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        地浸采鈾溶液中共存離子對(duì)氧化亞鐵硫桿菌活性的影響

        2015-06-27 05:55:19王清良邱冠周余潤(rùn)蘭胡鄂明張洪燦
        中國(guó)礦業(yè) 2015年6期
        關(guān)鍵詞:氧化亞鈾礦核電

        王清良,邱冠周,余潤(rùn)蘭,胡鄂明,張洪燦,熊 驍

        (1.中南大學(xué)資源加工與生物工程學(xué)院,湖南 長(zhǎng)沙 410083;2.南華大學(xué)核資源工程學(xué)院,湖南 衡陽(yáng) 421001)

        地浸采鈾溶液中共存離子對(duì)氧化亞鐵硫桿菌活性的影響

        王清良1,2,邱冠周1,余潤(rùn)蘭1,胡鄂明2,張洪燦2,熊 驍2

        (1.中南大學(xué)資源加工與生物工程學(xué)院,湖南 長(zhǎng)沙 410083;2.南華大學(xué)核資源工程學(xué)院,湖南 衡陽(yáng) 421001)

        地浸采鈾;共存離子;氧化亞鐵硫桿菌(T.f);活性

        日本福島核事故之后,雖然世界核電的發(fā)展驟然放緩,且我國(guó)政府出臺(tái)了“國(guó)四條”,規(guī)定在核電安全規(guī)劃出臺(tái)之前暫停審批新項(xiàng)目。但我國(guó)作為一個(gè)人口眾多、能源問(wèn)題十分突出的大國(guó),不可能放棄核電,發(fā)展核電是不可替代的選擇[1-2]。我國(guó)核電將在確保安全的前提下健康、穩(wěn)步發(fā)展[3]。如何提供足夠多的天然鈾以滿足核電建設(shè)的需要,對(duì)我國(guó)鈾礦工業(yè)來(lái)說(shuō)將是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。目前,低品位、難處理鈾礦成為當(dāng)今和今后開(kāi)采的主要資源,低品位、難處理的鈾礦資源給科研人員提出了挑戰(zhàn),必須研究新技術(shù)、新方法,例如地浸、原地爆破浸出、堆浸等工藝,降低低品位礦的采冶成本[4-5]。

        本文針對(duì)鈾礦浸出中可能存在的多種離子對(duì)T.f活性的影響,采用經(jīng)過(guò)某地浸采鈾礦山吸附尾液馴化的T.f,分別進(jìn)行了單一離子和多種離子共存時(shí)對(duì)T.f的活性影響試驗(yàn),可為今后細(xì)菌浸鈾的應(yīng)用提供參考依據(jù)。

        1 實(shí)驗(yàn)材料和方法

        1.1 實(shí)驗(yàn)材料

        1.1.1 鈾浸出液成分

        1.1.2 菌種和培養(yǎng)基

        試驗(yàn)所用菌種從某鈾礦山酸性礦坑水中取得,并經(jīng)過(guò)某地浸采鈾礦山吸附尾液的馴化,已基本能適應(yīng)地浸采鈾吸附尾液環(huán)境。細(xì)菌于HZQ-C型空氣浴振蕩器上進(jìn)行振蕩培養(yǎng),培養(yǎng)基成分見(jiàn)表2。

        表1 某地浸采鈾礦山浸出液成分

        表2 培養(yǎng)基成分

        1.2 細(xì)菌對(duì)離子的耐受性實(shí)驗(yàn)方法

        2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論

        地浸采鈾單一離子對(duì)T.f活性影響試驗(yàn)結(jié)果見(jiàn)圖1~9。

        圖1 T.f耐受試驗(yàn)

        圖2 T.f耐受試驗(yàn)

        圖3 T.f耐受不同Cl-濃度試驗(yàn)

        圖4 T.f耐受不同Zn2+濃度試驗(yàn)

        從圖3可以看出,Cl-濃度對(duì)T.f活性有明顯影響,當(dāng)Cl-濃度為0.40~3.20g·L-1時(shí),隨著Cl-濃度升高,T.f活性越來(lái)越差,而且生長(zhǎng)曲線的延滯期、對(duì)數(shù)期分界不明顯。當(dāng)Cl-濃度為0.40g·L-1時(shí),接種后的菌液在第3天氧化還原電位即達(dá)到650mV,而Cl-濃度為3.20g·L-1時(shí),達(dá)到同樣的氧化還原電位則需要6天,與文獻(xiàn)[10]結(jié)果基本吻合。

