分布式內(nèi)沖液對(duì)多孔質(zhì)電極電火花加工性能的影響

蔣毅1孔令蕾1李其1平雪良1趙萬(wàn)生2

1.江南大學(xué)江蘇省食品先進(jìn)制造裝備技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,無(wú)錫,214122

2.上海交通大學(xué),上海,200240

摘要：對(duì)分布式內(nèi)沖液條件下的多孔質(zhì)電極電火花加工性能進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，采用分布式內(nèi)沖液方法能夠達(dá)到充分降低極間蝕除產(chǎn)物濃度的目的，不僅可代替抬刀和平動(dòng)方法,而且可采用較小的脈沖間隙以較大的占空比進(jìn)行加工，獲得較高的加工效率；對(duì)沖液流量影響的研究發(fā)現(xiàn)，隨著沖液流量的增大,在沖液降低極間蝕除產(chǎn)物濃度和沖液干擾等離子體放電通道的雙重作用下，加工材料去除率曲線變化呈現(xiàn)雙峰值特征。通過(guò)獲取極間電壓和分析長(zhǎng)連續(xù)開(kāi)路時(shí)間對(duì)加工總時(shí)間的占比可知,沖液流量在增大過(guò)程中，首先使極間蝕除產(chǎn)物濃度降低至理想水平,再使等離子體通道擾動(dòng)達(dá)到理想水平。

關(guān)鍵詞:電火花加工;多孔質(zhì)電極;內(nèi)沖液;等離子體通道

中圖分類號(hào)：TG661

收稿日期：2015-01-14

基金項(xiàng)目：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(51205169)

作者簡(jiǎn)介：蔣毅，男，1981年生。江南大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院講師、博士。主要研究方向?yàn)殡娀鸹庸?。發(fā)表論文15篇?？琢罾?，男，1987年生。江南大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院碩士研究生。李其，男，1992年生。江南大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院碩士研究生。平雪良，男，1962年生。江南大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院教授。趙萬(wàn)生，男，1957年生。上海交通大學(xué)機(jī)械與動(dòng)力工程學(xué)院教授。

Influences of Distributed Inner-flushing on Performance of Porous-electrode EDM

Jiang Yi1Kong Linglei1Li Qi1Ping Xueliang1Zhao Wansheng2

1.Jiangsu Province Key Laboratory of Advanced Food Manufacturing Equipment

and Technology,Jiangnan University,Wuxi,Jiangsu,214122

2.Shanghai Jiao Tong University,Shanghai,200240

Abstract:The influences of distributed inner-flushing on performance of porous-electrode EDM were studied by a series of experiments.Experimental results show that the concentration of debris within discharge gap is able to be reduced adequately by using distributed inner-flushing,such that the tool lifting and orbiting are able to be substituted.Furthermore,a tiny pulse interval can be applied and a high material removal rate(MRR) is able to be achieved due to the high duty cycle.Experimental results also show that as the flushing flux increases,the MRR curve demonstrates a two peak-value characteristics,as a result of the dual roles of flushing on both debris evacuation and plasma channel disturbance.By means of acquiring gap voltage and analyzing the proportion of long-term open-circuit period to the whole machining time,it is proved that,as the flux increases,the debris concentration is reduced to a ideal level firstly, and then a ideal level of plasma channel disturbance is achieved.

Key words:electrical discharge machining(EDM);porous electrode;inner-flushing;plasma channel

0引言

在電火花加工過(guò)程中,維持良好的極間狀態(tài)是實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定加工的關(guān)鍵，其主要目標(biāo)是將極間蝕除產(chǎn)物濃度控制于合理范圍內(nèi)。極間蝕除產(chǎn)物濃度過(guò)高會(huì)導(dǎo)致拉弧、二次放電等不利后果，過(guò)低則會(huì)降低擊穿放電脈沖的占比,同樣影響到加工效率。在普通電火花成形加工中較容易出現(xiàn)的是蝕除產(chǎn)物濃度過(guò)高的情況。

