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        納米碳化硅/硅橡膠復(fù)合物介電性研究

        2015-09-21 10:48:49王飛風(fēng)張沛紅高銘澤

        王飛風(fēng)++張沛紅++高銘澤

        摘要:制備了質(zhì)量分?jǐn)?shù)分別為1%、2%、3%、4%、5%、6%和7%的納米碳化硅/硅橡膠復(fù)合物,利用寬頻介電譜測試儀測試了不同碳化硅含量的納米碳化硅/硅橡膠復(fù)合物的介電譜特性.結(jié)果表明:納米碳化硅/硅橡膠復(fù)合物的介電常數(shù)在室溫下隨碳化硅含量的增加而增加,且在頻率小于1Hz時,復(fù)合物的介電常數(shù)小于純硅橡膠的介電常數(shù).當(dāng)頻率小于50Hz時,復(fù)合物的介質(zhì)損耗角正切隨碳化硅含量的增加而降低,當(dāng)頻率大于lkHz,復(fù)合物的介質(zhì)損耗角正切隨碳化硅含量的增加而增加,同時研究了納米碳化硅/硅橡膠復(fù)合物的擊穿特性,通過交流擊穿試驗可知,納米碳化硅/硅橡膠復(fù)合物的擊穿場強隨納米碳化硅含量的增加先增加后降低,當(dāng)碳化硅質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3%時,擊穿場強出現(xiàn)最大值.

        關(guān)鍵詞:納米碳化硅/硅橡膠復(fù)合物;介電譜特性;擊穿特性

        DOI: 10.15938/j.jhust.2015.03.016

        中圖分類號:TM215

        文獻標(biāo)志碼:A

        文章編號:1007-2683 (2015)03-0082-04

        0 引 言

        納米科學(xué)技術(shù)的發(fā)展為新材料的開發(fā)和對現(xiàn)有材料的改性提供了新的思路和途徑,從20世紀(jì)90年代起,國內(nèi)外學(xué)者對納米無機物改善聚合物性能作了廣泛研究,在聚合物如聚乙烯、聚丙烯、環(huán)氧樹脂、低密度聚乙烯、硅橡膠、聚酰亞胺等中填加納米無機物如二氧化硅、二氧化鈦、氧化鋅、氧化鎂、碳化硅、碳納米管、蒙脫土等,與傳統(tǒng)聚合物比較,納米復(fù)合物的電、熱和機械性能有了很大的改善.

        碳化硅是非線性無機材料,在均勻電場方面得到廣泛應(yīng)用,在聚合物中加入納米尺度的碳化硅,可使復(fù)合物的電導(dǎo)率隨著場強的改變呈現(xiàn)出非線性變化,目前對納米碳化硅復(fù)合物的研究多集中于其非線性電導(dǎo)特性,得出納米碳化硅復(fù)合材料的電導(dǎo)率隨碳化硅含量的增加而增大,當(dāng)外加電場達到一定值時,納米碳化硅復(fù)合材料的電導(dǎo)特性曲線出現(xiàn)拐點,導(dǎo)電機理發(fā)生改變.在同一碳化硅含量,同一電場強度下,納米碳化硅復(fù)合物的電導(dǎo)率大于微米碳化硅復(fù)合物的電導(dǎo)率,且在同一體積分?jǐn)?shù)下,添加納米級碳化硅的復(fù)合物的非線性導(dǎo)電特性比添加微米級碳化硅的復(fù)合物要好,同時也對 晶型的納米碳化硅復(fù)合物的非線性電導(dǎo)特性進行對比,結(jié)果表明,當(dāng)外加電場強度相等時,在相同的碳化硅含量下,β晶型的碳化硅復(fù)合物的電導(dǎo)率比α晶型的碳化硅復(fù)合物的電導(dǎo)率高幾個數(shù)量級,且β晶型復(fù)合物的非線性電導(dǎo)系數(shù)大約是α晶型復(fù)合物的兩倍等結(jié)論

