劉銀法, 倪 屹
(江南大學(xué)物聯(lián)網(wǎng)工程學(xué)院,江蘇無(wú)錫214122)
近年來(lái),藍(lán)寶石晶體的需求量大幅度增加,致使藍(lán)寶石的研究和生產(chǎn)具有良好的發(fā)展前景[1]。然而,由于晶體生長(zhǎng)過(guò)程中的不穩(wěn)定性,導(dǎo)致晶體不能大規(guī)模生產(chǎn)或者出現(xiàn)各種缺陷,難以滿足市場(chǎng)的要求。這種不穩(wěn)定性主要體現(xiàn)在不能對(duì)溫度實(shí)現(xiàn)精確控制,故無(wú)法采用溫度梯度法還是其他方法生長(zhǎng)藍(lán)寶石晶體。因此,探討高精度的溫度控制就顯得尤為重要。
影響溫度控制的因素可以簡(jiǎn)單地分為電氣設(shè)備和控制策略兩部分。傳統(tǒng)的晶體生長(zhǎng)爐使用的是可控硅電源,它體積笨重、輸入功率因素低、對(duì)電網(wǎng)電磁干擾大等缺點(diǎn)并不適合藍(lán)寶石加熱爐,文中使用的移相全橋電源則有它不可比擬的優(yōu)點(diǎn),如更加省電,效率跟高,體積小等,這些為溫度控制提供了良好的電氣環(huán)境。另外,工業(yè)生產(chǎn)過(guò)程中廣泛應(yīng)用PID控制策略,但常規(guī)PID因?yàn)榭刂扑惴ㄟ^(guò)于簡(jiǎn)單,僅僅適用于可建立精確數(shù)學(xué)模型的確定性控制系統(tǒng)??紤]到藍(lán)寶石加熱爐的大滯后性、時(shí)變性、非線性和無(wú)法獲取精確數(shù)學(xué)模型等特點(diǎn),文中將模糊控制和常規(guī)PID控制器相結(jié)合,這樣就既有模糊控制無(wú)需精確數(shù)學(xué)模型、控制靈活、魯棒性強(qiáng),又有PID控制精度高的特點(diǎn)。仿真實(shí)驗(yàn)表明,這種控制策略對(duì)加熱爐溫度控制更加有效。
晶體爐的溫控系統(tǒng)組成如圖1所示。
圖1 晶體爐溫控系統(tǒng)組成部分Fig.1 Crystal furnace temperature control system
圖1 中晶體爐的主要控制系統(tǒng)是AI智能儀表,移相全橋電源提供電壓電流,另外還有晶體爐、溫度傳感器等幾部分組成。
AI智能儀表采集電流傳感器的模擬量信號(hào)(此值與晶體爐內(nèi)溫度成線性關(guān)系),根據(jù)測(cè)量值和設(shè)定值進(jìn)行PID調(diào)節(jié),輸出給移相全橋電源,進(jìn)而保證爐內(nèi)溫度的穩(wěn)定;在此基礎(chǔ)上通過(guò)模擬量的輸出改變移相角度以控制功率的大小,實(shí)現(xiàn)晶體生長(zhǎng)爐的溫度控制。
2.1 控制系統(tǒng)配置
在晶體爐中控制系統(tǒng)使用宇電所生產(chǎn)的AI智能溫度調(diào)節(jié)器,它包含高通用性的硬件主板(I/O接口及模塊插座、顯示接口插座、A/D轉(zhuǎn)換單元及電源單元),通過(guò)安裝不同的軟件及CPU、輸入 /輸出模塊及顯示界面,即能適應(yīng)多種不同功能的過(guò)程儀表控制要求,具有無(wú)超調(diào)、高精度、參數(shù)確定簡(jiǎn)單、對(duì)復(fù)雜對(duì)象也能獲得較好的控制效果等特點(diǎn)。
在使用過(guò)程中,AI調(diào)節(jié)器結(jié)合PID調(diào)節(jié)、自學(xué)習(xí)及模糊控制技術(shù),實(shí)現(xiàn)了自整定/自適應(yīng)功能,做到完成無(wú)超調(diào)的精確調(diào)節(jié),性能遠(yuǎn)優(yōu)于傳統(tǒng)PID調(diào)節(jié)器。
在實(shí)現(xiàn)溫度控制的環(huán)節(jié)中,溫度傳感器是提供溫度參數(shù)的一個(gè)重要介質(zhì)。文中溫度傳感器利用德國(guó)IMPAC生產(chǎn)的雙色I(xiàn)SQ5紅外測(cè)溫儀。晶體爐需要兩個(gè)紅外測(cè)溫儀進(jìn)行測(cè)溫,分別放置于爐壁上下的兩個(gè)測(cè)溫口。
其工作方式是測(cè)溫儀模擬量輸出4~20 mA給控制器顯示溫度,達(dá)到測(cè)溫效果。由于實(shí)驗(yàn)采用溫度梯度法生長(zhǎng)藍(lán)寶石,根據(jù)其特性設(shè)計(jì)的石墨加熱元件,上下存在溫差,利用兩個(gè)測(cè)溫儀實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè),上溫控儀起著顯示觀察作用,而下測(cè)溫儀進(jìn)行實(shí)時(shí)溫度控制。
