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        IC芯片頂拾工藝影響因素分析

        2015-05-16 01:58:21劉子陽(yáng)葉樂(lè)志莊文波
        電子工業(yè)專用設(shè)備 2015年1期
        關(guān)鍵詞:晶片設(shè)計(jì)

        劉子陽(yáng),葉樂(lè)志,王 磊,莊文波

        (北京中電科電子裝備有限公司,北京100176)

        IC芯片頂拾工藝影響因素分析

        劉子陽(yáng),葉樂(lè)志,王 磊,莊文波

        (北京中電科電子裝備有限公司,北京100176)

        通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體封裝工藝中芯片拾取過(guò)程及影響芯片拾取的關(guān)鍵參數(shù)研究,用正交試驗(yàn)法設(shè)計(jì)并試驗(yàn),得出了對(duì)于特定試驗(yàn)對(duì)象最優(yōu)的參數(shù)值組合,找出了對(duì)芯片拾取有較大影響的3個(gè)參數(shù),可用于今后芯片拾取研究的參考。

        IC芯片;正交試驗(yàn)設(shè)計(jì);芯片頂起;拾取

        20世紀(jì)80年代末,倒裝芯片得以組裝到硅或陶瓷基板上。由于半導(dǎo)體與基板的熱膨脹系數(shù)不匹配,導(dǎo)致可控硅芯片連接的焊點(diǎn)熱疲勞壽命低,這對(duì)芯片與底部基板的鍵合產(chǎn)生很大的沖擊。如何減小有機(jī)基板與硅芯片之間的熱膨脹系數(shù)差成為急需攻克的難題。1987年,日本日立公司通過(guò)填充樹(shù)脂(即底部填充膠)來(lái)匹配焊點(diǎn)的熱膨脹系數(shù),提高了焊點(diǎn)的熱疲勞壽命[1]。隨著芯片倒裝技術(shù)的不斷發(fā)展,近幾年倒裝芯片已經(jīng)成為高性能封裝事實(shí)上的互連方法,它的應(yīng)用得到廣泛快速的發(fā)展,如圖1所示。主要應(yīng)用在無(wú)線局域網(wǎng)絡(luò)天線(Wi-Fi)、系統(tǒng)封裝(SiP)、多芯片模塊(MCM)、圖像傳感器、微處理器、硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器、醫(yī)用傳感器以及無(wú)線射頻識(shí)別(RFID)等方面,如圖2所示。與此同時(shí),它已經(jīng)成為小型I/O應(yīng)用有效的互連解決方案。隨著微型化及SiP的普遍認(rèn)同,倒裝晶片被視為各種針腳數(shù)量低的應(yīng)用首選方法。從整體上看,倒裝已在低端應(yīng)用和高端應(yīng)用中被采用[2]。

        圖1 倒裝晶片發(fā)展歷史

        圖2 倒裝晶片應(yīng)用圖例

        1 試驗(yàn)設(shè)計(jì)簡(jiǎn)介

        試驗(yàn)設(shè)計(jì)是數(shù)理統(tǒng)計(jì)學(xué)的一個(gè)重要分支。其基本思想是英國(guó)統(tǒng)計(jì)學(xué)家費(fèi)歇爾(R.A.Fisher)在進(jìn)行農(nóng)業(yè)田間試驗(yàn)時(shí)提出的。他發(fā)現(xiàn)在田間試驗(yàn)中,環(huán)境條件難于嚴(yán)格控制,隨機(jī)誤差不可忽略,故提出對(duì)試驗(yàn)方案必須作合理的安排,使試驗(yàn)數(shù)據(jù)有合適的數(shù)學(xué)模型,以減輕隨機(jī)誤差的影響,從而提高試驗(yàn)結(jié)論的精度和可靠度,這就是試驗(yàn)設(shè)計(jì)的基本思想。20世紀(jì)三四十年代,英國(guó)、美國(guó)、蘇聯(lián)等國(guó)繼續(xù)對(duì)試驗(yàn)設(shè)計(jì)法進(jìn)行了研究,并將試驗(yàn)實(shí)際法逐步推廣到工業(yè)生產(chǎn)領(lǐng)域中,在采礦、冶金、建筑、紡織、機(jī)械、醫(yī)藥等行業(yè)都有所應(yīng)用。1949年,以田口玄一博士為首的一批研究人員,研究和改進(jìn)了英國(guó)人的試驗(yàn)設(shè)計(jì)技術(shù),創(chuàng)造了用正交表安排分析試驗(yàn)的正交試驗(yàn)設(shè)計(jì)法。我國(guó)從20世紀(jì)50年代后期,在注明統(tǒng)計(jì)學(xué)家許寶祿教授引導(dǎo)下,數(shù)學(xué)工作者才深入試驗(yàn)設(shè)計(jì)這個(gè)領(lǐng)域。20世紀(jì)60年代初,他領(lǐng)導(dǎo)了一個(gè)試驗(yàn)設(shè)計(jì)討論班,為國(guó)家培養(yǎng)了一批試驗(yàn)設(shè)計(jì)工作者。60年代末,中國(guó)科學(xué)院數(shù)學(xué)研究所統(tǒng)計(jì)組、北京大學(xué)數(shù)學(xué)系等單位的研究人員在正交設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)、理論和方法上都有新的見(jiàn)解,編制了一套較為適用的正交表,簡(jiǎn)化了試驗(yàn)程序和試驗(yàn)結(jié)果分析方法,創(chuàng)立了簡(jiǎn)單易懂的正交試驗(yàn)方法[3]。