改善極間狀態(tài)的方法一般包括增大脈沖間隙、施加抬刀和施加沖液三種。前兩種方法均減少了單位時(shí)間內(nèi)的放電時(shí)間或放電次數(shù)，是以犧牲部分時(shí)間的方式換取整體的高加工效率，而沖液方法不會(huì)在本質(zhì)上對(duì)放電次數(shù)產(chǎn)生影響。此外，采用平動(dòng)方法也可起到改善極間狀態(tài)[1]、提高材料去除率的作用，但其應(yīng)用場(chǎng)合通常受到一定限制。由于電火花加工極間間隙狹窄，通常使用的液槽內(nèi)工作液自然流動(dòng)或外部沖液難以有效降低蝕除產(chǎn)物濃度，這在深孔、半封閉型腔加工中更為明顯。因此,外部沖液一般只能起到輔助作用，而仍需采用抬刀或內(nèi)沖液等手段[2]。

趙萬(wàn)生等[3]提出的集束電極法將大量管狀或棒狀單元電極捆綁后，可快速制備出具有復(fù)雜端面形狀的集束電極。由于管狀電極自然形成了分布式的流道，故可在加工過(guò)程中施加分布式的多孔內(nèi)沖液，利用沖液對(duì)蝕除產(chǎn)物的強(qiáng)制排出作用和流體動(dòng)力斷弧機(jī)制[4]進(jìn)行大電流、大脈寬加工,從而大幅提高電火花成形粗加工過(guò)程的加工效率。

多孔質(zhì)電極電火花加工是采用多孔材料作為工具電極，并在電火花粗加工過(guò)程中施加內(nèi)沖液，以實(shí)現(xiàn)材料快速去除的一種電火花加工方法[5]。多孔質(zhì)電極由粒徑較大的紫銅顆粒經(jīng)高溫?zé)Y(jié)而成，可利用顆粒間孔隙形成的流道在放電加工過(guò)程中實(shí)現(xiàn)分布式的、三維全向的內(nèi)沖液，有利于發(fā)揮與集束電極相似的優(yōu)勢(shì)，大幅提高加工效率。

施加沖液是多孔質(zhì)電極與實(shí)體電極之間最大的區(qū)別，因此，本文通過(guò)實(shí)驗(yàn)研究了沖液對(duì)多孔質(zhì)電極電火花加工的影響，并與實(shí)體電極進(jìn)行了對(duì)比分析。

1實(shí)驗(yàn)裝置與實(shí)驗(yàn)參數(shù)

實(shí)驗(yàn)所用的多孔質(zhì)電極是將直徑為3mm的紫銅顆粒置于石墨模具中，經(jīng)過(guò)真空燒結(jié)而獲得的直徑為30mm的圓柱形電極，如圖1所示。在燒結(jié)溫度為1078℃,保溫120min時(shí)，紫銅顆粒間可生成粗壯的燒結(jié)頸將顆粒緊密連接。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示，多孔質(zhì)電極在加工過(guò)程中發(fā)生較大損耗后仍不會(huì)發(fā)生顆粒脫落；同時(shí)，顆粒之間能保持通暢的流道，能夠滿足分布式?jīng)_液的要求。

圖1　多孔質(zhì)電極及加工前后的電極損耗

電火花加工實(shí)驗(yàn)在Agie-Charmille SC110數(shù)控電火花成形機(jī)上進(jìn)行,電極夾持裝置和沖液情況分別如圖2、圖3所示。

圖2　電極夾具

圖3　多孔質(zhì)電極沖液情況

工件材料為45鋼,加工深度為6mm,采用負(fù)極性加工(工件接負(fù))。實(shí)驗(yàn)過(guò)程中采用的其他加工參數(shù)見(jiàn)表1。