        從圖4可以看出,當(dāng)Zn2+濃度為0.05~0.4g·L-1時(shí),Zn2+濃度對(duì)T.f活性影響不大,但延滯期和對(duì)數(shù)期分界不明顯。

        從圖5可以看出,Cu2+離子濃度對(duì)T.f活性影響較大,當(dāng)Cu2+離子濃度為0.10~3.2g·L-1時(shí),雖然T.f仍有活性,T.f生長(zhǎng)曲線基本相同,但其延滯期相差較大。當(dāng)Cu2+離子濃度達(dá)到3.2g·L-1時(shí),氧化還原電位在第7天才開(kāi)始較快升高,T.f延滯期由3天延長(zhǎng)至7天。在未馴化前Cu2+對(duì)T.f生長(zhǎng)活性的影響較大,經(jīng)馴化一段時(shí)間后,能在較高Cu2+濃度的培養(yǎng)基中生長(zhǎng),與文獻(xiàn)[6]和文獻(xiàn)[9]基本一致。

        圖5 T.f耐受不同Cu2+濃度試驗(yàn)

        圖6 T.f耐受不同Mn2+濃度試驗(yàn)

        從圖6可以看出,當(dāng)Mn2+濃度為0.05~0.40g·L-1時(shí),Mn2+濃度對(duì)T.f活性影響不大,延滯期基本相同。

        從圖7可以看出,Cr3+對(duì)T.f活性的影響與Mn2+相似,當(dāng)Cr3+濃度為0.05~0.40g·L-1時(shí),Cr3+濃度對(duì)T.f活性影響不大,延滯期為2天,比Mn2+少1天。

        從圖8可以看出,U對(duì)T.f活性存在較大影響,隨著U濃度提高,T.f活性不斷降低,T.f延滯期增長(zhǎng)。當(dāng)U濃度達(dá)到1.60g·L-1時(shí),T.f已失去活性,氧化還原電位基本不變,與文獻(xiàn)[11]基本一致。

        圖7 T.f耐受不同Cr3+濃度試驗(yàn)

        圖8 T.f耐受不同U濃度試驗(yàn)

        圖9 T.f耐受不同F(xiàn)-濃度試驗(yàn)

        從圖9可以看出,F(xiàn)-對(duì)T.f活性影響最大,低濃度的F-都將嚴(yán)重影響T.f活性。當(dāng)F-濃度為0.05g·L-1時(shí),T.f已基本失去活性。這要求在進(jìn)行菌種選育的時(shí)候,根據(jù)使用環(huán)境條件,首先盡可能選育得到對(duì)F-具有一定耐受性的原生菌株。結(jié)合后續(xù)的馴化、誘導(dǎo)技術(shù),對(duì)T.f進(jìn)行進(jìn)一步的耐F-馴化,可望使T.f的耐F-濃度得到較大幅度提高[12,14]。但地浸采鈾浸出液中F-濃度很低,如1.5 mg·L-1,T.f完全能夠適應(yīng)地浸采鈾環(huán)境條件。

        3 結(jié)論

        3)所選育的試驗(yàn)菌種對(duì)F-非常敏感,其耐受F-濃度僅為20 mg·L-1左右;如浸出液中F-濃度較高,這要求在進(jìn)行菌種選育的時(shí)候,首先盡可能選育得到對(duì)F-具有一定耐受性的原生菌株。結(jié)合后續(xù)的馴化、誘導(dǎo)技術(shù),對(duì)T.f進(jìn)行進(jìn)一步的耐F-馴化,可望使T.f的耐F-濃度得到較大幅度提高。

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        Effects of coexisting ions on activity of thiobacillus ferrooxidans in in-situ leaching of uranium

        WANG Qing-liang1,2,QIU Guan-zhou1,YU Run-lan1,HU E-ming2,ZHANG Hong-can2,XIONG Xiao2

        (1.School of Minerals Processing and Bioengineering,Central South University,ChangSha 410083,China;2.School of Nuclear Resource,University of South China,Hengyang 421001 ,China)

        in-situ leaching of uranium;coexisting ions;thiobacillus ferrooxidans(T.f);activity

        2014-06-02

        國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目資助(編號(hào):51154003);礦業(yè)工程湖南省重點(diǎn)學(xué)科資助

        王清良(1969-),男,湖南寧鄉(xiāng)人,博士研究生,主要從事微生物浸礦技術(shù)和溶浸采鈾技術(shù)研究,E-mail:nhwql@sina.com。

        X172

        A

        1004-4051(2015)06-0116-04

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