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        超薄晶體硅太陽(yáng)電池關(guān)鍵工藝及產(chǎn)業(yè)化分析

        2015-12-10 16:01:23陳雨晴葛海亮
        山東工業(yè)技術(shù) 2015年24期
        關(guān)鍵詞:產(chǎn)業(yè)化

        陳雨晴+葛海亮

        摘 要:硅片切割技術(shù)的發(fā)展帶動(dòng)了晶體硅太陽(yáng)電池的不斷改進(jìn),晶體硅太陽(yáng)電池越來(lái)越薄,生產(chǎn)成本逐漸降低。本文以全球光伏發(fā)電的發(fā)展為出發(fā)點(diǎn),闡述太陽(yáng)電池的工作原理,并分析超薄晶體硅太陽(yáng)電池關(guān)鍵工藝和產(chǎn)業(yè)化,以期為相關(guān)工作人員提供一定的借鑒,為超薄晶體硅太陽(yáng)電池產(chǎn)業(yè)化的發(fā)展指明方向。

        關(guān)鍵詞:超薄電池;晶體硅太陽(yáng)電池;產(chǎn)業(yè)化

        DOI:10.16640/j.cnki.37-1222/t.2015.24.069

        隨著人們對(duì)氣候水平的不斷關(guān)注,帶動(dòng)了可再生能源的迅速發(fā)展。光伏是一種重要的可再生能源,近年來(lái),得到迅猛的發(fā)展,在發(fā)達(dá)國(guó)家被廣泛的開(kāi)發(fā),具有很大的潛力。晶體硅太陽(yáng)電池在我國(guó)的市場(chǎng)占很大比例,成本逐漸降低,太陽(yáng)能行業(yè)朝著平價(jià)上網(wǎng)的趨勢(shì)發(fā)展,這一發(fā)展趨勢(shì)的實(shí)現(xiàn)離不開(kāi)降低生產(chǎn)成本及不斷提升電池效率。降低生產(chǎn)成本是以降低每峰瓦硅料的耗損料為出發(fā)點(diǎn)。在確保正常生產(chǎn)的情況下,盡量降低硅片的厚度,進(jìn)而有效的降低生產(chǎn)成本。

        1 硅片切割技術(shù)

        多線研磨液硅片切割技術(shù)是較為傳統(tǒng)的切割技術(shù),傳統(tǒng)切割技術(shù)是以碳化硅和PEG為媒介切割硅片,這種切割方式會(huì)對(duì)硅片造成較大的損傷,導(dǎo)致傳統(tǒng)的切割技術(shù)無(wú)法得到較薄的硅片,無(wú)法進(jìn)行產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。金剛線切割技術(shù)是最新的切割技術(shù),這種技術(shù)對(duì)附有金剛石的金屬線進(jìn)行切割,水是在切割過(guò)程中常用的冷卻劑。采用此種切割技術(shù)耗費(fèi)較高,但是,使用方便、快捷,運(yùn)營(yíng)成本降低,金剛線切割技術(shù)以其獨(dú)特的魅力受到青睞。PolyMax是由SiGen開(kāi)發(fā)的一種新型技術(shù),這種技術(shù)的使用開(kāi)啟了超薄硅片產(chǎn)量化的局面。PolyMax切割技術(shù)是在硅錠中注入離子束,經(jīng)過(guò)撕裂,將其分割成為厚度一定的硅片。這樣的方式降低了原料的使用量,并簡(jiǎn)化了工藝流程,減少了粘貼、切割、清洗等步驟。如果PolyMax切割可以進(jìn)行產(chǎn)業(yè)化的生產(chǎn),降低硅片的厚度和使用率,便可以實(shí)現(xiàn)成本的降低。理論上說(shuō),硅片越薄,企業(yè)的生產(chǎn)成本越低。但是,在進(jìn)行切割的過(guò)程中,會(huì)產(chǎn)生大量的碎片,如何降低碎片率的問(wèn)題擺在了企業(yè)的面前。事實(shí)表明,只有盡量減少制作的步驟,才能盡可能降低硅片的碎片率。

