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        典型反饋電路的噪聲特性分析

        2015-03-14 06:49:02王初陽(yáng)梁承玉陳旭鋒
        機(jī)電信息 2015年24期
        關(guān)鍵詞:負(fù)反饋低噪聲串聯(lián)

        王 武 王初陽(yáng) 梁承玉 陳旭鋒

        (1.63888部隊(duì),河南 濟(jì)源459000;2.西安建筑科技大學(xué),陜西 西安710055)

        0 引言

        在弱光檢測(cè)中,光信號(hào)經(jīng)過(guò)光電探測(cè)器轉(zhuǎn)換為電信號(hào),由于背景和探測(cè)器本身產(chǎn)生的噪聲,使得信號(hào)的信噪比比較低,所以需要對(duì)信號(hào)進(jìn)行放大處理[1-3]。對(duì)信號(hào)進(jìn)行放大處理,并不是單純地提高放大器的增益。因?yàn)榉糯笃饔捎性雌骷蜔o(wú)源器件組成,它們是新的噪聲源,放大器不但把輸入信號(hào)和噪聲放大,同時(shí)還會(huì)引進(jìn)放大器本身產(chǎn)生的噪聲,使輸出信噪比降低,甚至可能達(dá)到噪聲把所有有用信號(hào)淹沒(méi)的惡劣程度,以致無(wú)法檢測(cè)有用信號(hào)[4]。低噪聲放大器的設(shè)計(jì)是要將放大器引進(jìn)的噪聲降低到最小程度,同時(shí)又要滿足放大器的一系列指標(biāo),如增益、帶寬、輸入阻抗和輸出阻抗等。所以低噪聲放大器的設(shè)計(jì)是整個(gè)檢測(cè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的一個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

        本文利用課堂上劉老師對(duì)電壓串聯(lián)負(fù)反饋電路的噪聲特性的分析方法,推導(dǎo)了電壓并聯(lián)負(fù)反饋電路、電流串聯(lián)負(fù)反饋電路、電流并聯(lián)負(fù)反饋電路的噪聲特性。首先推導(dǎo)電路總增益Kv,接著計(jì)算各噪聲源對(duì)輸出噪聲的貢獻(xiàn),得到總輸出噪聲,然后轉(zhuǎn)化成等效輸入噪聲,最后根據(jù)等效噪聲模型求得最佳源電阻Ro和最佳噪聲系數(shù)Fo。通過(guò)對(duì)各個(gè)反饋電路的噪聲特性分析,得到反饋對(duì)噪聲的影響可忽略不計(jì)所需要滿足的條件,為低噪聲放大器的設(shè)計(jì)提供了一定的參考依據(jù)。

        1 電壓并聯(lián)負(fù)反饋

        電壓并聯(lián)負(fù)反饋的實(shí)際電路及其等效電路如圖1所示,圖中Av為無(wú)反饋放大器的電壓增益,RF為反饋電阻,Zo為放大器開(kāi)環(huán)輸出阻抗。

        通常Zo較之RF小很多時(shí),可以忽略,于是輸出信號(hào)Uso為:

        電壓并聯(lián)負(fù)反饋的噪聲模型如圖2所示,圖中的EF為反饋電阻RF的噪聲電壓。

        圖" 電壓并聯(lián)負(fù)反饋

        圖- 電壓并聯(lián)負(fù)反饋的噪聲模型

        源電阻的熱噪聲對(duì)輸出噪聲的貢獻(xiàn)為:

        反饋電阻的噪聲電壓對(duì)輸出噪聲的貢獻(xiàn)EFo:

        放大器的噪聲電流對(duì)輸出噪聲的貢獻(xiàn)EIo:

        式中,IF=EF/RF,是反饋電阻RF的等效噪聲電流的表達(dá)式。

        根據(jù)式(10)可以把并聯(lián)負(fù)反饋電路的噪聲模型簡(jiǎn)化為圖3所示的噪聲模型,圖中放大器是一個(gè)高輸入阻抗、增益為K′v的無(wú)噪聲放大器。

        圖* 電壓并聯(lián)負(fù)反饋電路的等效噪聲模型

        可以看出由于負(fù)反饋電阻RF及其噪聲的存在,使得最佳噪聲系數(shù)增加,即增大了系統(tǒng)的噪聲,當(dāng)滿足RF〉〉En/In(RF〉〉Rs)時(shí),式(10)可簡(jiǎn)化為:

        也就是說(shuō),電壓并聯(lián)負(fù)反饋放大器的反饋電阻RF滿足RF〉〉Rs的低噪聲條件時(shí),負(fù)反饋對(duì)噪聲的影響可以忽略。

