向 偉，王國(guó)偉，徐應(yīng)強(qiáng)，郝宏玥，蔣洞微，任正偉，賀振宏，牛智川

(中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，北京 100083)

0 引 言

基于GaSb 基的材料，包括InAs，GaSb，AlSb可以靈活地設(shè)計(jì)成各種新型材料及器件，在近年來(lái)受到了廣泛的重視。尤其是InAs/GaSb 超晶格具有獨(dú)特的II 型能帶結(jié)構(gòu)，在制作高性能紅外探測(cè)器方面具有很大的潛力［1］。通過(guò)改變超晶格中每個(gè)周期的InAs 或GaSb 的厚度，可以使超晶格吸收截止波長(zhǎng)覆蓋2.7 ～30 μm 的紅外波段，有利于實(shí)現(xiàn)多光譜探測(cè)的需求，同時(shí)其探測(cè)性能可以與碲鎘汞探測(cè)器(MCT)相比擬［2］。由于靈活的材料體系，可以在器件結(jié)構(gòu)中很方便地加入勢(shì)壘層，提高器件工作溫度和減小暗電流［3］。與MCT 相比，MBE外延的InAs/GaSb 材料具有非常好的均勻性，非常適合制作大面陣焦平面探測(cè)器［4-5］。

超晶格探測(cè)器的性能與材料生長(zhǎng)質(zhì)量有很大的關(guān)系，尤其是InAs 和GaSb 的界面，對(duì)外延參數(shù)有很苛刻的要求［6］。本文介紹了中波段InAs/GaSb超晶格材料的優(yōu)化及表征，分析了不同界面對(duì)超晶格質(zhì)量的影響。采用優(yōu)化的生長(zhǎng)條件，制備了中波紅外單元器件并分析表征。最后成功制作了320×256 紅外焦平面器件。

1 材料外延及分析

由于InAs/GaSb 超晶格的兩種材料不共用原子，因此材料的界面有GaAs 和InSb 兩種。界面質(zhì)量對(duì)材料的性能至關(guān)重要，良好的界面表現(xiàn)為界面平整，可平衡材料的應(yīng)力，并減少兩種材料中元素的互混。InAs 和GaSb 有0.6%的晶格失配，如果不調(diào)整應(yīng)力，生長(zhǎng)一定厚度后超晶格會(huì)發(fā)生弛豫，產(chǎn)生大量的位錯(cuò)，從而大大影響超晶格的性能。在生長(zhǎng)過(guò)程中，As 和Sb 可分別互混到GaSb和InAs 中。對(duì)于不同厚度的材料，其最優(yōu)的界面生長(zhǎng)方式不同。界面生長(zhǎng)的方法有許多種［7］，主要有生長(zhǎng)中斷法［8］、表面遷移率增強(qiáng)法［9］，以及五族元素浸潤(rùn)法［10］等。本文采用了生長(zhǎng)中斷法和表面遷移率增強(qiáng)(MEE)法。

InAs/GaSb 超晶格材料由Veeco Gen II 分子束外延系統(tǒng)外延在n 型GaSb(001)襯底上。外延過(guò)程為:先在襯底上外延0.25 μm 的GaSb 緩沖層，然后將襯底溫度降至超晶格的生長(zhǎng)溫度，生長(zhǎng)100 周期的超晶格。

生長(zhǎng)中斷法是在生長(zhǎng)完超晶格中的8個(gè)原子層的InAs 以后，中斷生長(zhǎng)，讓InAs 表面的As 盡量地?fù)]發(fā)，然后生長(zhǎng)短時(shí)間的InSb 界面，接著生長(zhǎng)8個(gè)原子層的GaSb，中斷后又開(kāi)始生長(zhǎng)下一個(gè)周期的InAs，以此循環(huán)。通過(guò)變化中斷時(shí)間和InSb 界面生長(zhǎng)時(shí)間可以調(diào)整材料的應(yīng)力。

表面遷移率增強(qiáng)(MEE)法是在生長(zhǎng)完InAs后，分別In 浸潤(rùn)和Sb 浸潤(rùn)一段時(shí)間再生長(zhǎng)GaSb。GaSb 生長(zhǎng)完后采用與中斷法相同的中斷一段時(shí)間后再生長(zhǎng)InAs 的方法。這種方法主要通過(guò)修改In和Sb 的浸潤(rùn)時(shí)間來(lái)調(diào)整應(yīng)力。

為消除應(yīng)力的影響，兩種試驗(yàn)片均調(diào)整好應(yīng)力，從兩個(gè)樣品的(004)ω-2θ 高分辨X 射線衍射(HRXRD)圖像(圖1)可以看出，兩個(gè)樣品超晶格0 級(jí)峰均與GaSb 襯底峰基本重合，應(yīng)力小于100 ppm，說(shuō)明超晶格與襯底晶格匹配。