        2 自動(dòng)化生產(chǎn)

        近些年來(lái),受到國(guó)際經(jīng)濟(jì)市場(chǎng)的影響,部分國(guó)外光伏企業(yè)沒(méi)能經(jīng)受住考驗(yàn),相繼破產(chǎn),但是,我國(guó)光伏企業(yè)受到國(guó)際市場(chǎng)的影響不大,主要是由于光伏行業(yè)需要大量的勞動(dòng)力,屬于勞動(dòng)密集型產(chǎn)業(yè),而我國(guó)的人力成本明顯低于其他國(guó)家。當(dāng)光伏產(chǎn)業(yè)中的超薄電池成為主要產(chǎn)品時(shí),由于超薄硅片在生產(chǎn)的過(guò)程中容易受到破損,手工操作會(huì)加大硅片損壞的概率,所以,采用大量勞動(dòng)力的生產(chǎn)方式已經(jīng)對(duì)超薄硅片的發(fā)展起到了阻礙作用,未來(lái)太陽(yáng)電池的制作將以生產(chǎn)全自動(dòng)為主要方向。

        3 電極制備

        電極的制備是指網(wǎng)絲印刷和燒結(jié)的過(guò)程。電極制備使用的是減反射膜的太陽(yáng)電池。首先,要在電池的反面刷上銀漿,經(jīng)過(guò)烘干后,刷上一層鋁漿,再繼續(xù)烘干,將電池的正面刷上銀漿,將溫度升高到800-880攝氏度左右的時(shí)候進(jìn)行燒結(jié),晶體硅光伏電池的正負(fù)極制作完成。

        漿料的不斷改進(jìn)有利于太陽(yáng)電池技術(shù)的不斷發(fā)展。當(dāng)硅片的厚度不斷下降時(shí),漿料經(jīng)過(guò)高溫作用后的翹曲率較低。如果電池片的翹曲程度過(guò)高,不僅對(duì)電池的性能產(chǎn)生嚴(yán)重破壞,還會(huì)增加制作過(guò)程中的破碎率。

        電池生產(chǎn)過(guò)程中已采用Ni/Cu/Ag等結(jié)構(gòu)的前電極電鍍和背面蒸鍍鋁工藝。在經(jīng)過(guò)電鍍和蒸鍍鋁過(guò)程后,只需要經(jīng)過(guò)低溫的退火過(guò)程,能與歐姆產(chǎn)生良好的接觸,從而避免翹曲現(xiàn)象的發(fā)生。電鍍和蒸鍍鋁技術(shù)的使用對(duì)電池的生產(chǎn)過(guò)程進(jìn)行了簡(jiǎn)化,有效地降低了碎片率。電鍍工藝因其制作成本低、工藝過(guò)程監(jiān)督等優(yōu)勢(shì)成為企業(yè)研究的重點(diǎn)工藝,也是未來(lái)超薄晶體硅太陽(yáng)電池制作發(fā)展的趨勢(shì)。

        4 電池結(jié)構(gòu)改進(jìn)

        超薄電池的翹曲問(wèn)題得以解決離不開(kāi)對(duì)漿料的改進(jìn)。我們需要利用先進(jìn)的電池結(jié)構(gòu)取代傳統(tǒng)的電池結(jié)構(gòu)。背面鈍化的局域金屬接觸結(jié)構(gòu)的背面反射器、背面鈍化的性能較為優(yōu)良,是未來(lái)電池產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的趨勢(shì)。雙面電池結(jié)構(gòu),由于不具備全鋁背場(chǎng)結(jié)構(gòu),對(duì)解決硅片翹曲問(wèn)題很有幫助。但是,在雙面電池結(jié)構(gòu)中,只有安裝優(yōu)良的反射器才能將光的透射程度降低。