2.2 控制流程
根據(jù)晶體爐的控制要求,得到圖2所示的系統(tǒng)控制流程。
圖2 系統(tǒng)控制流程Fig.2 Flow chart of system control
2.3 模糊PID控制算法
由于晶體爐溫度有很大的慣性和一定的滯后性,其滯后效應(yīng)是影響控制效果的主要因素。系統(tǒng)滯后時(shí)間越大,常規(guī)PID控制器要獲得理想的控制效果就越困難,而模糊控制不需要掌握精確的數(shù)學(xué)模型,過(guò)程的動(dòng)態(tài)響應(yīng)優(yōu)于常規(guī)PID控制,對(duì)被控對(duì)象的非線性何時(shí)變性具有一定的適應(yīng)能力。因此,將模糊控制與PID控制器結(jié)合能揚(yáng)長(zhǎng)補(bǔ)短,達(dá)到良好的控制效果。
2.3.1 模糊PID控制系統(tǒng)結(jié)構(gòu) 模糊PID控制器是一種在常規(guī)PID控制器的基礎(chǔ)上,應(yīng)用模糊集合理論,根據(jù)控制偏差和偏差變化率在線自動(dòng)調(diào)整比例系數(shù)、積分系數(shù)、微分系數(shù)的模糊控制器[2]。對(duì)于加熱爐系統(tǒng),采用二輸入三輸出的形式:以溫度偏差 e和偏差變化率 ec作為輸入量,以 ΔKP,ΔKI,ΔKD作為輸出,其結(jié)構(gòu)如圖3所示。
圖3 模糊PID控制結(jié)構(gòu)Fig.3 Structure of a fuzzy-PID controller
2.3.2 模糊PID控制規(guī)則 常規(guī)PID控制的函數(shù)表達(dá)式為[3]
將模糊規(guī)則和常規(guī)PID控制結(jié)合,通過(guò)圖3也可以看出,其函數(shù)表達(dá)式為
式中:kP,kI,kD為初始的PID參數(shù);ΔKP,ΔKI,ΔKD為經(jīng)過(guò)模糊規(guī)則調(diào)整的PID參數(shù)。
溫度控制器將紅外測(cè)溫儀采樣得到的溫度信號(hào)與系統(tǒng)的溫度設(shè)定值進(jìn)行比較,得到系統(tǒng)的溫度偏差 e與偏差變化率 ec,以此作為輸入,ΔKP,ΔKI,ΔKD3個(gè)PID調(diào)節(jié)參數(shù)的變化量作為輸出。將e,ec和ΔKP,ΔKI,ΔKD的變化范圍都定義為模糊集合上的論域:{- 6,- 5,- 4,- 3,- 2,- 1,0,1,2,3,4,5,6},其模糊子集 e,ec和 ΔKP,ΔKI,ΔKD={NB,NM,NS,ZO,PS,PM,PB},e,ec和 ΔKP,ΔKI,ΔKD均服從三角形隸屬函數(shù)曲線分布。
結(jié)合理論分析以及參數(shù)KP,KI,KD對(duì)系統(tǒng)輸出特性的影響關(guān)系,在不同的|e|和|ec|時(shí),被控對(duì)象對(duì)參數(shù) KP,KI,KD的自整定規(guī)則為[4-6]:
1)當(dāng)|e|較大時(shí),為加快系統(tǒng)響應(yīng)速度,同時(shí)避免e突然變大可能引起的微分過(guò)飽和,故取較大的KP和較小的KD。為防止積分飽和,一般去掉積分作用,即取KI=0。
2)當(dāng)|e|和|ec|中等大小時(shí),為使系統(tǒng)響應(yīng)超調(diào)減少,取較小的KP;為保證響應(yīng)速度,KI和KD應(yīng)取適當(dāng)值。
3)當(dāng)|e|較小時(shí),為使系統(tǒng)具有良好的穩(wěn)態(tài)性能,可取較大的KP和KI;同時(shí)為防止系統(tǒng)在設(shè)定值左右出現(xiàn)振蕩,取合適的KD值。當(dāng)|ec|較小時(shí),KD取中等大小;當(dāng)|ec|較大時(shí),KD取較小值。
由以上規(guī)則以及工程設(shè)計(jì)人員的技術(shù)和實(shí)際操作經(jīng)驗(yàn)可作出針對(duì)KP,KI,KD3個(gè)參數(shù)的模糊控制規(guī)則表,直接引用并存入微機(jī)存儲(chǔ)器中。系統(tǒng)通過(guò)對(duì)模糊邏輯規(guī)則結(jié)果處理,查表和運(yùn)算,對(duì)KP,KI,KD自動(dòng)調(diào)整,可達(dá)到PID參數(shù)自整定效果。