在多孔質(zhì)電極的燒結(jié)過(guò)程中，紫銅顆粒在模具內(nèi)是隨機(jī)排列的，因此，最終在電極內(nèi)部形成了隨機(jī)排布的流道，并在電極表面形成了隨機(jī)的分布式的沖液出口。利用這些分布式的沖液出口，可實(shí)現(xiàn)多孔分布式內(nèi)沖液。前期極間流場(chǎng)仿真結(jié)果表明，在較大的沖液流量下，極間流動(dòng)類型為湍流，極間蝕除產(chǎn)物可被快速排出加工區(qū)域，而不易形成穩(wěn)定的漩渦和極間蝕除產(chǎn)物的局部聚集。

表1　電火花加工實(shí)驗(yàn)參數(shù)

2分布式內(nèi)沖液對(duì)極間狀態(tài)的改善作用

采用不同的加工方式，如采用抬刀、平動(dòng)、內(nèi)沖液或增大脈沖間隙，均能起到改善極間狀態(tài)作用。但這些方式能在多大程度上提高加工效率，特別是當(dāng)多孔質(zhì)電極所施加的分布式內(nèi)沖液與其他加工方式配合使用時(shí)，各加工方式間如何相互作用，是需要研究的問(wèn)題。

首先進(jìn)行分布式內(nèi)沖液加工方式與抬刀方式、平動(dòng)方式的交互實(shí)驗(yàn)。實(shí)驗(yàn)分為兩組：第一組在工件上表面進(jìn)行，在分布式內(nèi)沖液條件下，分別進(jìn)行不抬刀不平動(dòng)、抬刀而不平動(dòng)、平動(dòng)而不抬刀加工；第二組在深孔中進(jìn)行，工件深孔的初始深度為25mm,內(nèi)直徑為30.8mm,比電極外直徑大0.8mm,亦即電極與深孔側(cè)面有0.4mm的徑向間隙，該組實(shí)驗(yàn)不進(jìn)行平動(dòng)。多孔質(zhì)電極底面的沖液流量均為155L/h，峰值電流為64A,脈沖寬度和脈沖間隙分別為560μs和100μs。實(shí)驗(yàn)結(jié)果如圖4所示。

圖4　不同加工方式對(duì)材料去除率的影響

實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,無(wú)論在工件上表面還是在深孔中加工,都是采用施加了分布式內(nèi)沖液的不抬刀不平動(dòng)加工方式的材料去除率最高。雖然抬刀一般有改善極間狀態(tài)從而提高材料去除率的作用,但由于分布式內(nèi)沖液能將極間蝕除產(chǎn)物濃度降低至較小程度，使得抬刀對(duì)極間狀態(tài)的改善作用不明顯,反而由于抬刀時(shí)間的損失，降低了材料去除率。同時(shí)，采用分布式內(nèi)沖液加工方式后，其材料去除率也高于平動(dòng)加工方式。

以上實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,多孔質(zhì)電極采用分布式內(nèi)沖液加工方式能夠達(dá)到充分降低極間蝕除產(chǎn)物濃度的目的，而不再需要額外施加抬刀，亦即施加分布式內(nèi)沖液能夠代替施加抬刀，并由于省去了抬刀時(shí)間而使加工效率有所提高。同時(shí)，施加分布式內(nèi)沖液也能夠代替施加平動(dòng),即使在不適合進(jìn)行平動(dòng)加工的場(chǎng)合,采用施加了分布式內(nèi)沖液的多孔質(zhì)電極電火花加工也能獲得較高的加工效率。

除了抬刀和平動(dòng)兩種改善極間狀態(tài)的加工方式外,通過(guò)增大脈沖間隙的方式也能夠使極間狀態(tài)得以恢復(fù),并促進(jìn)放電點(diǎn)轉(zhuǎn)移,保持加工過(guò)程穩(wěn)定。為此,通過(guò)改變脈沖間隙,對(duì)分布式內(nèi)沖液條件下多孔質(zhì)電極和實(shí)體電極的電火花加工性能進(jìn)行了對(duì)比。實(shí)驗(yàn)脈沖寬度為320μs,峰值電流為64A,多孔質(zhì)電極底面的沖液流量為1050L/h,采用不抬刀方式加工,實(shí)驗(yàn)結(jié)果如圖5所示。

