（1981-），男，副教授，研究方向：氮化鎵功率器件新型結(jié)構(gòu)及制備技術(shù)，E-mail：zhouqi@uestc.edu.cn。

張波（1964-），男，教授，博士生導(dǎo)師，研究方向：新型功率半導(dǎo)體器件與功率集成，E-mail：zhangbo@uestc.edu.cn。