鄧思建 譚堅文, 廖瑞金 葉方偉 曾德平 劉青松
(1. 重慶醫(yī)科大學(xué)生物醫(yī)學(xué)工程學(xué)院省部共建超聲醫(yī)學(xué)工程國家重點實驗室 重慶 400016 2. 重慶通信學(xué)院特種電源重點實驗室 重慶 400035 3. 重慶大學(xué)輸配電裝備及系統(tǒng)安全與新技術(shù)國家重點實驗室 重慶 400030)
E類功率放大器由于電路結(jié)構(gòu)簡單、工作效率高等優(yōu)點而廣泛應(yīng)用在通信發(fā)射機(jī)和各類高頻電源中[1-5],其處于最優(yōu)工作狀態(tài)時,開關(guān)管滿足零電壓開關(guān)(ZVS)條件,理論工作效率可達(dá)100%。
E類功率放大器可通過電壓幅值調(diào)整、驅(qū)動信號脈寬調(diào)制(PWM)和負(fù)載阻抗調(diào)整三種手段實現(xiàn)輸出功率調(diào)節(jié),對于要求輸出功率穩(wěn)定的場合,則要求直流供電電壓、驅(qū)動信號占空比以及負(fù)載阻抗恒定。在天線發(fā)射、超聲換能器驅(qū)動等許多應(yīng)用場合[6-8],由于工作環(huán)境等因素影響,功率放大器的負(fù)載阻抗將發(fā)生動態(tài)變化,使負(fù)載阻抗偏離理論設(shè)計值,從而影響輸出功率和電路工作特性。解決負(fù)載阻抗動態(tài)變化的一種有效途徑是采用自動阻抗匹配系統(tǒng)[9,10],通過實時檢測阻抗值,動態(tài)調(diào)整匹配電路參數(shù)來實現(xiàn)等效負(fù)載阻抗的穩(wěn)定,從而穩(wěn)定E類功率放大器的輸出功率。受可調(diào)無源器件體積和功率的限制,在許多大功率場合無法應(yīng)用自動阻抗匹配系統(tǒng)。此外,自動阻抗匹配系統(tǒng)的調(diào)節(jié)速度難以提高,往往需要數(shù)秒時間才能實現(xiàn)準(zhǔn)確匹配,調(diào)節(jié)過程中對放大電路的瞬態(tài)影響不容忽視。負(fù)載阻抗變化范圍較大時,將極大地影響放大器輸出功率和工作特性,嚴(yán)重時甚至損壞開關(guān)管,因此有必要研究負(fù)載阻抗變化對E類功率放大電路工作特性的影響。
國內(nèi)外學(xué)者針對E類功率放大電路設(shè)計與分析方面的研究較多[4,11,12],但針對負(fù)載阻抗影響的相關(guān)研究報道較少。Suetsugu和Kazimierczuk對E類功率放大器動態(tài)響應(yīng)、參數(shù)偏差和負(fù)載變化影響進(jìn)行了理論推導(dǎo)[13-15],得出了E類功率放大電路輸出特性與電路各參數(shù)間的關(guān)系,但未針對負(fù)載變化問題進(jìn)行系統(tǒng)的研究,特別是在負(fù)載變化范圍較大的情況下,理論推導(dǎo)與仿真和實驗結(jié)果偏差較大。本文首先基于E類功率放大器的穩(wěn)態(tài)電路模型進(jìn)行了理論推導(dǎo),得到了輸出功率、工作效率和開關(guān)管應(yīng)力等參數(shù)與負(fù)載間的解析關(guān)系,提出了大范圍負(fù)載變化條件下的修正方法,并通過模擬仿真和電路實測對理論結(jié)果進(jìn)行驗證,所得結(jié)果為變負(fù)載條件下的E類功率放大器設(shè)計和分析提供了參考。
E類功率放大器的電路原理如圖 1a所示,由MOSFET開關(guān)管Q、RF扼流圈Lf和負(fù)載網(wǎng)絡(luò)組成,負(fù)載網(wǎng)絡(luò)由并聯(lián)電容C1、串聯(lián)諧振電感L、串聯(lián)諧振電容C和負(fù)載電阻R共同構(gòu)成。圖1b所示為E類功率放大電路理想情況下的等效電路[16],ID為直流輸入電流,is為開關(guān)管 Q的漏極電流,iC為并聯(lián)電容C1的電流,io為負(fù)載R的輸出電流,vs為漏極電壓,v1為通過理想諧振回路的電壓,vo為輸出電壓。諧振回路剩余電抗X由式(1)確定。