如圖5a所示,對(duì)于實(shí)體電極,隨著脈沖間隙的變化,其材料去除率變化不大。雖然增大脈沖間隙有改善極間狀態(tài)的作用,但同時(shí)也減小了脈沖占空比，因此增大或減小脈沖間隙會(huì)對(duì)加工效率產(chǎn)生正反兩方面的作用,導(dǎo)致實(shí)驗(yàn)結(jié)果中實(shí)體電極材料去除率對(duì)脈沖間隙的變化不敏感。

(a)材料去除率-脈沖間隙曲線

(b)工具電極相對(duì)損耗率-脈沖間隙曲線 圖5　分布式內(nèi)沖液條件下脈沖間隙對(duì)加工性能的影響

施加了分布式內(nèi)沖液的多孔質(zhì)電極則表現(xiàn)出不同的特征，隨著脈沖間隙從100μs減小至機(jī)床可提供的最小脈沖間隙7.5μs，材料去除率呈明顯的增大趨勢(shì)，且脈沖間隙的減小在提高脈沖占空比的同時(shí)，其所帶來(lái)的極間狀態(tài)惡化并不明顯。例如，當(dāng)脈沖間隙為18μs和32μs時(shí),其占空比和材料去除率分別為η18、η32和r18、r32,則有

即隨著占空比增大,其材料去除率的提高比例甚至略高于占空比的提高比例，表明減小脈沖間隙并沒(méi)有對(duì)放電穩(wěn)定性造成大的影響。

以上實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，多孔質(zhì)電極通過(guò)采用分布式的內(nèi)沖液,能夠大大降低極間蝕除產(chǎn)物的濃度,不僅可代替抬刀和平動(dòng)手段，而且可采用較小的脈沖間隙進(jìn)行加工，以較大的占空比獲得較高的加工效率。

如圖5a所示,當(dāng)脈沖間隙較大時(shí),多孔質(zhì)電極的材料去除率小于實(shí)體電極的材料去除率。這是因?yàn)榇藭r(shí)極間狀態(tài)已可在脈沖間隙時(shí)段內(nèi)得到充分恢復(fù),且由于在工件上表面進(jìn)行加工，液槽內(nèi)的工作液自然流動(dòng)已可起到改善極間狀態(tài)的作用,故多孔質(zhì)電極雖然采用沖液，但沖液的優(yōu)勢(shì)無(wú)法得到充分發(fā)揮，反而因多孔質(zhì)電極底面不平整，粗糙度較大，易產(chǎn)生大量側(cè)向放電而影響其加工效率。如圖5b所示，多孔質(zhì)電極的相對(duì)損耗率高于實(shí)體電極的相對(duì)損耗率，這是因?yàn)槎嗫踪|(zhì)電極采用沖液方式加工，對(duì)炭黑保護(hù)膜的形成有干擾作用，這一結(jié)果與采用集束電極加工是一致的[1]。

3沖液流量對(duì)電火花加工性能的影響

分布式內(nèi)沖液的流量是影響沖液效果最直接的因素,并進(jìn)而影響到加工性能。當(dāng)脈沖寬度為320μs、脈沖間隙為7.5μs、峰值電流分別為64A和50A時(shí),多孔質(zhì)電極電火花加工的材料去除率隨電極底面沖液流量的變化趨勢(shì)如圖6所示。

圖6　電極底面沖液流量對(duì)材料去除率的影響

由圖6可見(jiàn)，隨著沖液流量的增大，在不同的電流下，材料去除率曲線均呈現(xiàn)兩個(gè)峰值，64A時(shí)的峰值分別出現(xiàn)在730L/h和1100L/h,50A時(shí)的峰值位于620L/h和950L/h。這一實(shí)驗(yàn)結(jié)果與文獻(xiàn)[6]得到的單一峰值，即材料去除率隨沖液流量增大而先上升后下降的結(jié)果存在差異。