        2 芯片拾取試驗(yàn)

        本試驗(yàn)是以北京中電科電子裝備有限公司研發(fā)的OCTOPUS-1000倒裝貼片設(shè)備為試驗(yàn)平臺(tái),以大小為1 mm×1 mm,厚度為0.2 mm的芯片為試驗(yàn)對(duì)象,采用應(yīng)用最為廣泛的正交試驗(yàn)設(shè)計(jì)法,對(duì)芯片拾取的幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù)進(jìn)行分析和研究。

        2.1 芯片拾取過(guò)程的分析

        芯片的拾取方式分為接觸式與非接觸式兩種,其區(qū)別在于拾取頭在下行時(shí)是否接觸芯片。接觸式拾取方式要求拾取頭在拾取芯片過(guò)程中不對(duì)芯片有過(guò)高的擠壓力;而非接觸式拾取方式要求拾取頭實(shí)行機(jī)構(gòu)具備高速高精度的點(diǎn)對(duì)點(diǎn)運(yùn)動(dòng)。

        倒裝芯片一般在與拾取頭接觸的表面都會(huì)有密度較高的凸點(diǎn)(Bump),在拾取過(guò)程中不能損傷凸點(diǎn),因此拾取頭吸嘴需要專門(mén)設(shè)計(jì)以避開(kāi)與凸點(diǎn)直接接觸,同時(shí)對(duì)拾取頭與芯片的接觸位置有了較高要求(保證吸嘴不與凸點(diǎn)接觸),顯然接觸式拾取方式更能滿足這個(gè)要求。而 OCTOPUS-1000倒裝貼片設(shè)備的芯片拾取系統(tǒng)有精準(zhǔn)的壓力控制模塊,能夠保證芯片在拾取過(guò)程中受力恒定(如圖3所示)。因此,本試驗(yàn)采用的是接觸式的芯片拾取方式。

        圖3 拾取頭

        芯片拾取過(guò)程如圖4所示,可大致分為三個(gè)階段[4]:首先頂針升起,短時(shí)間接觸與沖擊芯片;然后,頂針和芯片以相同的速度上升,使得界面剝離開(kāi)啟并擴(kuò)展;最后,拾取頭拾起芯片,頂針縮回到原始位置。其中,在頂針上升到設(shè)定高度后,需要等待一段時(shí)間,使得界面充分剝離,這段時(shí)間我們定義為拾取時(shí)間(Pick Time)。

        圖4 芯片拾取過(guò)程

        芯片拾取是否成功,不單單是看芯片是否能夠順利從膜上剝離,還要保證芯片不被損傷,這里主要是指芯片被頂針頂起的一面不能有損傷。另外,在封裝生產(chǎn)線上,為了保證質(zhì)量,有時(shí)還要求芯片拾取后膜不能有破損,這樣就能保證芯片不與頂針直接接觸,大大減小了芯片拾取階段引起芯片隱裂的可能性。圖5是頂針引起的芯片損傷,圖6為藍(lán)膜破損。

