張 軍,蘇子芳,關(guān) 星,趙 哲
(昆山龍騰光電有限公司,江蘇 昆山 215301)
隨著工藝、設(shè)備、材料等技術(shù)的不斷發(fā)展,薄膜晶體管液晶顯示技術(shù)(TFT-LCD:Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)不斷突破技術(shù)限制、簡化制造工藝以降低成本。同時因應(yīng)市場對更多媒體顯示器件的低功率消耗、快速響應(yīng)、高像素密度(高分辨率)、寬視角及便攜性的需求,不斷有新的技術(shù)被引入TFT-LCD設(shè)計中以滿足市場需求、拓展 TFT-LCD的應(yīng)用范圍[1-3]。
就便攜性而言,一方面要求TFT-LCD顯示面板趨向輕薄化并開拓了玻璃薄化的新市場。另一方面隨著便攜性設(shè)備(移動電話,PDA等)應(yīng)用顯示屏面積的不斷擴大,為在不增加設(shè)備外形尺寸的前提下增加設(shè)備的可顯示面積,市場亟需TFT-LCD面板設(shè)計的技術(shù)革新,減小TFT-LCD面板非顯示區(qū)的面積。因而各種各樣的新技術(shù)被開發(fā)以使TFT-LCD窄邊框化。
傳統(tǒng)TFT-LCD面板柵極(Gate)線路采用配線從驅(qū)動芯片(IC)導(dǎo)入信號使TFT開啟,將顯示信號輸入到像素單元完成畫面顯示。由于每一條配線對應(yīng)一行柵極電路,配線條數(shù)較多,占用空間較大。為響應(yīng)市場窄邊框高解析度高分辨率產(chǎn)品需求,集成柵極驅(qū)動電路(GIA,gate driver in array)技術(shù)應(yīng)運而生[4]。GIA 電路具有減少外圍IC數(shù)量及其連線、降低顯示模組成本、提高顯示面板分辨率和彎折度等優(yōu)點引起了廣泛的興趣[5]。但在使用GIA電路的同時會增加顯示器的總體功耗[6],并且GIA電路信賴性較差,長期工作下電路發(fā)生異常的風險上升。因此,迫切需要新的應(yīng)用于TFT-LCD產(chǎn)品的窄邊框設(shè)計。
圖1為傳統(tǒng)柵極線路設(shè)計圖。假設(shè)其分辨率為1280×720,則有720條柵極走線在面板的左右兩側(cè),單側(cè)為360條柵極走線,按照每條柵極走線寬5μm,間隔5μm來計算,單側(cè)柵極走線的寬度要有3.6mm。則分辨率為1 280×720的手機面板使用傳統(tǒng)柵極走線方式時,左右兩邊非顯示區(qū)寬度要大于3.6mm。這樣的產(chǎn)品設(shè)計不能滿足市場的需求。
圖1 傳統(tǒng)柵極線路設(shè)計圖Fig.1 Traditional gate design
現(xiàn)有技術(shù)通過GIA單元電路來取代柵極走線,從而實現(xiàn)窄邊框顯示面板。圖2為一種GIA單元設(shè)計原理圖,其由4部分構(gòu)成:預(yù)充電部分、自舉上拉部分、下拉部分和低電平維持部分[7-8]。其中,預(yù)充電部分包括T1;自舉上拉部分包括T2;下拉部分為T3和T4;低電平維持部分包括C1,C2,T5~T7。
圖2 一種GIA單元設(shè)計原理圖[7]Fig.2 A GIA circuit design[7]
GIA電路通過移位逐級打開的方式減少了外圍驅(qū)動IC數(shù)量及柵極連線,從而達到減小非顯示區(qū)域面積及面板窄邊框化的目的。然而,GIA電路需要的TFT數(shù)目較多,生產(chǎn)過程中的良品率較難控制;并且由于多個高電壓信號的使用使得顯示面板的整體功耗上升;同時,長時間的偏壓工作及高頻率的切換使得GIA電路中的TFT壽命變短,長時間使用時電路的穩(wěn)定性受到影響。
本文提出一種新的柵極驅(qū)動電路設(shè)計用以減小顯示面板上非顯示區(qū)域的面積(窄邊框)并一定程度上提升系統(tǒng)的穩(wěn)定性。其設(shè)計原理及使用的時序如圖3和圖4。Gate M走線打開的時間為Gate Odd/Even打開時間的2倍;當 Gate M 為高電平的前1/2時間時,Control Gate 1為高電平,TFT1處于打開狀態(tài),將Gate M上的高電平充入Gate 1,Gate 1控制的TFT全部打開,信號電壓充入其對應(yīng)的像素單元;當Gate M為高電平的后1/2時間時,Control Gate 1電壓為低電平TFT1停止工作,同時Control Gate 2為高電平,TFT2為打開狀態(tài),此時Gate 1會充入Control Gate 1上的低電平,從而使Gate 1這條柵極關(guān)閉,像素上的電壓保持原充入的電壓。與此同時當Control Gate 2由低電平變?yōu)楦唠娖綍r,TFT 3打開,Gate 2會充入 Gate M 的高電平,Gate 2控制的TFT全部打開將信號電壓充入對應(yīng)的像素單元,其工作原理與Gate 1相同。當Gate M為低電平時,是 Gate 1與 Gate 2通過 TFT1、TFT2、TFT3、TFT4充入的始終是低電平,使得其控制的TFT都能保持關(guān)斷狀態(tài),這兩條Gate對應(yīng)的顯示單元的像素電壓處于保持狀態(tài),直到下一次Gate M變?yōu)楦唠娖健?/p>
圖3 新型柵極電路設(shè)計Fig.3 New gate design