一般認(rèn)為，通過(guò)沖液，將極間蝕除產(chǎn)物濃度降低至某一理想值時(shí)，材料去除率會(huì)相應(yīng)上升；但繼續(xù)增大沖液流量,極間蝕除產(chǎn)物濃度過(guò)低，又會(huì)導(dǎo)致極間介質(zhì)不易擊穿，開(kāi)路率上升，反而使得材料去除率下降。但遵循這一思路，材料去除率僅會(huì)出現(xiàn)一個(gè)峰值，而無(wú)法解釋圖6所示的雙峰值特征。

實(shí)際上,沖液不僅有強(qiáng)制排出極間蝕除產(chǎn)物的作用，也會(huì)對(duì)等離子體放電通道產(chǎn)生影響。當(dāng)沖液足夠強(qiáng)時(shí)，等離子體放電通道將在流體動(dòng)力作用下發(fā)生較大的擾動(dòng)，產(chǎn)生彎曲、拉伸形變，甚至被切斷。反映在極間波形上，可明顯見(jiàn)到放電過(guò)程中電壓和電流的畸變[7]。當(dāng)?shù)入x子體通道受到的擾動(dòng)較小時(shí)，原先作用于工件上某一位置的放電點(diǎn)會(huì)發(fā)生一定程度的偏移，熔池面積相應(yīng)擴(kuò)大，這對(duì)材料的拋出是有利的；而當(dāng)沖液過(guò)強(qiáng)，等離子體通道無(wú)法保持自身穩(wěn)定甚至容易被切斷時(shí)，正常的能量釋放過(guò)程將無(wú)法維持，加工效率相應(yīng)降低。

圖6所示的雙峰值特征應(yīng)為沖液降低極間蝕除產(chǎn)物濃度和沖液干擾等離子體放電通道的雙重作用的結(jié)果。但材料去除率所呈現(xiàn)出的兩個(gè)峰值分別是由哪一個(gè)作用所造成的，亦即沖液流量在增大的過(guò)程中，首先達(dá)到了極間蝕除產(chǎn)物理想濃度的臨界點(diǎn)還是等離子體通道理想擾動(dòng)的臨界點(diǎn)，這一問(wèn)題未見(jiàn)相關(guān)研究報(bào)道,也難以用較為直接的方法加以觀測(cè)和驗(yàn)證。

采用間接手段對(duì)以上問(wèn)題加以分析和解釋。以脈沖寬度為320μs、脈沖間隙為7.5μs、峰值電流為64A的加工參數(shù)，分別進(jìn)行不同沖液流量下的電火花加工實(shí)驗(yàn),利用數(shù)據(jù)采集卡獲得了各次實(shí)驗(yàn)全過(guò)程的極間電壓數(shù)據(jù)，并對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行了分析。從數(shù)據(jù)中提取了長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)開(kāi)路的數(shù)據(jù)段，并根據(jù)其連續(xù)開(kāi)路時(shí)間的長(zhǎng)短劃分了區(qū)間，分別計(jì)算各區(qū)間內(nèi)數(shù)據(jù)段所表征的時(shí)間占加工總時(shí)間的比例，結(jié)果如圖7所示。

圖7　不同連續(xù)開(kāi)路時(shí)間段占加工總時(shí)間的比例

如圖7所示,長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)開(kāi)路被分為6個(gè)區(qū)間。以沖液流量qV=0為例,在其加工過(guò)程中，連續(xù)開(kāi)路在400～800μs區(qū)間內(nèi)的開(kāi)路總時(shí)間占加工總時(shí)間的比例為6.8%,連續(xù)開(kāi)路在2400～2800μs區(qū)間內(nèi)的開(kāi)路總時(shí)間占加工總時(shí)間的比例僅為0.18%。