圖1 E類功率放大器電路原理圖Fig.1 Circuit schematic of class E power amplifier
當(dāng)開關(guān)管驅(qū)動信號的占空比D=0.5時,對理想工作狀態(tài)下的E類功率放大器進(jìn)行分析[16],可確定電路中負(fù)載諧振回路參數(shù)為
式中,ω=2πf,ω為電路的工作角頻率。
RF扼流圈Lf的最小電感值Lfmin=8.668 5R/f[16]。負(fù)載端輸出功率Po為
為研究負(fù)載阻抗變化對E類放大電路工作特性的影響,本文首先設(shè)計了直流電壓VD=100V、工作頻率f=1MHz、最大輸出功率為115W的E類放大器。根據(jù)式(4)~式(7)可確定電路各參數(shù)見表1,本文根據(jù)開關(guān)工作頻率和最大漏極電壓vsmax=3.562VD選擇IRF740作為開關(guān)器件[16]。
表1 E類功率放大器中各元件值Tab.1 Component values of class E power amplifier
E類功率放大器負(fù)載發(fā)生變化時,輸出功率的變化規(guī)律是人們關(guān)注的重點,本文首先通過理論推導(dǎo)得出負(fù)載R偏離最優(yōu)負(fù)載值Ropt情況下輸出功率與R之間的關(guān)系和規(guī)律[13],并通過模擬仿真和實驗測試對理論推導(dǎo)結(jié)果進(jìn)行了驗證。
假定RF扼流圈Lf的電感足夠大,電源電流為直流,所有元件均為理想元件,開關(guān)管無損耗。若開關(guān)管在[0,π]期間斷開,在[π,2π]期間導(dǎo)通,則根據(jù)圖1b有
開關(guān)管處于截止期間時,漏源電流is=0,ID=ic+io,假設(shè)輸出電流為正弦波,io=Iosin(ωt+φ),φ為初始相位,則開關(guān)管在截止期的漏極電壓vs(ωt)為
整個[0,2π]周期內(nèi),RF扼流圈Lf兩端的直流電壓降為零,因此有
串聯(lián)諧振負(fù)載回路在工作頻率時的等效負(fù)載Zl=R+jX,其 中X=ωL-1/(ωC)。 負(fù) 載 回 路 電 壓vl=IoRsin(ωt+φ)+jXIocos(ωt+φ)。諧振回路電壓vl為漏極電壓vs的基波分量,根據(jù)傅里葉級數(shù)展開公式有
由式(8)~式(10)可得
根據(jù)式(11),負(fù)載R變化時負(fù)載電流相位φ如圖2所示,由該圖可見,負(fù)載R變化對相位φ的影響較小,R在[1Ω,100Ω]區(qū)間變化時相位φ約為-32.5°。式(7)確定了開關(guān)管漏極電壓vs(ωt),將上節(jié)設(shè)計的電路參數(shù)代入,可得vs波形如圖3所示。當(dāng)負(fù)載R<Ropt時,開關(guān)管漏極電壓在導(dǎo)通時已提前降為零(見圖3),開關(guān)管實現(xiàn)零電壓導(dǎo)通;而當(dāng)負(fù)載R>Ropt時,開關(guān)管漏極電壓在導(dǎo)通前大于零(見圖3),此時無法滿足零電壓導(dǎo)通條件。由圖3可知,R<Ropt時式(8)中的積分時間需調(diào)整為vs(ωt)的正半周期間。根據(jù)放大電路輸出功率式(12)和式(13)可得到負(fù)載R變化條件下的電路運行參數(shù)和輸出功率。對于第2節(jié)中設(shè)計的E類放大器,輸出功率與負(fù)載R之間的關(guān)系如圖4所示。
圖2 負(fù)載R變化時負(fù)載電流的相位φFig.2 Phase of the load current versusR
圖3 不同負(fù)載R時的漏極電壓波形Fig.3 Drain voltage waveform of different loadR