        圖5 頂針引起的芯片損傷

        圖6 藍(lán)膜破損

        根據(jù)以上分析,本試驗(yàn)所研究的關(guān)鍵參數(shù)為頂針錐度、頂針尖部半徑、頂針頂起高度、頂針?biāo)俣?、拾取時(shí)間、拾取力。

        2.2 芯片拾取試驗(yàn)設(shè)計(jì)

        由上一小結(jié)可知,影響芯片拾取的關(guān)鍵因素有6個(gè),在這里根據(jù)經(jīng)驗(yàn)每個(gè)因素取2個(gè)水平(即每個(gè)參數(shù)取兩個(gè)值)進(jìn)行試驗(yàn),如表1所示。由于本試驗(yàn)為六因素二水平試驗(yàn),故可選用L8(27)正交表,試驗(yàn)設(shè)計(jì)如表2所示。其中試驗(yàn)結(jié)果有三個(gè)標(biāo)準(zhǔn):一是芯片能夠成功拾??;二是芯片背面不能有損傷;三是芯片拾取后,膜不能有破損。

        2.3 試驗(yàn)結(jié)果及分析

        本次實(shí)驗(yàn)結(jié)果如表3所示。

        表1 因素-水平表

        表2 試驗(yàn)安排表

        表3 驗(yàn)結(jié)果計(jì)算表

        根據(jù)表3中試驗(yàn)結(jié)果可知,第二組參數(shù)組合為最優(yōu)組合,且從R值(極差,反應(yīng)某個(gè)因素取不同的值對(duì)試驗(yàn)結(jié)果的影響大?。┛梢钥闯觯斸樇舛税霃?、頂針頂起高度和拾取時(shí)間3個(gè)參數(shù)對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果影響較大。

        本次試驗(yàn)主要以芯片剝離成功與否作為試驗(yàn)指標(biāo),芯片與膜的損壞與否作為輔助指標(biāo),因此頂針尖端半徑、頂針頂起高度和拾取時(shí)間3個(gè)參數(shù)對(duì)芯片剝離效果影響較大。如果要進(jìn)一步研究與對(duì)芯片和膜的損壞影響較大的參數(shù),則需要根據(jù)經(jīng)驗(yàn)調(diào)整各因素的水平,重新進(jìn)行試驗(yàn)。

        3 結(jié) 論

        本文對(duì)芯片拾取過(guò)程進(jìn)行了分析,提出了影響芯片拾取的幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。并采用正交試驗(yàn)方法進(jìn)行了試驗(yàn),找到了拾取芯片的最佳參數(shù)組合。而后經(jīng)過(guò)對(duì)試驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行了分析,確定了對(duì)芯片剝離影響較大的3個(gè)參數(shù)。

        [1] 吳東平,黃宜平,竺士煬.晶片鍵合技術(shù)及其在微電子學(xué)中的應(yīng)用[J].微電子學(xué),1999,29(1):44-49.

        [2] 李憶.倒裝晶片裝配工藝及其對(duì)表面貼裝設(shè)備的要求[J].電子與封裝.2008,8(6):6-11.

        [3] 趙選民.試驗(yàn)設(shè)計(jì)方法[M].北京:科學(xué)出版社,2006:4-5.

        [4] 彭波.IC薄芯片拾取建模與控制研究[D].武漢:華中科技大學(xué),2012.

        Analysis of Influencing Factors On the jack-up and Pick-up Process of IC chips

        LIU Ziyang,Ye Lezhi,Wang Lei,Zhuang Wenbo

        (CETC Beijing Electronic Equipment Co.,Ltd,Beijing 100176,China)

        This paper analyzed the Pick-up Process of Flip-chip.Several experimental parameters were researched.The optimal combination of parameters for the test chips is obtained By the orthogonal experiment design.Three parameters which have a greater impact on the Pick-up Process were found. The results of this paper have value for further research of pick-up process.

        IC chip;Orthogonal experimental design;Jack-up process of chips;Pick-up process

        TN405.97

        A

        1004-4507(2015)01-0021-05

        劉子陽(yáng)(1987-)男,河北衡水人,研究生學(xué)歷,助理工程師,主要從事半導(dǎo)體封裝設(shè)備的軟件設(shè)計(jì)與工藝研究工作。

        2014-12-28

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