由圖7可看出，在不同沖液流量下，較短的連續(xù)開(kāi)路相對(duì)于較長(zhǎng)的連續(xù)開(kāi)路均更容易發(fā)生，亦即其占加工總時(shí)間的比例更大。當(dāng)沖液流量為0時(shí)，雖然連續(xù)開(kāi)路在400～800μs區(qū)間內(nèi)的開(kāi)路時(shí)間占比較高，但在隨后更長(zhǎng)區(qū)間內(nèi)的開(kāi)路時(shí)間占比卻極低，顯示在沒(méi)有沖液存在的情況下，由于極間蝕除產(chǎn)物濃度高，相對(duì)來(lái)說(shuō)不易發(fā)生長(zhǎng)時(shí)間開(kāi)路。

隨著沖液流量增加，各區(qū)間連續(xù)開(kāi)路時(shí)間的占比呈整體增大趨勢(shì)，這是因?yàn)闆_液降低了極間蝕除產(chǎn)物濃度，使得極間介質(zhì)擊穿變得較為不易。但這一增大趨勢(shì)逐漸減緩，并在qV=945L/h時(shí)達(dá)到最高。當(dāng)沖液流量增加至1400L/h時(shí),其開(kāi)路時(shí)間占比在800μs至2800μs范圍內(nèi)均較945L/h時(shí)低。

將各個(gè)區(qū)間的連續(xù)開(kāi)路時(shí)間占加工總時(shí)間比例相加,也可得到圖8所示的曲線,并可清楚地觀測(cè)到qV=945L/h時(shí),其開(kāi)路占比最高,而qV=1400L/h時(shí)有所下降。由于加工過(guò)程中較高的開(kāi)路占比會(huì)引起伺服系統(tǒng)的進(jìn)給運(yùn)動(dòng),主動(dòng)地減小極間間隙,使得蝕除產(chǎn)物濃度變大,而令長(zhǎng)時(shí)間開(kāi)路變得不易發(fā)生,故開(kāi)路率最終會(huì)穩(wěn)定于某一范圍內(nèi)并進(jìn)行波動(dòng),這是qV=1400L/h時(shí)的長(zhǎng)時(shí)間開(kāi)路占比呈下降趨勢(shì)的原因。

圖8　底面沖液流量對(duì)連續(xù)開(kāi)路占加工總時(shí)間比例的影響

以上分析結(jié)果表明,當(dāng)qV=945L/h、開(kāi)路比例達(dá)到最高時(shí)，正是極間蝕除產(chǎn)物濃度達(dá)到最低的時(shí)刻,而這一時(shí)刻的沖液流量必定比極間蝕除產(chǎn)物濃度達(dá)到理想值時(shí)的沖液流量大，亦即沖液流量對(duì)極間蝕除產(chǎn)物濃度降低作用的理想臨界點(diǎn)應(yīng)小于945L/h。因此，對(duì)照?qǐng)D6所示曲線，在64A的峰值電流下,qV=730L/h時(shí)材料去除率所達(dá)到的第一個(gè)峰值可認(rèn)為是理想極間蝕除產(chǎn)物濃度所在的位置，進(jìn)而得知在qV=1100L/h時(shí)所達(dá)到的第二個(gè)峰值是等離子體通道理想擾動(dòng)所在的位置。亦即,沖液流量在增大的過(guò)程中,首先達(dá)到極間蝕除產(chǎn)物理想濃度的臨界點(diǎn)，隨后達(dá)到等離子體通道理想擾動(dòng)的臨界點(diǎn)。而在50A的峰值電流下，其材料去除率所呈現(xiàn)的兩個(gè)峰值及其產(chǎn)生原因與64A峰值電流下的情況類似。

