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        一種新型磁控電抗器及其性能分析

        2015-04-24 07:15:22李曉明
        綜合智慧能源 2015年12期
        關鍵詞:磁控電抗晶閘管

        李曉明

        (山東大學 電氣工程學院,濟南 250061)

        0 引言

        電抗器在電力系統(tǒng)中有廣泛的應用。在一部分應用領域,電抗器的電抗值固定不變,但在許多應用領域,需要電抗值能隨著電力系統(tǒng)運行方式的變化而改變。磁控電抗器(MCR)是一種電抗值可以連續(xù)調(diào)節(jié)的電抗器[1]。磁控電抗器通過連續(xù)調(diào)節(jié)閉環(huán)鐵心上直流線圈中直流電流的大小來調(diào)節(jié)閉環(huán)鐵心的飽和程度,實現(xiàn)連續(xù)調(diào)節(jié)閉環(huán)鐵心上交流線圈(電抗線圈)電抗值的大小。前蘇聯(lián)科學家A.M.Bry-antsev 1986年提出的磁控電抗器方案有里程碑的意義,我國的科研人員也投入了很大熱情對磁控電抗器進行研究[2-4],已經(jīng)發(fā)表了許多研究結果[1-7]?,F(xiàn)有磁控電抗器的共同特征是:自勵式磁控電抗器的2個晶閘管都處在線圈的中間位置;自勵式磁控電抗器線圈不論是三角形連接還是星形連接,2個晶閘管對地電壓都很高(對地電壓等于額定電壓的1/2以上)。目前,現(xiàn)有的各種自勵式磁控電抗器都不適用于超高壓電力系統(tǒng),而用于超高壓、特高壓的磁控電抗器都是他勵式磁控電抗器,這種磁控電抗器的運行管理十分不方便。本文提出一種新型的、可應用于超高壓和特高壓電力系統(tǒng)的自勵式磁控電抗器,并對這種新型的磁控電抗器進行仿真分析與性能分析。

        1 新型磁控電抗器結構與工作原理

        新型磁控電抗器結構如圖1所示。圖1a中:1,2為磁控電抗器的2個端子;3為閉環(huán)鐵心,閉環(huán)鐵心有4根鐵心柱,鐵心柱兩端有磁軛,鐵心柱與磁軛構成磁通閉環(huán);D1,D2為晶閘管,由控制電路4控制;L1,L2,L3,L4為4只匝數(shù)相等的線圈,線圈匝數(shù)等于同電壓等級變壓器線圈匝數(shù)的1/2;L5,L6為2只匝數(shù)相等的線圈,線圈匝數(shù)比同電壓等級變壓器線圈的匝數(shù)少1%。

        圖1 新型磁控電抗器結構圖

        如果磁控電抗器的兩端子加額定交流電壓,且晶閘管D1,D2 截止,線圈L1,L2,L3,L4 有勵磁電流流過。由于線圈 L5,L6與線圈 L1,L2,L3,L4繞在同一鐵心柱上,且線圈L5,L6匝數(shù)比同電壓等級變壓器線圈的匝數(shù)少1%,所以,線圈L5,L6兩端電壓比磁控電抗器兩端額定交流電壓小1%。這樣,晶閘管D1,D2兩端有交流電壓,該電壓為額定電壓的1%。磁控電抗器線圈L1,L2,L3,L4有勵磁電流流過時,4只線圈所在鐵心柱的交流磁通都向上,分別經(jīng)最外的兩邊柱形成交流磁通閉環(huán),磁控電抗器呈現(xiàn)最大電抗Zmax。

        如果晶閘管 D1,D2全導通,則晶閘管 D1,D2構成半波整流電路。L5線圈的直流電流向下流,L6線圈的直流電流向上流,2個電流相等,直流電流不會流出磁控電抗器的兩端子。L5線圈直流電流在鐵心中產(chǎn)生的磁通量等于L6線圈直流電流在鐵心中產(chǎn)生的磁通量,2個磁通方向相反,直流磁通在L5,L6線圈所在的2個鐵心柱之間形成閉環(huán)。由于L5,L6線圈所在的2個鐵心柱有直流磁通,鐵心出現(xiàn)飽和,L1,L2,L3,L4線圈出現(xiàn)較大的過勵磁電流,磁控電抗器呈現(xiàn)最小電抗Zmin。