        研究表明,當(dāng)納米碳化硅質(zhì)量分?jǐn)?shù)達到5%以上時,納米碳化硅/硅橡膠復(fù)合物才會出現(xiàn)非線性電導(dǎo)特性.為了研究低的碳化硅含量對硅橡膠復(fù)合物介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切以及擊穿特性的影響,本文制備了納米碳化硅質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1%~7%納米碳化硅/硅橡膠復(fù)合物,測試了其介電譜特性和擊穿特性,得出復(fù)合物的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切隨納米碳化硅含量和頻率的變化規(guī)律,以及納米碳化硅含量對復(fù)合物擊穿特性的影響,研究表明,當(dāng)納米碳化硅含量低于使其復(fù)合物出現(xiàn)非線性電導(dǎo)特性的含量時,碳化硅的加入,會在介質(zhì)中產(chǎn)生大量的界面,從而影響復(fù)合物的極化,使其介質(zhì)特性發(fā)生改變.

        1 試樣制備

        試驗用的硅橡膠為上海硅山高分子材料有限公司生產(chǎn)的室溫硫化硅橡膠,納米碳化硅為北京德科島金科技有限公司生產(chǎn)的平均粒徑40 nm的口晶型納米碳化硅.將納米碳化硅加入硅橡膠中并將硅橡膠、交聯(lián)劑和催化劑按一定比例混合,在真空干燥箱中去除氣泡固化制成試樣.分別制備了純硅橡膠和質(zhì)量分?jǐn)?shù)分別為1%,2%,3%,4%,5%,6%,7%的納米碳化硅/硅橡膠復(fù)合物,試樣厚度0.4 mm.

        2 納米碳化硅/硅橡膠復(fù)合物的介電譜特性

        2.1試驗

        利用寬頻介電譜儀Concept 80測試了不同含量的納米碳化硅/硅橡膠復(fù)合物的介電譜特性,試驗頻率范圍10-1 HzlO-6Hz,試驗在室溫下進行,試驗前將試樣放入干燥箱中80℃短路處理24h,以去除試樣中的水分和表面電荷.

        2.2試驗結(jié)果

        純硅橡膠和1%-7%納米碳化硅含量的硅橡膠復(fù)合物的介電常數(shù)與頻率的關(guān)系如圖1所示,可以看出,隨碳化硅含量的增加,復(fù)合物的介電常數(shù)呈增加趨勢,但在頻率小于1Hz時,納米碳化硅的加入減小硅橡膠復(fù)合物的介電常數(shù).

        圖2為純硅橡膠和質(zhì)量分?jǐn)?shù)7%納米碳化硅的硅橡膠復(fù)合物的介質(zhì)損耗角正切與頻率的關(guān)系,從圖中可以看出:①不同含量納米碳化硅/硅橡膠復(fù)合物的介質(zhì)損耗角正切都是隨著頻率的增加而降低,②當(dāng)頻率大于1kHz時,復(fù)合物的介質(zhì)損耗角正切隨碳化硅含量的增加而增加.③當(dāng)頻率小于50Hz時,復(fù)合物介質(zhì)損耗角正切隨納米碳化硅含量的增加而降低.

        2.3結(jié)果分析

        圖1中納米復(fù)合物的介電常數(shù)隨碳化硅含量的增加而增加,符合Lichteneker-Rother方程 式中: 為復(fù)合物介電常數(shù); 和 分別為納米填充物和基體的介電常數(shù); 和 分別為填充物和基體的體積分?jǐn)?shù).本文中,納米碳化硅的介電常數(shù)為10,純硅橡膠的介電常數(shù)約為2.7,可知,復(fù)合物介電常數(shù)的增加是由于碳化硅材料高的介電常數(shù),且隨碳化硅含量增加,復(fù)合物介電常數(shù)增加,

        同時,復(fù)合物的介電常數(shù)取決于其極化和松弛機理,如圖3所示,不同頻率下極化機理不同.低頻下復(fù)合物的介電常數(shù)低于純硅橡膠是由于硅橡膠是極性材料,在頻率低于1z時,偶極子轉(zhuǎn)向極化作用加強,此時隨著頻率的降低,硅橡膠復(fù)合物介電常數(shù)增加,而納米碳化硅填加到硅橡膠中,減小了硅橡膠的自由體積,在一定程度上限制了復(fù)合物的偶極子轉(zhuǎn)向極化,使得低頻下納米碳化硅/硅橡膠復(fù)合物的介電常數(shù)低于純硅橡膠.