2.3.3 仿真實(shí)驗(yàn) 由于被控對(duì)象為電阻加熱爐的溫度控制系統(tǒng),是一個(gè)非線性、大滯后性、時(shí)變性等的復(fù)雜系統(tǒng),可以用一階慣性滯后環(huán)節(jié)描述溫控對(duì)象的數(shù)學(xué)模型。溫控模型的傳遞函數(shù)表示為
文中實(shí)驗(yàn)是在Matlab/Simulink環(huán)境下對(duì)模糊PID控制進(jìn)行的仿真,利用模糊邏輯工具箱建立模糊控制的模糊推理系統(tǒng),模糊推理用Mamdani法,隸屬函數(shù)類型為三角形,解模糊采用centroid法,并利用Toolbox分別搭建模糊PID控制器和常規(guī)PID控制器[7]。溫度數(shù)學(xué)模型參數(shù)取 k=2.8,T=178,τ=40。在仿真實(shí)驗(yàn)中對(duì)各輸入?yún)?shù)模糊化處理,取 e和 ec的量化因子為 ke=0.1,kec=0.4,比例因子均取 0.1。初始的 PID參數(shù)的確定采用Ziegler-Nicholas整定法得到臨界比例增益Km和臨界周期Tm;再利用經(jīng)驗(yàn)公式:
KP=0.6Km,KI=1.2Km/Tm,KD=0.075KmTm得到
KP=1.662,KI=0.0277,KD=24.93。模糊PID控制和常規(guī)PID控制仿真曲線如圖4所示。
圖4 模糊PID和常規(guī)PID曲線比較Fig.4 Comparison of the fuzzy PID and the conventional PID
由圖4可以看出,常規(guī)PID曲線超調(diào)量大,調(diào)整時(shí)間長(zhǎng);而模糊PID控制可有效抑制超調(diào)量,穩(wěn)態(tài)誤差為零,有良好的控制精度,顯著改善了系統(tǒng)控制效果,即可以通過(guò)功率的變化體現(xiàn)控制效果。
2.4 移相全橋電源
藍(lán)寶石加熱爐使用的電源是移相全橋ZVS軟開(kāi)關(guān)電源,因?yàn)橐葡嗳珮螂娐饭ぷ骱?jiǎn)單可靠、不需要其他的輔助電路、變壓器功率利用率高、易實(shí)現(xiàn)軟開(kāi)關(guān),在中大功率應(yīng)用場(chǎng)合受到普遍重視。
實(shí)驗(yàn)中使用石墨加熱器,根據(jù)石墨加熱器的加熱原理石墨加熱器采用低電壓大電流使加熱器自身發(fā)熱,所以電源設(shè)計(jì)0~30 V,0~3 000 A可調(diào)電源。這樣充分利用石墨加熱器的特性,同時(shí)滿足藍(lán)寶石加熱環(huán)境。電源的系統(tǒng)框架如圖5所示。
由圖5可知,控制器根據(jù)溫度傳感器的檢測(cè)和反饋給定輸出信號(hào),同時(shí)驅(qū)動(dòng)IGBT波形的移相角控制輸出功率的大小,從而實(shí)現(xiàn)晶體爐溫度的控制。
控制系統(tǒng)的完美運(yùn)行是晶體生長(zhǎng)的關(guān)鍵所在,整個(gè)系統(tǒng)的調(diào)試運(yùn)行都是在實(shí)驗(yàn)室完成的。
在安裝好電源系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)等的前提下,調(diào)試運(yùn)行控制系統(tǒng),檢測(cè)系統(tǒng)中每一個(gè)功能使之達(dá)到系統(tǒng)要求。在不同的階段可以用不同的溫度控制方式。如在加熱,退火等階段可以用功率控制的方式,在生長(zhǎng)階段用溫度控制方式。圖6為晶體加熱生長(zhǎng)及降溫程序。
圖5 電源系統(tǒng)框架Fig.5 Diagram of the power system
圖6 晶體加熱生長(zhǎng)及降溫程序Fig.6 Crystal growth and cooling processes
圖6 是不同階段所需不同的功率,表1為晶體生長(zhǎng)過(guò)程中各個(gè)階段實(shí)際測(cè)量的數(shù)值。圖中只取重要的溫度節(jié)點(diǎn),經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間的觀察,PID調(diào)節(jié)器自整定后的參數(shù)不一定滿足控溫的要求,再經(jīng)過(guò)多次的實(shí)驗(yàn)完善參數(shù)配置以達(dá)到最優(yōu)的結(jié)果。