為驗證理論推導(dǎo)結(jié)果,在 Saber環(huán)境中對第 2節(jié)設(shè)計的E類放大電路(見圖1)進(jìn)行了仿真,建立針對負(fù)載R的參數(shù)掃描,通過瞬態(tài)分析得出的負(fù)載與輸出功率曲線如圖4所示。本文同時搭建了表1所示參數(shù)的E類放大器,通過改變負(fù)載R的值(R取值分別為 5Ω、10Ω、20Ω、25Ω、50Ω、100Ω 和500Ω)并測量負(fù)載端的輸出功率,得到實際電路中負(fù)載與輸出功率的關(guān)系,同樣在圖4中給出。由該圖可見,理論推導(dǎo)結(jié)果與 Saber仿真和實驗結(jié)果吻合度很高,負(fù)載R變化對輸出功率影響較大,當(dāng)負(fù)載偏離最優(yōu)負(fù)載Ropt較遠(yuǎn)時,輸出功率下降迅速。通過推導(dǎo)的式(11)~式(13)可確定不同負(fù)載R下的輸出功率和電路運行參數(shù),并可判斷輸出功率所容許的負(fù)載R變化范圍。
圖4 不同負(fù)載R時的輸出功率Fig.4 Output power of different loadR
E類功率放大電路的開關(guān)損耗包括關(guān)斷損耗與導(dǎo)通損耗,其中導(dǎo)通損耗包括開關(guān)管在導(dǎo)通過程中的導(dǎo)通損耗和導(dǎo)通期間的導(dǎo)通電阻損耗。開關(guān)管關(guān)斷損耗如圖5所示。開關(guān)管在關(guān)斷過程中,受線路電感影響,漏極電流的下降時間為tf(見圖5b),產(chǎn)生關(guān)斷損耗Ptf
圖5 開關(guān)管關(guān)斷損耗示意圖Fig.5 Schematic of switching-off power loss
由上式可知,關(guān)斷損耗Ptf與輸出功率Po和工作頻率成正比。
當(dāng)負(fù)載R≤Ropt時,開關(guān)管滿足ZVS條件,開關(guān)管在導(dǎo)通過程中的導(dǎo)通損耗Pton為零。開關(guān)管在導(dǎo)通期間的導(dǎo)通電阻損耗PrDS是漏極電流is在導(dǎo)通電阻rDS產(chǎn)生的損耗為
E類放大電路的總開關(guān)損耗PLoss=Ptf+Pton+PrDS,則電路的工作效率
開關(guān)管在滿足ZVS條件時,導(dǎo)通損耗Pton為零,對第 2節(jié)中設(shè)計的 E類放大電路,根據(jù)開關(guān)管IRF740的器件參數(shù),令rDS=0.5Ω,tf=10ns,電路工作效率如圖6所示。圖中同樣給出了Saber仿真和實際電路的工作效率,由該圖可見式(16)與仿真結(jié)果吻合度較高,電路實測效率由于器件損耗等因素影響而略低。電路在最優(yōu)負(fù)載Ropt時的工作效率最高,當(dāng)負(fù)載偏離Ropt時,工作效率相應(yīng)降低。值得指出的是,當(dāng)負(fù)載R>Ropt時,開關(guān)管在導(dǎo)通瞬間,漏極電壓不為零,不滿足ZVS條件,因而在導(dǎo)通過程中產(chǎn)生較高的脈沖漏極電流,如圖7所示,形成導(dǎo)通損耗Pton。因此當(dāng)負(fù)載R>Ropt時,仿真和電路實測效率略低于理論結(jié)果。
圖6 工作效率與負(fù)載R之間的關(guān)系Fig.6 Relationship between efficiency andR
圖7R>Ropt時開關(guān)管導(dǎo)通損耗示意圖Fig.7 Schematic of switching-on power loss whenR>Ropt
負(fù)載R變化對E類功率放大器的電路運行參數(shù)產(chǎn)生較大影響,特別是當(dāng)開關(guān)器件的電流和電壓應(yīng)力超過器件允許范圍時,將使開關(guān)管過熱,嚴(yán)重時將損壞開關(guān)管。
