申請(qǐng)公布號(hào)：CN105789109A

申請(qǐng)公布日：2016.07.20

申請(qǐng)人：英飛凌科技股份有限公司

地址：德國(guó)諾伊比貝爾格

發(fā)明人：H-J·舒爾策；I·莫德；I·穆里

Int. Cl.：H01L21/762（2006.01）I；H01L21/335（2006.01）I；H01L21/331（2006.01）I；H01L29/78（2006.01）I；

H01L29/739（2006.01）I

優(yōu)先權(quán)：14/594，838 2015.01.12 US

摘 要：該發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置的制造方法。根據(jù)半導(dǎo)體裝置的制造方法，從第一側(cè)將第一溝槽形成到半導(dǎo)體本體中。通過(guò)將半導(dǎo)體本體浸入電解液中并且在半導(dǎo)體本體與接觸電解液的電極之間施加陽(yáng)極氧化電壓而在第一溝槽的底側(cè)形成陽(yáng)極氧化物結(jié)構(gòu)。