中國半導體制造業(yè)現(xiàn)狀

中國已經成為半導體市場需求規(guī)模全球第一的國家。根據(jù)IC Insights的數(shù)據(jù)，中國的半導體市場需求已占到全球市場需求的30%左右。從目前的產能情況來看，300 mm晶圓產能中國的缺口較大。IC Insights的數(shù)據(jù)是，中國臺灣和韓國掌握了全球56%的300 mm晶圓產能，而中國大陸廠商僅掌握全球不到1%的300 mm晶圓產能，位于中國大陸（包括外商獨資）的300 mm晶圓產能則有8%。龐大的市場需求，加上制程技術的局限性，讓中國大陸成為投資半導體制造的新熱門。

2014年底終于見到28 nm工藝營收曙光的臺聯(lián)電，在臺灣經濟部確定沒有技術外流疑慮等條件下，經過了審查，確定登陸中國大陸，投資合建一個新的300 mm晶圓廠。項目將采用40與55 nm制程，預計正式投產后將每月生產300 mm晶圓5萬片。

在技術和市場占有率上更為先進的臺積電，目前僅在上海有一座200 mm晶圓廠，也同樣正在考慮在大陸投資300 mm晶圓廠，并以28 nm制程切入。但由于中國臺灣地方政府要求，前往大陸投資的半導體晶圓廠必須依照“N-2”（落后臺灣兩代制程）的規(guī)定，臺積電投建300 mm晶圓廠的計劃預計最快于2016實現(xiàn)，并且相關產能將低于臺積電總產能的10%。

此前，華虹集團旗下的純300 mm晶圓代工廠——華力微電子早已傳出將砸約195億元，再蓋新300 mm廠，并預計鎖定先進制程，從28 nm制程開始，按照 28 nm到16/14 nm再到10 nm三個世代制程技術的規(guī)劃，達到月產能約3萬～5萬片。武漢新芯也已與全球最大閃存公司美國飛索半導體（Spansion）正式簽約，計劃合資興建300 mm晶圓廠，聯(lián)合研發(fā)生產3D NAND（三維閃存芯片）。

截止目前，在中國大陸已經建成的本土300 mm晶圓廠共5家，包括中芯國際在上海的一座300 mm芯片廠、北京的兩座300 mm芯片廠，華力微電子在上海的一座300 mm芯片廠和武漢新芯在武漢的一座300 mm芯片廠；外商獨資的300 mm晶圓廠包括英特爾在大連的一座300 mm芯片廠，海力士（Hynix）在無錫的一座300 mm芯片廠和三星在西安的一座300 mm芯片廠。

來源：國際電子商情