開關(guān)管在關(guān)斷期間(ωt∈[0,π]),漏極電壓vs(ωt)由式(7)確定。通過式(7)~式(13)進(jìn)行解析求解時,若R<Ropt,vs(ωt)在關(guān)斷期間將提前降為零,因此式(8)中的積分時間需調(diào)整為vs(ωt)的正半周期間。將該式中積分函數(shù)采用(abs(vs)+vs)/2代替,得到表2所示E類放大電路中負(fù)載R的變化與開關(guān)管漏極電壓峰值 max(vs)的關(guān)系,如圖 8所示。圖8中也給出了由Saber進(jìn)行參數(shù)掃描得到的仿真結(jié)果,與解析推導(dǎo)結(jié)果吻合得較好。為進(jìn)一步驗證理論推導(dǎo)和仿真結(jié)果,對表2所示E類放大電路,分別實測了負(fù)載R為15Ω、50Ω和150Ω時的漏極電壓,表2給出了漏極電壓峰值的理論推導(dǎo)、仿真及實測結(jié)果的對比。由圖8和表2可見,負(fù)載R變化對開關(guān)漏極電壓峰值有較大影響,漏極電壓峰值與負(fù)載R成反比,因此當(dāng)R<Ropt時,由于漏極電壓峰值升高,有可能超過開關(guān)管的耐壓值,使開關(guān)管發(fā)生擊穿損壞。
表2 不同負(fù)載R下漏極電壓峰值max(vs)比較Tab.2 Comparison of max(vs)of differentR(單位:V)
圖8 負(fù)載R與開關(guān)管漏極電壓峰值max(vs)間的關(guān)系Fig.8 Relationship between max(vs)andR
開關(guān)管在導(dǎo)通期間(ωt∈[π,2π]),漏極電流is(ωt)=ID-Iosin(ωt+φ),通過式(7)~式(13)進(jìn)行解析求解,得到表1所示E類放大電路中負(fù)載R的變化與開關(guān)管漏極電流峰值max(is)的關(guān)系,如圖9所示。圖9中同樣給出了由Saber進(jìn)行參數(shù)掃描得到的仿真結(jié)果,在負(fù)載R較小時,理論結(jié)果與仿真結(jié)果存在偏差,這是由于R<Ropt時漏極電壓提前降為零,由前述積分時間和積分函數(shù)調(diào)整所導(dǎo)致的誤差。由圖9可知,R<Ropt時漏極電流峰值隨負(fù)載的增大而逐漸減小,漏極電流峰值的最大值出現(xiàn)在R<Ropt時,因此當(dāng)R<Ropt時,由于漏極電流峰值升高,有可能超過開關(guān)管的最大通流能力,使開關(guān)管發(fā)生過熱損壞。值得指出的是,當(dāng)R>Ropt時,由于開關(guān)管導(dǎo)通時漏極電壓vs不為零,因而在關(guān)斷瞬間漏極將產(chǎn)生脈沖電流,由于脈沖電流持續(xù)時間短,在以上分析漏極電流峰值 max(is)時未考慮該脈沖電流峰值。
圖9 漏極電流峰值max(is)與負(fù)載R間的關(guān)系Fig.9 Relationship between max(is)andR
應(yīng)用在通信發(fā)射、無線電能傳輸和超聲功率等領(lǐng)域的E類功率放大電路均可能面臨負(fù)載阻抗變化的情況,為進(jìn)一步說明推導(dǎo)的解析結(jié)果對電路設(shè)計的指導(dǎo)意義,本文設(shè)計了一種聚焦超聲治療設(shè)備所需的超聲功率源。功率源采用E類功率放大電路,工作頻率為10MHz,設(shè)計輸出功率為50W,直流供電電壓為48V。由于超聲換能器在工作過程中等效電阻抗將發(fā)生動態(tài)變化[8],因此需要考慮負(fù)載阻抗變化對E類功率放大器的影響。
根據(jù)本文第2節(jié)中的設(shè)計流程,超聲功率源電路參數(shù)的理論設(shè)計值見表3(負(fù)載諧振回路Q值為7),根據(jù)開關(guān)工作頻率和最大漏極電壓vsmax=3.562VD選擇美國 IXYS公司的射頻功率 MOSFET DE150—501N04A作為放大器的主開關(guān)器件,并采用LM5114作為開關(guān)管的柵極驅(qū)動,設(shè)計制作的超聲功率源實物如圖10所示。表3同時給出了考慮開關(guān)管極間電容Coss為90pF后的實際電路參數(shù)。