        2 電流串聯(lián)負(fù)反饋

        圖4(a)所示為電流串聯(lián)負(fù)反饋的實(shí)際電路,圖中Re為反饋電阻。圖4(b)為電路簡(jiǎn)圖,圖中Zi為晶體管的輸入阻抗,Zo為晶體管的輸出阻抗,gm為晶體管的跨導(dǎo)。圖4(c)為該電路的噪聲模型,其中Ee為電阻Re的噪聲電壓;Ens為源電阻Rs的熱噪聲電壓=4kTRsΔf;En、In為晶體管的噪聲電壓和噪聲電流。

        圖. 電流串聯(lián)負(fù)反饋

        圖中忽略了輸出阻抗和電阻RC的噪聲,從圖中可以得到:

        由圖4可見(jiàn),各噪聲源在Zi上的噪聲電壓乘以gmRC,即可得各噪聲源在輸出端的貢獻(xiàn)。

        根據(jù)式(20),電流串聯(lián)負(fù)反饋電路的噪聲模型等效為圖5所示的噪聲模型,此時(shí)放大器為高輸入阻抗、增益為K′v的無(wú)噪聲放大器。

        圖# 電流串聯(lián)負(fù)反饋的等效噪聲模型

        最佳源電阻Ro和最佳噪聲系數(shù)Fo可用下式表示:

        如果滿足條件Re〈〈Rs(Re〈〈En/In),則等效輸入噪聲可簡(jiǎn)化為:

        最佳源電阻、最佳噪聲系數(shù)和沒(méi)有負(fù)反饋的情況相同,即電流串聯(lián)負(fù)反饋對(duì)噪聲的影響可以忽略。

        3 電流并聯(lián)負(fù)反饋

        電流并聯(lián)負(fù)反饋的實(shí)際電路如圖6(a)所示,圖中電阻RF、Re為反饋電阻。圖6(b)是其電路簡(jiǎn)圖的形式,Zi、Zo分別為無(wú)反饋放大部分的輸入和輸出阻抗,gm為跨導(dǎo)。圖6(c)為它的噪聲模型,其中Ens為源電阻Rs的熱噪聲電壓,=4kTRsΔf;Ee、EF分別為電阻Re和RF的噪聲電壓;En、In為無(wú)反饋放大部分的噪聲電壓和噪聲電流。

        由圖可以得到輸出信號(hào)電壓:

        圖/ 電流并聯(lián)負(fù)反饋

        其中:

        令ReF=Re+RF,且Ee、EF中只含熱噪聲電壓:

        如果滿足條件ReF〉〉Rs(Rs=En/In),則等效輸入噪聲可簡(jiǎn)化為:

        也就是說(shuō),電流并聯(lián)負(fù)反饋放大器的反饋電阻ReF滿足ReF〉〉Rs的低噪聲條件時(shí),負(fù)反饋對(duì)噪聲的影響可以忽略。

        4 結(jié)論

        本文利用課堂上劉老師對(duì)電壓串聯(lián)負(fù)反饋電路的噪聲特性的分析方法,推導(dǎo)了電壓并聯(lián)負(fù)反饋電路、電流串聯(lián)負(fù)反饋電路、電流并聯(lián)負(fù)反饋電路的噪聲特性,得到了相應(yīng)結(jié)論。對(duì)于電壓并聯(lián)負(fù)反饋電路,當(dāng)滿足RF〉〉Rs的低噪聲條件時(shí),負(fù)反饋對(duì)噪聲的影響可以忽略;對(duì)于電流串聯(lián)負(fù)反饋電路,當(dāng)滿足Re〈〈Rs的低噪聲條件時(shí),負(fù)反饋對(duì)噪聲的影響可以忽略;對(duì)于電流并聯(lián)負(fù)反饋電路,當(dāng)滿足ReF〉〉Rs時(shí),最佳源電阻、最佳噪聲系數(shù)和沒(méi)有負(fù)反饋的情況相同,即負(fù)反饋對(duì)噪聲的影響可以忽略。

        [1]胡士凌,孔得人.光電電子線路[M].北京:北京理工大學(xué)出版社,1996.

        [2]魏立安,秦石喬,王省書(shū).基于運(yùn)算放大器的光電探測(cè)電路噪聲分析[J].電子測(cè)量與儀器學(xué)報(bào),2002(增刊):1530-1533.

        [3]王遠(yuǎn).模擬電子技術(shù)[M].5版.北京:機(jī)械工業(yè)出版社,1994.

        [4]周求湛,胡封曄,張利平.弱信號(hào)檢測(cè)與估計(jì)[M].北京:北京航空航天大學(xué)出版社,2007.

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        電子制作(2019年23期)2019-02-23 13:21:36
        審批由“串聯(lián)”改“并聯(lián)”好在哪里?
        我曾經(jīng)去北京串聯(lián)
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