        調(diào)節(jié)晶閘管D1,D2導通量的大小,調(diào)節(jié)L5,L6線圈直流電流的大小,調(diào)節(jié)L5,L6線圈所在鐵心柱的飽和程度,磁控電抗器電抗值即可在Zmin~Zmax之間調(diào)節(jié),實現(xiàn)磁控電抗器電抗值的連續(xù)調(diào)節(jié)。

        圖1a所示新型磁控電抗器的特點是:交流磁通與直流磁通在中間的2個鐵心柱有重合,直流磁通產(chǎn)生的飽和只在中間的2個鐵心柱對交流磁通產(chǎn)生影響。

        圖1b所示的新型磁控電抗器是把圖1a所示的四柱式磁控電抗器鐵心分解為2個兩柱式變壓器鐵心,其余結構、連接方式及參數(shù)不變。圖1b所示磁控電抗器的工作原理與分析方法與圖1a所示磁控電抗器相同。

        圖1b所示新型磁控電抗器的特點是:線圈L5產(chǎn)生的直流磁通路徑長度與線圈L1,L3產(chǎn)生的交流磁通路徑長度相等,線圈L6產(chǎn)生的直流磁通路徑長度與線圈L2,L4產(chǎn)生的交流磁通路徑長度相等。圖1b所示磁控電抗器的直流磁通路徑長度大于圖1a所示磁控電抗器。同等直流電流條件下,圖1b所示磁控電抗器線圈L5,L6的直流磁通小于圖1a所示磁控電抗器。

        由于圖1b所示磁控電抗器的直流磁通路徑與交流磁通路徑完全重迭,而圖1a所示磁控電抗器的直流磁通路徑與交流磁通路徑只在部分路徑重疊,所以,同等直流磁通量的條件下,圖1b所示磁控電抗器直流磁通對交流磁通的影響大于圖1a所示磁控電抗器。

        選擇較容易構建仿真模型的圖1b所示磁控電抗器進行仿真分析。

        圖1中,D3為續(xù)流二極管,續(xù)流二極管的分析是公共知識,不再累贅??梢栽诤雎岳m(xù)流二極管的條件下,研究磁控電抗器的基本工作原理。

        2 磁控電抗器的仿真分析

        2.1 暫態(tài)響應時間仿真分析

        新型磁控電抗器首先需要在10 kV電力系統(tǒng)使用,積累經(jīng)驗后再提高電壓等級,所以,對10 kV新型磁控電抗器進行研究分析。

        用Matlab仿真軟件中的Simulink工具箱構建圖1b所示磁控電抗器仿真模型,如圖2所示。具體參數(shù)如下:交流電壓=10 000 V;T1變壓器容量=577 kV·A;L1兩端電壓=5 000 V,L2兩端電壓=5000V,L3兩端電壓=5 000 V,L4兩端電壓=4 900 V。T2變壓器參數(shù)與T1變壓器相同。

        圖1所示新型磁控電抗器晶閘管D1,D2兩端的交流額定電壓為100 V。

        為了研究方便,也為了突出主要問題,研究晶閘管D1,D2全導通條件下磁控電抗器的特性。這樣,在圖2所示的磁控電抗器中,晶閘管D1,D2用二極管D1,D2代替。

        圖2 新型磁控電抗器Simulink仿真模型

        對圖2所示的新型磁控電抗器Simulink仿真模型進行仿真實驗,Measurement1電流測量儀表顯示的電流波形如圖3所示。從圖3可以觀察到,新型磁控電抗器的暫態(tài)響應時間為0.6 s。