表3 設(shè)計實例中E類功率放大器各元件值Tab.3 Component values of class E power amplifier
圖10 超聲功率源實物圖Fig.10 Photo of the designed ultrasound power source
根據(jù)第3節(jié)的推導(dǎo)結(jié)果和第5節(jié)的分析方法,取初始相位φ為-32.5°,由式(7)、式(12)和式(13)可得到不同負(fù)載下開關(guān)管的漏極電壓峰值。根據(jù)器件手冊,開關(guān)管DE150—501N04A的VDSS為500V。由解析推導(dǎo)可知當(dāng)負(fù)載電阻R<12Ω時,漏極電壓峰值 max(vs)將超過開關(guān)管的耐壓,因此可將負(fù)載電阻的取值范圍設(shè)為R[0.5∈Ropt,+∞]。當(dāng)輸出回路斷路時,負(fù)載取值趨向于無限大,此時漏極電壓峰值小于最優(yōu)負(fù)載時的情形。通過實驗得知,當(dāng)負(fù)載為12.5Ω時漏極電壓峰值為485V,與理論結(jié)果吻合得較好。
根據(jù)第3節(jié)中負(fù)載變化對輸出功率影響的分析方法,當(dāng)負(fù)載R分別取值為5Ω、15Ω、25Ω和50Ω時,對應(yīng)的輸出功率見表4所示,表中同時給出了實際電路的實測功率值。由表4可知,不同負(fù)載下輸出功率的理論預(yù)測值與實測值接近,通過本文得出的理論結(jié)果可確定E類功率放大器的負(fù)載容許變化范圍,預(yù)測不同負(fù)載下的輸出功率和電路運行參數(shù)。
表4 超聲功率源在不同負(fù)載下的輸出功率和效率Tab.4 Output power and efficiency of ultrasound power source with different loads
E類功率放大器的負(fù)載變化對輸出功率、效率和開關(guān)應(yīng)力等工作特性影響較大,本文從理論上對E類功放的電路參量進(jìn)行了理論分析和推導(dǎo),得到輸出功率、工作效率和漏極電壓等參數(shù)與負(fù)載之間的解析關(guān)系,并通過 Saber電路仿真和實際電路測試對理論推導(dǎo)結(jié)果進(jìn)行了驗證,最后通過E類功率放大器的設(shè)計實例進(jìn)一步闡述了理論推導(dǎo)結(jié)果的實際應(yīng)用。本文分析結(jié)果表明,負(fù)載R偏離最優(yōu)負(fù)載Ropt時,輸出功率下降,工作效率降低;當(dāng)R<Ropt時,開關(guān)管漏極電壓和電流峰值均升高,嚴(yán)重時將因電壓和電流應(yīng)力過高而損壞開關(guān)管,負(fù)載降低對E類功率放大器的工作特性更為不利。
應(yīng)用在通信發(fā)射、無線電能傳輸和超聲功率等領(lǐng)域的E類功率放大電路均可能面臨負(fù)載阻抗變化的情況,本文得出的理論結(jié)果可確定E類功率放大器的負(fù)載容許變化范圍,預(yù)測不同負(fù)載下的輸出功率和電路運行參數(shù),也為變負(fù)載條件下的E類功率放大電路設(shè)計和分析提供了重要參考。
[1] 曹韜,呂立明. 高效率 E類功放在遙測發(fā)射機(jī)中的應(yīng)用[J]. 微波學(xué)報,2012,28(5): 56-60.
Cao Tao,Lü Liming. Application of high efficiency class E power amplifier in telemetry transmitter[J].Journal of Microwaves,2012,28(5): 56-60.
[2] 林金海,張耀升. 高頻高壓 E類逆變電源[J]. 天津大學(xué)學(xué)報,1998,31(1): 125-128.
