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        ZnSe晶體生長技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀

        2015-12-10 07:54:09武夢鴿袁昕汪洋崔亮賀世杰
        山東工業(yè)技術(shù) 2015年24期

        武夢鴿+袁昕+汪洋+崔亮+賀世杰

        摘 要:本文簡述了ZnSe晶體的溶液生長法、熔體生長法、氣相輸運法等制備方法以及ZnSe晶體研究現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢,分析了這些制備方法的優(yōu)缺點并詳述了ZnSe晶體的生長過程和工藝參數(shù)的設(shè)置,對獲得高質(zhì)量的ZnSe晶體具有十分重要的指導(dǎo)意義。

        關(guān)鍵詞:ZnSe晶體;熔體生長法;氣相輸運法

        DOI:10.16640/j.cnki.37-1222/t.2015.24.035

        1 引言

        ZnSe具有較高的發(fā)光效率以及較低的吸收系數(shù),是一種很好的發(fā)光材料。它具有直接躍遷型能帶結(jié)構(gòu),在室溫下其禁帶寬度為2.67eV,當(dāng)溫度降至4.2K時其禁帶寬度可達2.828eV。透光范圍隨溫度變化較小,一般在0.5μm~22μm范圍內(nèi)。近年來,廣泛應(yīng)用于藍光半導(dǎo)體激光器件、非線性光熱器件和紅外器件等領(lǐng)域[1-3]。因此。制備高性能ZnSe晶體成為目前一項主要研究任務(wù)。

        近些年來,制備ZnSe晶體的方法有很多種,如Bridgman法、區(qū)熔法、水熱法、化學(xué)氣相輸運法(CVT)、物理氣相輸運法( PVT )。國內(nèi)外專家學(xué)者不斷改進這些方法和工藝,努力制備出高質(zhì)量的ZnSe晶體。

        2 ZnSe晶體的制備方法

        2.1 溶液生長法

        從溶液中生長晶體的主要方法是水熱法,其又稱為高溫溶液法,其中包括溫差法、降溫法、升溫法及等溫法。目前主要采用溫差水熱結(jié)晶,依靠容器內(nèi)的溶液維持溫差對流形成飽和狀態(tài)[4,5]。

        2.2 熔體生長法

        ZnSe是淡黃色的面心立方閃鋅礦型結(jié)構(gòu)。常壓下1000℃左右升華,約在9.8MPa高壓的惰性保護氣氛下熔點為1515℃。由于其在常壓下升華,只有在高壓高溫條件下才能得到ZnSe熔體,其一般通過使用電阻加熱方式獲得高溫。主要包括布里奇曼法和區(qū)熔生長。

        (1)布里奇曼法 該法是一種常用的晶體生長方法。首先將用于晶體生長用的材料裝在圓柱型的坩堝中,然后緩慢地下降,并通過一個具有一定溫度梯度的加熱爐,爐溫控制在略高于材料的熔點附近。

        (2)區(qū)熔生長 區(qū)熔法又稱Fz法,即懸浮區(qū)熔法。區(qū)熔法是利用熱能在半導(dǎo)體棒料的一端產(chǎn)生一熔區(qū),再熔接晶體籽晶。調(diào)節(jié)溫度使熔區(qū)緩慢地向棒的另一端移動,通過整根棒料,生長成一根晶體,晶向與籽晶的相同。

        2.3 氣相輸運法

        氣相輸運法一般分為化學(xué)氣相輸運法和物理氣相輸運法兩種。此法一般是通過加熱等使物質(zhì)揮發(fā)或分解出氣體,通過輸運至溫度較低的位置并與其他物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)的材料合成方法。氣相生長分為單組分體系和多組分體系生長兩種。單組分氣相生長要求氣相具備足夠高的蒸氣壓,利用在高溫區(qū)汽化升華、在低溫區(qū)凝結(jié)生長的原理進行生長所生長的大多為針狀、片狀的晶體體。多組分氣相生長一般多用于薄膜生長,其中外延生長是一種晶體浮生于另一種晶體上。其制備工藝具有反應(yīng)效率高、純度高和合成溫度低等特點。

        3 ZnSe晶體基本性質(zhì)

        ZnSe晶體的生長技術(shù)還需要進一步的改進,急需解決的問題是晶體生長過程中溫度場的控制、物質(zhì)傳輸控制、工藝條件控制以及晶體質(zhì)量等,這些問題的解決都需要深刻理解ZnSe晶體的性質(zhì)[7]。ZnSe的熔點是1530℃,它在常壓下1000℃直接從固體升華,只有在高溫高壓下才可以將其從固體變?yōu)槿垠w,因而給制備加工ZnSe晶體帶來很大的困難。ZnSe作為一種典型的紅外材料與光電功能材料,其分子式為ZnSe,分子量為144.33,其主要有常溫穩(wěn)定相立方閃鋅礦結(jié)構(gòu)和高溫穩(wěn)定相六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)兩種晶型,兩者大約在1425°溫度下會發(fā)生相轉(zhuǎn)變。其中比較常見的閃鋅礦ZnSe結(jié)構(gòu)屬于立方晶系。

        4 結(jié)論

        為了獲得高質(zhì)量的ZnSe晶體,需要針對ZnSe的基本性質(zhì),根據(jù)各種制備方法的優(yōu)缺點,針對熔體法制備的ZnSe晶體,可以獲得大尺寸工業(yè)生產(chǎn),但其純度有待改進。針對氣相法制備的ZnSe晶體,純度較高,但尺寸有待于進一步增加,如果能解決這兩個關(guān)鍵的純度和尺寸的問題,即降低了成本,又獲得了高質(zhì)量的ZnSe晶體,滿足了工業(yè)化需求,將會解決這里材料的關(guān)鍵問題。

        參考文獻:

        [1]S.Fujiwara,H.Morishita,T.Kotani,K.Matsumoto,T.Shirakawa. Growth of large ZnSe single crystal by CVT method[J]. Journal of Crystal Growth, 1998,186:60-66.

        [2]C.S.Fang, Q.T.Gu, J.Q.Wei, Q.W.Pan. et al. Growth of ZnSe single crystal[J]. Journal of crystal Growth, 2000, 209: 542-546.

        [3]A.Urbiata, P. Femaade, J.Piqueras, et al. Scanning Electron Microscopy Characterization of ZnSe Single Crystals Grown by Solid-phase Recrystallization [J]. Materials Science and Engineering B, 2000, 78(2):105-108.

        [4]王占國.半導(dǎo)體材料研究的新進展[J].半導(dǎo)體技術(shù),2002,27(03):8-14.

        [5]宮華.水熱法制備硒化鋅半導(dǎo)體材料及其性能研究.碩士學(xué)位論文.西安:長安大學(xué),2004

        [6]趙秀琴,劉俊.硒化鋅晶體的水熱控制生長[J].化學(xué)世界,2008(10):584~586

        [7]魯泥藕,余懷之,霍承松等.大功率激光窗口ZnSe的制備原理及方法[J].功能材料,2004,35(01):246-248.

        基金項目 :國家大學(xué)生創(chuàng)新項目(201510702022)endprint

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