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        半導(dǎo)體溫控系統(tǒng)性能的等效電路分析

        2015-12-24 06:04:22黃靖,陸景松
        機(jī)電信息 2015年18期
        關(guān)鍵詞:等效電路

        半導(dǎo)體溫控系統(tǒng)性能的等效電路分析

        黃靖陸景松

        (中國電子科技集團(tuán)公司第三十八研究所,安徽 合肥 230088)

        摘要:半導(dǎo)體制冷片因其無運(yùn)動(dòng)部件、可靠性高、易于控制等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于各種場(chǎng)合的溫度控制設(shè)備。系統(tǒng)加熱制冷時(shí)的功耗、加熱和冷卻速率、溫度控制精度等指標(biāo)影響了溫度控制系統(tǒng)的綜合性能,使用合適的熱分析方法對(duì)指導(dǎo)溫控系統(tǒng)設(shè)計(jì)非常重要?,F(xiàn)基于熱電相似性理論建立了一個(gè)典型半導(dǎo)體溫控系統(tǒng)的熱電等效電路,通過電路仿真設(shè)計(jì)軟件對(duì)該溫控系統(tǒng)的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能進(jìn)行了分析,結(jié)果表明使用等效電路模型對(duì)半導(dǎo)體控溫系統(tǒng)性能進(jìn)行分析是可行的。

        關(guān)鍵詞:半導(dǎo)體制冷;熱電相似性;等效電路

        收稿日期:2015-05-19

        作者簡(jiǎn)介:黃靖(1985—),男,安徽銅陵人,博士研究生,工程師,從事電子設(shè)備熱設(shè)計(jì)工作。

        0引言

        半導(dǎo)體制冷片也叫熱電制冷片,它基于某些半導(dǎo)體材料的熱電能量轉(zhuǎn)換特性,通過改變直流電流的極性,在同一制冷片上實(shí)現(xiàn)制冷或加熱。它具有制冷/加熱切換迅速、無噪聲、可靠性高、可控精度高等特點(diǎn),可應(yīng)用在一些空間受到限制、可靠性要求高、無制冷劑污染的場(chǎng)合,在軍事、醫(yī)療、實(shí)驗(yàn)室、日常生活等多個(gè)方面都有著廣泛應(yīng)用。對(duì)于半導(dǎo)體溫控系統(tǒng)來說,除了溫度控制精度以外,升降溫速度、控溫范圍和功耗等指標(biāo)也決定著系統(tǒng)的綜合性能。

        為了使半導(dǎo)體溫控系統(tǒng)獲得滿意的性能和可靠性,關(guān)鍵是要快捷準(zhǔn)確地了解系統(tǒng)特征。本文根據(jù)熱電相似性理論提出的等效電路模擬方法,建立了一個(gè)典型的半導(dǎo)體溫控系統(tǒng)等效電路模型,并利用電路分析軟件分析了該系統(tǒng)分別在制冷和加熱模式下的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能。

        1溫控系統(tǒng)的物理模型

        基因擴(kuò)增儀是半導(dǎo)體制冷技術(shù)在溫控系統(tǒng)中的典型應(yīng)用,半導(dǎo)體制冷片可以方便地為系統(tǒng)中的DNA樣品提供若干個(gè)熱循環(huán)過程,使其在數(shù)小時(shí)內(nèi)呈指數(shù)擴(kuò)增數(shù)百萬倍。一個(gè)典型的基因擴(kuò)增儀熱循環(huán)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)如圖1所示,使用若干個(gè)半導(dǎo)體制冷片串聯(lián)連接實(shí)現(xiàn)熱循環(huán),半導(dǎo)體制冷片上端與樣品塊接觸,下端與散熱器接觸,為減小接觸熱阻,兩個(gè)接觸面處都需均勻涂抹導(dǎo)熱硅膠。散熱器下端安放軸流風(fēng)扇,用于制冷時(shí)對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行散熱。樣品塊上開有若干樣品孔放置反應(yīng)試管,試管頂部與熱蓋接觸并壓緊,熱蓋溫度在反應(yīng)過程中始終保持104 ℃,防止樣品蒸發(fā)并在試管頂部形成冷凝水,影響反應(yīng)結(jié)果。樣品塊的材料選用具備低熱慣性和高導(dǎo)熱系數(shù)6061鋁合金,散熱器上設(shè)計(jì)翅片,用來增加強(qiáng)迫對(duì)流傳熱的導(dǎo)熱面積。

        圖1 半導(dǎo)體溫控系統(tǒng)模型

        2等效電路模型

        在一維傳熱問題中,基于熱電相似性理論來建立傳熱系統(tǒng)的熱電等效電路進(jìn)行分析是一種常見的做法。根據(jù)熱電相似性理論,傳熱問題中的熱學(xué)物理量熱功率Q、熱力學(xué)溫度T、熱阻R和熱容C可分別用相應(yīng)等效的電學(xué)物理量電流I、電壓U、電阻R和電容C替代,系統(tǒng)的傳熱路徑可以等效構(gòu)建成一個(gè)純粹的等效電路模型進(jìn)行分析。