表1 為兩種界面生長(zhǎng)方式的測(cè)試結(jié)果，從兩個(gè)材料的半峰寬可以看到，采用生長(zhǎng)中斷法的材料質(zhì)量好于MEE 法生長(zhǎng)的材料質(zhì)量。用原子力顯微鏡測(cè)試兩樣品10 μm×10 μm 的RMS，也顯示出生長(zhǎng)中斷法的表面更平整，如圖2 所示。

圖1 生長(zhǎng)中斷法和MEE 法生長(zhǎng)的超晶格材料HRXRD 圖

表1 兩種界面生長(zhǎng)方式的測(cè)試結(jié)果

圖2 生長(zhǎng)中斷法和MEE 法生長(zhǎng)的超晶格材料原子力顯微鏡圖像

對(duì)于長(zhǎng)波超晶格材料，文獻(xiàn)報(bào)道MEE 法優(yōu)于生長(zhǎng)中斷法［11］。這可能是由于在中波超晶格的生長(zhǎng)過(guò)程中，為了平衡應(yīng)力，界面所需的InSb 非常少。在MEE 法中，In 浸潤(rùn)僅生長(zhǎng)了0.4個(gè)原子層的In，在隨后的Sb 長(zhǎng)時(shí)間浸潤(rùn)時(shí)，無(wú)法阻止Sb 互混到InAs 中，導(dǎo)致材料性質(zhì)更差。而在生長(zhǎng)中斷法中，InSb 生長(zhǎng)時(shí)間非常短，原子互混少。

2 單元器件工藝及性能分析

采用優(yōu)化后的中波超晶格的外延參數(shù)，生長(zhǎng)了PIN 型超晶格紅外探測(cè)器，吸收區(qū)為2 μm，器件結(jié)構(gòu)如圖3 所示。

由此制作了400 μm×400 μm 的方形臺(tái)面單元器件。臺(tái)面采用磷酸、檸檬酸、雙氧水混合腐蝕液腐蝕，之后陽(yáng)極硫化電鍍30 nm 的鈍化膜以飽和側(cè)壁的懸掛鍵，緊接著反應(yīng)磁控濺射生長(zhǎng)200 nm 的SiO2用于物理保護(hù)，光刻后用NH3F 和HF 混合溶液開(kāi)孔，最后電子束蒸發(fā)生長(zhǎng)上下電極Ti(50 nm)/ Pt(50 nm)/Au(300 nm)，然后剝離形成電極圖形。

圖3 中波PIN 超晶格紅外探測(cè)器結(jié)構(gòu)

器件經(jīng)無(wú)反射膜處理，最后裝入液氮杜瓦瓶?jī)?nèi)測(cè)試分析，圖4 為單元器件的響應(yīng)譜和微分電阻曲線圖。由圖知，探測(cè)器的R0A 值達(dá)到3 108 Ω·cm2，響應(yīng)截止波長(zhǎng)5 μm，在3.3 μm 處量子效率53%，探測(cè)率2.14 ×1012cm·Hz1/2/W。

圖4 單元器件的響應(yīng)譜和微分電阻

3 焦平面器件

用相同的中波材料結(jié)構(gòu)制作了320 ×256 元的中波紅外焦平面探測(cè)器，ICP 刻蝕30 μm ×30 μm大小的臺(tái)面，采用與單管相同的鈍化工藝，之后采用倒裝焊工藝用In 柱連接焦平面器件和讀出集成電路(ROIC)，最后將GaSb 襯底減薄后進(jìn)行測(cè)試。

測(cè)試結(jié)果焦平面的探測(cè)率為1.58 ×109cm·Hz1/2/W，NETD 97.2mK，盲元率12%。最終成像結(jié)果如圖5 所示。由于焦平面工藝的復(fù)雜性，其性能與單元器件有很大差距，隨著工藝的水平提高，以后焦平面的性能會(huì)大大地提升。

圖5 320 ×256 元中波紅外焦平面成像

4 結(jié) 論

采用分子束外延在GaSb 襯底上生長(zhǎng)了高質(zhì)量的中波段InAs/GaSb 超晶格紅外探測(cè)器材料，對(duì)比表明:對(duì)于中波超晶格材料，生長(zhǎng)中斷法優(yōu)于表面遷移率增強(qiáng)法，超晶格與襯底失配小于1 ×10-4，100 周期超晶格的HRXRD 圖像的1 級(jí)峰半峰寬38 arcsec。2 μm 的吸收區(qū)的中波紅外單元器件在3.3 μm 處的量子效率53%，探測(cè)率2.14 ×1012cm·Hz1/2/W。320 ×256 元的焦平面器件的NETD 97.2 mK，盲元率為12%。從單元器件的性能來(lái)看，焦平面的工藝水平還有待提高。

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