        5 制絨及后清洗工藝

        當(dāng)硅片的厚度小于100微米時(shí),使用傳統(tǒng)的堿制絨工藝會(huì)起到雙面制絨的效果,當(dāng)晶硅“金字塔”的高度為5微米時(shí),雙面“金字塔”的高度會(huì)達(dá)到10微米,會(huì)對(duì)超薄硅片造成一定的威脅,導(dǎo)致電池的碎片率增加。為了有效地解決這個(gè)問(wèn)題,應(yīng)采用小絨面結(jié)構(gòu),也可使用單面堿制絨等新型工藝進(jìn)行單面制絨。

        現(xiàn)階段,主要使用滾輪單面去背結(jié)流水線為后清洗設(shè)備,硅片的厚度有明確的要求,應(yīng)控制在140-160微米,對(duì)于較薄硅片的產(chǎn)業(yè)化,使用單面化學(xué)濕法腐蝕去背結(jié),會(huì)導(dǎo)致硅片邊緣化受到侵蝕。當(dāng)硅片的厚度過(guò)小時(shí),硅片的韌性會(huì)得到充分體現(xiàn),在后清洗的過(guò)程中,硅片會(huì)出現(xiàn)彎曲的現(xiàn)象,現(xiàn)有的設(shè)備難以去背結(jié)。所以,需要依據(jù)硅片的厚度對(duì)設(shè)備進(jìn)行改進(jìn),從而更好地進(jìn)行生產(chǎn)工作。

        6 p-n結(jié)制作

        通過(guò)熱擴(kuò)散、離子注入的方式可以完成p-n結(jié)制作,但是,熱擴(kuò)散法制結(jié)能夠達(dá)到產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)目標(biāo)。熱擴(kuò)散法制結(jié)是將V族雜質(zhì)加入p型或者n型硅中,這個(gè)過(guò)程是在加熱的條件下進(jìn)行的。雜質(zhì)元素會(huì)在加熱的條件下通過(guò)擴(kuò)散進(jìn)入基體,溫度不同導(dǎo)致雜質(zhì)元素在基體中的分布不同,對(duì)電池的電性能產(chǎn)生很大的影響。

        擴(kuò)散需要在清潔的環(huán)境下進(jìn)行。擴(kuò)散所用的器材必須經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的清潔,要保證相關(guān)試劑的純度符合標(biāo)準(zhǔn)。熱擴(kuò)散之后,硅片周?chē)鷷?huì)產(chǎn)生擴(kuò)散層。實(shí)現(xiàn)光轉(zhuǎn)換必需的硅片光照面被稱為前結(jié)。在接下來(lái)的工序中,要想辦法將p-n結(jié)及擴(kuò)散層去除。

        硅片切割技術(shù)的發(fā)展帶動(dòng)了晶體硅太陽(yáng)電池的不斷改進(jìn),晶體硅太陽(yáng)電池越來(lái)越薄,太陽(yáng)電池的生產(chǎn)成本逐漸降低。通過(guò)對(duì)晶體硅太陽(yáng)電池關(guān)鍵工藝的分析描述,并提出產(chǎn)業(yè)化的想法,希望能為超薄晶體硅太陽(yáng)電池關(guān)鍵工藝及產(chǎn)業(yè)化的發(fā)展指明方向,更好地發(fā)揮出太陽(yáng)電池在人們生活中的作用,為人們的生活謀取更大的福利。

        參考文獻(xiàn):

        [1]劉家敬.超薄晶體硅太陽(yáng)電池關(guān)鍵工藝及產(chǎn)業(yè)化研究[J].太陽(yáng)能,2013,10(06):16-17.

        [2]楊灼堅(jiān).n型晶體硅太陽(yáng)電池最新研究進(jìn)展的分析與評(píng)估[J].材料導(dǎo)報(bào),2010,15(15):32-33.endprint

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