        2.1半導(dǎo)體制冷片的等效電路模型

        一個(gè)典型的半導(dǎo)體制冷片結(jié)構(gòu)如圖2所示,其由若干對(duì)P、N型半導(dǎo)體組成,半導(dǎo)體由金屬導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)串聯(lián)連接,兩片絕緣體分別在PN結(jié)兩端形成冷熱面。這里定義系統(tǒng)的控制端是連接到被控物體(如基因擴(kuò)增儀的樣品塊)的一端,而連接散熱器一端的則被定義為熱沉端。當(dāng)半導(dǎo)體制冷片有直流電流通過時(shí),熱量會(huì)從半導(dǎo)體制冷片的一端傳遞到另一端,改變直流電的流動(dòng)方向,則熱流方向隨之反向。

        圖2 半導(dǎo)體制冷片結(jié)構(gòu)示意圖

        半導(dǎo)體制冷片的熱電效應(yīng)包括三種可逆的熱電能互換效應(yīng)——塞貝克、珀?duì)栙N和湯姆遜效應(yīng)以及兩種不可逆的熱效應(yīng)——焦耳和傅里葉效應(yīng)。根據(jù)熱力學(xué)第一定律,半導(dǎo)體制冷片的熱電平衡方程可用式(1)~(3)表示:

        Qc=αTcI-ΔT/Θ-(I2R)/2

        (1)

        Quc=αTucI-ΔT/Θ+(I2R)/2

        (2)

        U=αΔT+IR

        (3)

        式中,Qc為控制端產(chǎn)冷量(W);Quc為熱沉端放熱量(W);Tc為控制端溫度(K);Tuc為熱端溫度(K);α為半導(dǎo)體制冷片的塞貝克系數(shù)(V/K);R為TEC的等效電阻(Ω);Θ為半導(dǎo)體制冷片在熱流方向上的熱阻(K/W);I為通過TEC的電流(A);U為TEC兩端的電壓(V); ΔT為TEC兩端的溫差(K)。

        根據(jù)熱電相似性理論和熱電平衡方程,半導(dǎo)體制冷片可以等效建立成一個(gè)純電路,如圖3所示。

        圖3 半導(dǎo)體制冷片等效電路模型

        半導(dǎo)體制冷片的相關(guān)參數(shù)如α、Θ和R可以從制造商提供的數(shù)據(jù)中進(jìn)行提取,計(jì)算公式如式(4)~(6):

        α=Umax/Tuc

        (4)

        R=U(Tuc-DTmax)/(ImaxTuc)

        (5)

        Q=2DTmaxTuc/(Tuc-DTmax)ImaxUmax

        (6)

        式中,Umax、Imax、Tmax數(shù)值由制造商提供。

        2.2半導(dǎo)體溫控系統(tǒng)的等效電路模型

        半導(dǎo)體溫控系統(tǒng)的一維傳熱路徑模型可以生成一個(gè)簡(jiǎn)化的等效電路,如圖4所示。此處假設(shè)系統(tǒng)溫度是均勻分布的,并且除了任意兩個(gè)接觸面之間的接觸熱阻外,沒有其余附加熱阻。

        圖4 半導(dǎo)體溫控系統(tǒng)等效電路模型 α m、Θ m、R m—半導(dǎo)體制冷片的總?cè)惪讼禂?shù)、總熱阻、總電阻 Θ iso—熱蓋與樣品塊之間的空氣熱阻 Θ plate、C plate—樣品塊的熱阻、熱容 Θ sink、C sink—散熱器的熱阻、熱容 Θ cont—導(dǎo)熱硅膠熱阻(導(dǎo)熱硅膠熱容值較小,相比系統(tǒng)中其他部件熱容值可忽略不計(jì)) T cover—熱蓋溫度 T amb—環(huán)境溫度

        系統(tǒng)使用4片Marlow XLT2389 TEC串聯(lián)工作,散熱器材料為鋁合金,長(zhǎng)180 mm,寬110 mm,基座厚度8.2 mm,翅片數(shù)30,厚度1 mm,高度22.8 mm,風(fēng)扇型號(hào)為ebmpapst 4412 FNH,環(huán)境溫度300 K,散熱器的熱阻值可通過Kryotherm軟件中Thermoelectric System Calculation模塊計(jì)算出,其余各參數(shù)值均根據(jù)式(4)~(6)算出,結(jié)果分別為:αm=0.104 V/K、Rm=1.32 Ω、Θm=0.245 K/W、Θiso=35.6 K/W、Θplate=0.004 4 K/W、Θcont=0.01 K/W、Θsink=0.17 K/W、Cplate=151 J/K、Csink=774 J/K、Tamb=300 K、Tamb=377 K。