如圖6所示,當(dāng)峰值電流為50A時(shí),其材料去除率兩個(gè)峰值所在的沖液流量均小于64A峰值電流時(shí)的沖液流量。這是因?yàn)榉逯惦娏鬏^小,極間蝕除產(chǎn)物濃度不大,故只需較小的沖液流量即可將極間蝕除產(chǎn)物濃度降低至理想范圍;同時(shí),由于峰值電流較小,等離子體通道的穩(wěn)定性較差,更容易被沖液流體動(dòng)力干擾和切斷,故其等離子體通道理想擾動(dòng)的臨界沖液流量也較小。

4結(jié)論

(1)多孔質(zhì)電極采用分布式內(nèi)沖液加工方式能夠達(dá)到充分降低極間蝕除產(chǎn)物濃度的目的,而不再需要額外的抬刀或平動(dòng)加工動(dòng)作,節(jié)約了加工過(guò)程中的輔助時(shí)間,可獲得較高的加工效率;同時(shí)也可采用較小的脈沖間隙進(jìn)行加工,以較大的脈沖占空比獲得較高的加工效率。

(2)隨著沖液流量的增大，多孔質(zhì)電極電火花加工的材料去除率曲線呈現(xiàn)雙峰值特征，這是沖液降低極間蝕除產(chǎn)物濃度和沖液干擾等離子體放電通道雙重作用的結(jié)果。

(3)對(duì)加工過(guò)程中長(zhǎng)連續(xù)開(kāi)路時(shí)間占比的分析結(jié)果表明，沖液流量在增大的過(guò)程中,首先達(dá)到極間蝕除產(chǎn)物理想濃度的臨界點(diǎn),隨后達(dá)到等離子體通道理想擾動(dòng)的臨界點(diǎn)，并因此導(dǎo)致材料去除率隨沖液流量增大而出現(xiàn)的雙峰值特征。

參考文獻(xiàn):

[1]李磊,顧琳,趙萬(wàn)生.集束電極電火花加工工藝試驗(yàn)研究[J].上海交通大學(xué)學(xué)報(bào),2009,43(1):30-32.

Li Lei,Gu Lin,Zhao Wansheng.Research on Machining Characters of Bunched-electrode Electrical Discharge Machining[J].Journal of Shanghai Jiaotong University,2009,43(1):30-32.

[2]Kaneko Y,Yamada H,Toyonaga T,et al.Electrical Discharge Machining Performance of Linear Motor Equipped Die-sinking EDM[J].Manufacturing Technology & Machine Tool,2001(4):9-12.

[3]Zhao Wansheng,Gu Lin,Li Li,et al.Bunched-electrode for Electrical Discharge Machining[C]//ISEM XV.Pittsburgh:ISEM Press,2007:41-44.

[4]趙萬(wàn)生,顧琳,徐輝,等.基于流體動(dòng)力斷弧的高速電弧放電加工[J].電加工與模具,2012(5):50-54．

Zhao Wansheng,Gu Lin,Xu Hui,et al.High-speed Electrical Arc Machining Based on Hydrodynamic Arc Breaking Mechanism[J].Electromachining & Mould,2012(5):50-54.

[5]孔令蕾,蔣毅,趙萬(wàn)生,等.多孔質(zhì)電極電火花加工方法及實(shí)驗(yàn)[J].電加工與模具,2014(3):22-25．

Kong Linglei,Jiang Yi,Zhao Wansheng,et al.The Method and Experiment of EDM with Porous Electrode[J].Electromachining & Mould,2014(3):22-25.

[6]Li Lei,Gu Lin,Xi Xuecheng,et al.Influence of Flushing on Performance of EDM with Bunched Electrode[J].International Journal of Advanced Manufacturing Technology,2012,58(1/4):187-194.

[7]李磊,顧琳,趙萬(wàn)生.大流量多孔內(nèi)沖液下的放電波形特征[J].中國(guó)機(jī)械工程,2009，20(13)： 1590-1593.

Li Lei, Gu Lin,Zhao Wansheng.Characteristics of Gap State with Large Fluid Flow Multi-hole Flushing[J].China Mechanical Engineering, 2009, 20(13):1590-1593.

(編輯陳勇)