圖4 新型柵極電路設(shè)計使用的時序圖Fig.4 Timing ofnew gate design
使用上述電路連接負載柵極走線組成模擬電路如圖5。使用Gateway軟件對圖5的電路進行仿真分析。設(shè)定每條負載柵極線的阻抗為1kΩ,電容為60pF。每一幀畫面開啟時間為16.67ms,Gate M 高電壓的時間為一個 TCK,80 μs。VGL?。?0V,VGH取17V。使用 TFT的W/L為3 000μm/4μm。模擬結(jié)果量測波形如圖6;柵極信號的上升沿和下降沿量測波形如圖7,其中(a)為 Gate 1的波形,上升沿延遲2.6 μs,下降沿延遲0.9μs,總延遲時間為3.5μs;(b)為 Gate 2的波形,上升沿延遲2.6μs,下降沿延遲0.9μs,總延遲時間為3.5μs。在VGL關(guān)態(tài)時柵極信號的噪聲電壓為2.5V,持續(xù)時間僅3μs,如圖8。實驗證明新型柵極驅(qū)動電路可以實現(xiàn)像素節(jié)點的正常充放電并完成顯示面板的正常顯示。
圖5 模擬電路Fig.5 Circuit for simulation
圖6 模擬柵極電路波形Fig.6 Simulated waveform of gate driver
圖7 上升沿和下降沿時間量測波形Fig.7 Waveform of rising and falling time
圖8 耦合效應(yīng)下的噪聲Fig.8 Noise of coupling effect
根據(jù)市場對LCD面板高分辨率高解析度、窄邊框的要求,提出了一種新型柵極線路的走線方法,減少了柵極走線占用的空間,實現(xiàn)了顯示面板的窄邊框化。模擬結(jié)果表明,傳統(tǒng)的柵極走線加入本發(fā)明電路后,量測的柵極波形無明顯遲豫,且噪聲較小,可以實現(xiàn)像素節(jié)點的充放電,完成畫面的正常顯示。由于需要增加兩條控制走線及4個TFT,為了使柵極高電壓信號無失真,TFT需要較大的W/L,這就需要占用一部分空間,但并不影響總體縮減邊框的效果。
[1] Nakajima S,Sugiyama Y,Ichinose H,et al.Novel liquid-crystal materials with high birefringence and low rotational-viscosity for the field-sequential color TN-LCDs[J].SID Symposium Digest of Technical Papers,2000,31(1):242-245.
[2] 董小春,杜春雷.負性光刻膠刻蝕工藝研究[J].光子學報,2004,32(12):1422-1425.Dong X C,Du C L.Study on lighography of negative resists[J].Acta Optica Sinica,2004,32(12):1422-1425.
[3] Lee S H,Kim H Y,Lee S M,et al.Ultra-FFS TFT-LCD with super image quality,fast response time,and strong pressure-resistant characteristics[J].Journal of the Society for Information Display,2002,10(2):117-122.
[4] Moon S H,Lee Y S,Lee M C,et al.Integrated a-Si:H TFT gate driver circuits on large area TFT-LCDs[J].SID Symposium Digest of Technical Papers.Blackwell Publishing Ltd,2007,38(1):1478-1481.
[5] Oh J H,Hur J H,Son Y D,et al.2.0inch a-Si:H TFT-LCD withlow noise integrated gate driver[J].SID Symposium Digest of Technical Papers,2005,36(1):942-945.
[6] Hwang I,Moh S,Lee M C,et al.55.4:Design of integrated a-Si gate driver circuits for low power consumption[J].SID Symposium Digest of Technical Papers,2008,39(1):842-845.
[7] Liao C,He C,Chen T,et al.Implementation of an a-Si:H TFT gate driver using a five-transistor integrated approach[J].Electron Devices,IEEE Transactions ON,2012,59(8):2142-2148.
[8] Choi J W,Kwon M S,Koo J H,et al.Noble a-Si∶H gate driver with high stability[J].SID Symposium Digest of Technical Papers,2008,39(1):1227-1230.