        圖2中復(fù)合物的介質(zhì)損耗角正切與納米碳化硅含量和頻率的關(guān)系可解釋為:①當(dāng)頻率大于l kHz時,納米復(fù)合物的介質(zhì)損耗角正切隨碳化硅含量增加而增加是因為在此頻率下,復(fù)合物電導(dǎo)損耗起主要作用,隨著碳化硅含量的增加,復(fù)合物的電導(dǎo)率增加.②當(dāng)頻率小于50Hz時,復(fù)合物介質(zhì)損耗角正切隨納米碳化硅含量的增加而降低,是因為在低頻下,偶極子轉(zhuǎn)向極化起主要作用,由于碳化硅含量越高,偶極子轉(zhuǎn)向極化越困難,此時純硅橡膠的介質(zhì)損耗角正切最大,納米碳化硅含量越高,納米碳化硅/硅橡膠復(fù)合物的介質(zhì)損耗角正切越小.③頻率大于50Hz小于1kHz區(qū)間,是一個過渡區(qū)域,兩種機理共同作用.

        3 納米碳化硅/硅橡膠復(fù)合物的擊穿特性

        3.1 試樣處理與試驗方法

        材料的擊穿場強是其電氣性能的重要參數(shù).本文利用CS2674C耐壓測試儀,測試了純硅橡膠和1%-7%納米碳化硅/硅橡膠復(fù)合物的擊穿場強.試驗電源電壓0-50kV,上下電極直徑分別為25mm和75mm,試驗在變壓器油中進行,采用手動升壓,升壓速度約為0.5kV/s.

        3.2試驗結(jié)果

        固體絕緣材料的擊穿場強受很多因素影響,是一個統(tǒng)計值,純硅橡膠和質(zhì)量分?jǐn)?shù)分別為1%、2%、3%、4%、5%、6%、7%納米碳化硅/硅橡膠復(fù)合物擊穿場強的威布爾分布如圖4所示,擊穿場強與納米碳化硅含量的關(guān)系如圖5所示,可以看出,復(fù)合物的擊穿場強隨碳化硅含量的增加先增加后降低.當(dāng)納米碳化硅質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3%時擊穿場強達到最大值33.30 kV/mm.

        3.3結(jié)果分析

        納米碳化硅/硅橡膠復(fù)合物擊穿場強隨碳化硅含量的增加而增加,當(dāng)碳化硅質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3%時達到最大值,這一變化規(guī)律與文的研究一致,出現(xiàn)這一現(xiàn)象的原因可能是復(fù)合物中加入的納米無機物限制了基體分子鏈的運動,減小了自由體積,提高了材料的固有介電強度,而當(dāng)納米無機物含量繼續(xù)增加時,納米顆粒間的距離減小,甚至出現(xiàn)界面重疊現(xiàn)象,由于無機相與有機相間的界面區(qū)域使載流子運動更加容易,導(dǎo)致出現(xiàn)逾滲現(xiàn)象,降低了復(fù)合物的擊穿場強.

        4 結(jié) 論

        本文研究了質(zhì)量分?jǐn)?shù)分別為1%,2%,3%,4%,5%,6%,7%的納米碳化硅/硅橡膠復(fù)合物的介電譜特性和擊穿特性,得到以下結(jié)論:

        1)納米碳化硅/硅橡膠復(fù)合物的介電常數(shù)隨碳化硅含量的增加而呈現(xiàn)增加的趨勢,但是在頻率低于1Hz時,納米碳化硅的加入降低了硅橡膠的介電常數(shù).

        2)在頻率高于1kHz時,納米碳化硅/硅橡膠復(fù)合物的介質(zhì)損耗角正切隨碳化硅含量的增加而增加,在頻率低于50Hz時,復(fù)合物的介質(zhì)損耗角正切隨納米碳化硅含量增加而降低.

        3)納米碳化硅/硅橡膠復(fù)合物的擊穿場強隨碳化硅含量的增加表現(xiàn)為先增加后降低,在納米碳化硅質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3%時,復(fù)合物的擊穿場強達到最大值。

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