摘要：手機(jī)在生產(chǎn)線裝配好以后都要經(jīng)過(guò)專用的儀器進(jìn)行參數(shù)測(cè)試，合格后會(huì)PASS，否則會(huì)Fail并打印出不合格的參數(shù)項(xiàng)。其中一項(xiàng)CUR超過(guò)正常值就是大電流。造成大電流并伴有不開機(jī)的因素很多，這給維修工程師帶來(lái)很大的困惑。本文結(jié)合具體實(shí)驗(yàn)就大電流產(chǎn)生的主要因素進(jìn)行了分析并給出了不同值大電流處理的方法步驟，供維修工程師們借鑒參考。

關(guān)鍵詞：PCB板 大電流 分析 處理

中圖分類號(hào)：TN41 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A 文章編號(hào)：1007-9416（2015）10-0000-00

1 引言

手機(jī)的PCB板由于大量采用BGA焊點(diǎn)的芯片，其價(jià)格昂貴且手工焊接難度大。PCB板加電出現(xiàn)大電流（正常值約為50-180mA），對(duì)于生產(chǎn)廠內(nèi)部的Analyzer和售后維修工程師都是一個(gè)十分棘手的難題。如果不能事先準(zhǔn)確分析判斷出造成大電流的原因而盲目的加電或拆換原件，勢(shì)必會(huì)造成故障的擴(kuò)大、更多元器件的燒毀甚至PCB板的報(bào)廢。本文以一款Motorola手機(jī)PCB板的分析檢修為例，根據(jù)很多實(shí)踐維修中所積累的經(jīng)驗(yàn)和教訓(xùn)，給出了其檢修的方法與步驟，提供了可操性的實(shí)用范例，以供參考和借鑒。

2 分析

造成大電流的原因主要有三種情況：連焊；器件之間碰觸造成短路；電壓源本身或負(fù)載故障。

其中電壓源或負(fù)載故障是遇到最多的也是最難處理的。要搞清楚到底是那個(gè)原件引起的大電流，就必須對(duì)它的整機(jī)供電以及電壓的的產(chǎn)生流程、電壓值和在電路中的作用進(jìn)行分析。

從框圖1看出：EXT-B+是手機(jī)連接的外部電壓，經(jīng)過(guò)一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管電子開關(guān)后變?yōu)锽+電壓后去兩路。一路接入電源轉(zhuǎn)換芯片U900，一路去PA就是功率電路，它是造成大電流的主要電路部分。

B+電壓進(jìn)入電源模塊芯片產(chǎn)生一組電壓：V3和V2供給CPU，V1和Vref供給U913既調(diào)制和解調(diào)模塊，V1又供給總線和內(nèi)部負(fù)壓產(chǎn)生電路，V2又供給存儲(chǔ)器芯片。這里特別注意其中U900是B+電壓的負(fù)載，又是其它電壓的電源。而U913是B+、Vref和V1的負(fù)載，又是Rf-v1和Rf-v2（都是2.75V）的電源。產(chǎn)生大電流很大程度上也與這兩芯片有關(guān)。

3 實(shí)例

（1）1500mA不開機(jī)。分析：電流超過(guò)1000mA，表明有嚴(yán)重的短路且和B+或電源模塊有關(guān)。處理：不加電測(cè)得B+對(duì)地電阻只有0.08KΩ（正常值0.45 KΩ），換Q942（B+的電源）后OK。（2）560mA不開機(jī)。分析：電流沒(méi)超過(guò)1000mA，估計(jì)與邏輯單元電路有關(guān)。處理：測(cè)得V2對(duì)地電阻只有0.4Ω，先摘掉V2的主要負(fù)載VS945（振鈴驅(qū)動(dòng)）沒(méi)有變化，再換U700（V2的另一路負(fù)載）后OK。（3）340 mA不開機(jī)。分析：電流沒(méi)超過(guò)500mA，估計(jì)與射頻電路的電壓有關(guān)。處理：測(cè)得Rf-v1和Rf-v2對(duì)地電阻只有3.6 KΩ（正常值32 KΩ），只能是U913的故障，它是Rf-v1和Rf-v2的電壓源。換后OK。

4 處理方法結(jié)論

（1）遇到大電流不能長(zhǎng)時(shí)間通電，以免燒毀更多器件。

（2）觀察法排除人為的連焊和器件碰觸引起的短路。

（3）觀察電路板上的元器件和芯片有沒(méi)有被燒壞的。比如電阻、電容、二極管有沒(méi)有發(fā)黑芯片有沒(méi)有鼓包、裂口、燒糊、發(fā)黑的情況。如果有這樣的情況發(fā)生，基本可以確定已經(jīng)被燒壞，必須更換。

（4）靜態(tài)測(cè)量法，既在不加電時(shí)用萬(wàn)用表測(cè)各電壓點(diǎn)對(duì)地正向電阻值并與正常值作比較。

（5）發(fā)現(xiàn)阻值不正確，首先摘掉與此電壓相關(guān)的CMOS管，最后再考慮帶BGA焊點(diǎn)的芯片。

（6）超過(guò)1000mA時(shí)，與B+、電源模塊和V2的負(fù)載有關(guān)。幾百mA時(shí)，與邏輯電路和射頻電路有關(guān)。

參考文獻(xiàn)

[1]陳建江.手機(jī)生產(chǎn)過(guò)程測(cè)試與控制[D].移動(dòng)通信，2005.

收稿日期：2015-09-13

作者簡(jiǎn)介：張小紅（1966—），男，甘肅永登人，大學(xué)本科，副教授，研究方向：電子技術(shù)應(yīng)用。