文中藍(lán)寶石爐的溫控系統(tǒng)是基于溫梯法上的研究,其簡(jiǎn)易的操作步驟有別于其他方法的晶體生長(zhǎng)[8]。由多次實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)表明,整個(gè)系統(tǒng)的控制精度高,可達(dá)到2 000±0.2℃,且控制速度平穩(wěn),振蕩小,超調(diào)小,對(duì)于藍(lán)寶石晶體生長(zhǎng)是較為理想的溫控系統(tǒng)。
表1 晶體生長(zhǎng)實(shí)際測(cè)量值Tab.1 Measured value of crystal growth
[1]李留臣,馮金生.我國(guó)藍(lán)寶石晶體生長(zhǎng)技術(shù)的現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì)[J].人工晶體學(xué)報(bào),2012,41(S1):221-226.LILiuchen,F(xiàn)ENG Jinsheng.Development status and trends of sapphire single crystal[J].Growth Technique in China Journal of Synthetic Crystal,2012,41(Suppl 1):221-226.(in Chinese)
[2]石辛民,郝整清.模糊控制及其MATLAB仿真[M].北京:清華大學(xué)出版社,2008.
[3]SHIDequan,GAO Guili,GAO Zhiwei,et al.Application of expert fuzzy PID method for temperature control of heating furnace[J].Procedia Engineering,2012,29:257-261.
[4]曹立學(xué).基于模糊自適應(yīng)PID的溫度控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)[J].計(jì)算機(jī)與數(shù)字工程,2012,40(6):139-141.CAO Lixue.Design of the temperature control system based on fuzzy adaptive PID[J].Computer and Digital Engineering,2012,40(6):139-141.(in Chinese)
[5]王平法,孫偉旺,于陽(yáng)陽(yáng),等.基于模糊PID算法的電鍋爐溫度控制[J].機(jī)械與電子,2011(5):48-51.WANG Pingfa,SUN Weiwang,YU Yangyang,et al.Electric boiler temperature control based on fuzzy PID algorithm[J].Mechanical and Electronic,2011(5):48-51.(in Chinese)
[6]左帥,和婷,堯思遠(yuǎn).基于模糊PID控制的半導(dǎo)體激光器溫控系統(tǒng)[J].激光與紅外,2014,44(1):94-97.ZUO Shuai,HE Ting,YAO Siyuan.Temperature control system for semiconductor laser based on fuzzy PID[J].Laser and Infrared,2014,44(1):94-97.(in Chinese)
[7]劉金琨.先進(jìn)PID控制Matlab仿真[M].北京:電子工業(yè)出版社,2004.
[8]范志剛,劉建軍,肖昊蘇,等.藍(lán)寶石單晶的生長(zhǎng)技術(shù)及應(yīng)用研究進(jìn)展[J].硅酸鹽學(xué)報(bào),2011,39(5):880-891.FAN Zhigang,LIU Jianjun,XIAO Haosu,et al.Research progress growth technique and application of sapphire single crystal[J].Journal of the Chinese Ceramic Society,2011,39(5):880-891.(in Chinese)
(責(zé)任編輯:邢寶妹)