Lin Jinhai,Zhang Yaosheng. High freqyency high voltage class E invertering power supply[J]. Journal of Tianjin University,1988,31(1): 125-128.
[3] 王春芳,徐勤超. 變頻微波爐電源用LLC諧振變換器[J]. 電工技術(shù)學(xué)報,2012,27(6): 103-109.
Wang Chunfang,Xu Qinchao. Study of LLC resonant converter for variable-frequence microwave oven power supply[J]. Transactions of China Electrotechnical Society,2012,27(6): 103-109.
[4] 王正仕,樓珍麗,陳輝明. 零電壓雙 LLC諧振軟開關(guān)超高頻感應(yīng)加熱電源變換器[J]. 電工技術(shù)學(xué)報,2007,22(9): 99-106.
Wang Zhengshi,Lou Zhenli,Chen Huiming. Zero voltage dual-LLC resonant soft switching converter for super high frequency induction heating power supplies[J]. Transactions of China Electrotechnical Society,2007,22(9): 99-106.
[5] Wang G,Liu W,Sivaprakasam M,et al. Design and analysis of an adaptive transcutaneous power telemetry for biomedical implants[J]. IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers,2005,52(10):2109-2117.
[6] 武軍偉,龔子平,萬顯榮,等. 基于簡化實頻方法的寬帶天線阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)設(shè)計[J]. 電波科學(xué)學(xué)報,2011,26(2): 382-387.
Wu Junwei,Gong Ziping Wan Xianrong,et al. Design of broadband antenna impedance matching network based on simplified real frequency technique[J]. Chinese Journal of Radio Science,2011,26(2): 382-387.
[7] 朱旭,朱義勝. 負(fù)載變化對設(shè)計二端口網(wǎng)絡(luò)傳輸特性的影響[J]. 電子與信息學(xué)報,2010,32(1): 231-234.
Zhu Xu,Zhu Yisheng. Transmission characteristics of two-port network terminated in varying load[J]. Journal of Electronics & Information Technology,2010,32(1):231-234.
[8] Liao R J,Tan J W,Wang H. Q-based design method for impedance matching network considering load variation and frequency drift[J]. Microelectronics Journal,2011,42(2): 403-408.
[9] Ida I,Takada J,Toda T,et al. An adaptive impedance matching system for mobile communication antennas[C]. IEEE Proceedings of the Antennas and Propagation Society International Symposium,2004,2: 563-567.
[10] Liao R J,Tan J W,Wang H,et al. Dynamic performance analysis of T network impedance matching[J]. Transactions on Circuit and Systems,2012,11(2): 33-42.
[11] 曹韜,何松柏,游飛. 有限容值隔直電容逆 E類功放的分析與設(shè)計[J]. 微波學(xué)報,2010,26(6): 65-70.
Cao Tao,He Songbai,You Fei. Analysis and design of inverse class-E power amplifiers with finite DC blocking capacitance[J]. Journal of Microwaves,2010,26(6): 65-70.
[12] 劉慶豐,王華民,冷朝霞,等. 基于多電平逆變器的高頻感應(yīng)加熱電源若干問題的研究[J]. 電工技術(shù)學(xué)報,2007,22(6): 82-88.
Liu Qingfeng,Wang Huamin,Leng Zhaoxia,et al.Study of several problems for high frequency induction heating power supply based on multilevel inverter[J].Transactions of China Electrotechnical Society,2007,22(6): 82-88.
[13] Suetsugu T,Kazimierczuk M. Steady-state behavior of class E amplifier outside designed conditions[C].IEEE International Symposium on the Circuits and Systems,2005,1: 708-711.
[14] Suetsugu T,Kazimierczuk M. Analysis of transient behavior of class E amplifier due to load variations[C]. 2011 IEEE Ninth International Conference on the Power Electronics and Drive Systems(PEDS),2011:600-603.
[15] Suetsugu T,Kazimierczuk M K. Analysis of dynamic frequency response of class E amplifier[C]. IEEE International Symposium on the Circuits and Systems,2009: 2866-2869.
[16] Kazimierczuk M K. RF power amplifiers[M]. John Wiley & Sons Inc.,2008.