        3系統(tǒng)性能分析

        3.1穩(wěn)態(tài)性能分析

        使用Multisim10軟件中的DC-sweep功能可以根據(jù)等效電路模型快速計(jì)算出該半導(dǎo)體溫控系統(tǒng)在不同驅(qū)動(dòng)電流下的穩(wěn)態(tài)性能。圖5和圖6分別給出了在制冷和加熱模式下控制端的溫度值。圖5說明了該系統(tǒng)在制冷模式下存在一個(gè)約為7.5 A的Imax值,當(dāng)驅(qū)動(dòng)電流在此值時(shí),系統(tǒng)可以到達(dá)最低冷卻溫度;當(dāng)驅(qū)動(dòng)電流值小于Imax時(shí),系統(tǒng)可達(dá)到的最低溫度受到半導(dǎo)體制冷片從控制端吸收熱量能力的限制;當(dāng)驅(qū)動(dòng)電流值大于Imax時(shí),焦耳熱I2R的值會(huì)增加,導(dǎo)致熱量傳遞的方向顛倒,使控制端溫度升高。因此,在制冷模式下,要選取合理的驅(qū)動(dòng)電流值,使系統(tǒng)獲得最佳制冷效果。圖6說明了在加熱模式下,控制端的溫度隨著驅(qū)動(dòng)電流值的增加而增加,但這種關(guān)系呈現(xiàn)了一種非線性特點(diǎn),這與帕爾貼效應(yīng)和加熱過程中產(chǎn)生的焦耳熱I2R項(xiàng)有關(guān),焦耳熱在隨電流值變化時(shí)有著顯著的非線性特征。

        圖5 制冷模式穩(wěn)態(tài)分析結(jié)果

        圖6 加熱模式穩(wěn)態(tài)分析結(jié)果

        3.2動(dòng)態(tài)性能分析

        使用Multisim10軟件中的Transient Analysis功能可以根據(jù)等效電路模型快速計(jì)算出該半導(dǎo)體溫控系統(tǒng)在不同驅(qū)動(dòng)電流下的動(dòng)態(tài)性能。圖7說明了控制端溫度在2.5 A的制冷驅(qū)動(dòng)電流和-2.5 A的加熱驅(qū)動(dòng)電流值下的階躍響應(yīng)情況,可以看出在相同的驅(qū)動(dòng)電流值下,系統(tǒng)加熱時(shí)的升溫速率要大于系統(tǒng)制冷時(shí)的降溫速率,這也驗(yàn)證了半導(dǎo)體制冷片的加熱效率高于制冷效率的特性。圖8說明了制冷模式下,控制端溫度在不同的驅(qū)動(dòng)電流值下的階躍響應(yīng)情況,可以看出盡管驅(qū)動(dòng)電流值大于Imax時(shí),系統(tǒng)的穩(wěn)態(tài)溫度值會(huì)升高,但是隨著驅(qū)動(dòng)電流值的增大,系統(tǒng)在初期所獲得的降溫速率也更大。因此,在系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)可以選擇適當(dāng)?shù)尿?qū)動(dòng)電流和運(yùn)行時(shí)間,以獲得最快的冷卻速度,提高系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)性能。

        圖7 相同驅(qū)動(dòng)電流下制冷和加熱模式動(dòng)態(tài)分析結(jié)果

        4結(jié)語

        本文通過建立半導(dǎo)體溫控系統(tǒng)的等效電路模型,用純電路的方式描述了在半導(dǎo)體制冷片工作過程中的幾個(gè)典型熱電效應(yīng),并通過電路仿真軟件分析了系統(tǒng)在

        圖8 不同驅(qū)動(dòng)電流下制冷模式動(dòng)態(tài)分析結(jié)果

        制冷和加熱模式下的穩(wěn)態(tài)和動(dòng)態(tài)性能。盡管在模型建立時(shí)進(jìn)行了一些簡(jiǎn)化與假設(shè),但該方法仍可簡(jiǎn)單有效且快速地對(duì)半導(dǎo)體溫控系統(tǒng)的性能進(jìn)行分析,在系統(tǒng)設(shè)計(jì)初期可以為系統(tǒng)性能優(yōu)化和溫度控制策略提供指導(dǎo)。等效電路模型中的各項(xiàng)參數(shù)可通過實(shí)驗(yàn)方法進(jìn)行修改,使模型更為精確,同時(shí)也可對(duì)模型進(jìn)行更詳細(xì)的設(shè)計(jì),來分析系統(tǒng)中各項(xiàng)因素對(duì)半導(dǎo)體控溫系統(tǒng)性能的影響。

        [參考文獻(xiàn)]

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