        圖3 新型磁控電抗器仿真實驗電流波形

        我國現(xiàn)有的磁控電抗器結構如圖4所示。用Matlab仿真軟件中的Simulink工具箱構建圖4所示磁控電抗器的仿真模型,如圖5所示。具體參數(shù)如下:交流電壓=10000V;T1變壓器容量=577kV·A;L1兩端電壓=4900 V,L2兩端電壓=100 V,L3兩端電壓=100V,L4兩端電壓=4900 V。T2變壓器參數(shù)與T1變壓器相同。

        圖4所示現(xiàn)有磁控電抗器晶閘管D1,D2兩端交流額定電壓為100 V,因此,圖1所示新型磁控電抗器的暫態(tài)響應時間與圖4所示現(xiàn)有磁控電抗器有可比性。

        圖4 現(xiàn)有磁控電抗器結構

        圖5 現(xiàn)有磁控電抗器Simulink仿真模型

        對圖5所示現(xiàn)有磁控電抗器Simulink仿真模型進行仿真實驗,Measurement1電流測量儀表顯示的電流波形如圖6a所示。從圖6a可以觀察到,現(xiàn)有磁控電抗器的暫態(tài)響應時間為1.4 s,輸出電流峰值為470 A?,F(xiàn)有磁控電抗器的輸出電流峰值如果需要與圖3一樣,也是270 A,則要降低現(xiàn)有磁控電抗器晶閘管D1,D2兩端的交流額定電壓,或減小現(xiàn)有磁控電抗器晶閘管D1,D2的導通角?,F(xiàn)有磁控電抗器的輸出電流峰值為270 A的電流波形如圖6b所示。從圖6b可以觀察到,現(xiàn)有磁控電抗器的暫態(tài)響應時間為8 s,暫態(tài)響應時間更長。

        2.2 綜合分析

        (1)新型磁控電抗器晶閘管D1,D2的額定交流電壓是100 V,現(xiàn)有磁控電抗器晶閘管D1,D2的額定交流電壓也是100V,都是通過低電壓電力電子器件控制10 kV高壓磁控電抗器。

        (2)新型磁控電抗器有6個線圈,線圈沒有抽頭;現(xiàn)有磁控電抗器有4個線圈,其中2個線圈有抽頭:因此,新型磁控電抗器結構的復雜程度與現(xiàn)有磁控電抗器相當。

        (3)新型磁控電抗器的暫態(tài)響應時間比現(xiàn)有磁控電抗器減小1/2以上;新型磁控電抗器與現(xiàn)有磁控電抗器的結構都是各自工作原理的最基本結構,兩者的對比分析也是在最基本結構條件下進行的;現(xiàn)有磁控電抗器會在基本結構的基礎上增加措施,縮短暫態(tài)響應時間:所以,現(xiàn)有磁控電抗器的暫態(tài)響應時間比圖6顯示的短。在現(xiàn)有磁控電抗器上采用的縮短暫態(tài)響應時間的措施,也可以應用于新型磁控電抗器,采用了縮短暫態(tài)響應時間措施的新型磁控電抗器的暫態(tài)響應時間也會比圖3短。新型磁控電抗器與現(xiàn)有電抗器都取最基本結構,暫態(tài)響應時間是有可比性的。

        (4)新型磁控電抗器2個晶閘管的位置在線圈一端,若線圈采用星形連接方式,端子2接地,2個晶閘管公共端子的電壓為零,晶閘管的整體對地電壓就很低,可減低晶閘管對地絕緣要求且降低制作成本。由于2個晶閘管公共端的對地電壓為零,新型磁控電抗器可用于超高壓、特高壓電力系統(tǒng)領域。

        圖6 現(xiàn)有磁控電抗器仿真試驗電流波形

        3 結論

        新型磁控電抗器的結構與現(xiàn)有磁控電抗器相當;新型磁控電抗器的暫態(tài)響應時間比現(xiàn)有磁控電抗器減小1/2以上;新型磁控電抗器可用于超高壓、特高壓電力系統(tǒng)。

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        [5]田銘興,楊雪凇,顧生杰,等.基于MATLAB的磁飽和式可控電抗器的仿真模型參數(shù)及過渡時間分析[J].電力自動化設備,2013,33(6):47-51.

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