金海薇,秦 利,張 蘭
(中國國防科技信息中心,北京 100142)
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寬禁帶半導(dǎo)體在雷達(dá)中的應(yīng)用
金海薇,秦利,張?zhí)m
(中國國防科技信息中心,北京 100142)
摘要:以碳化硅和氮化鎵為典型代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料,與常規(guī)半導(dǎo)體硅或砷化鎵相比,具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點(diǎn),是大功率、高溫、高頻、抗輻照應(yīng)用場合下極為理想的半導(dǎo)體材料。介紹了寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)在雷達(dá)中的應(yīng)用及其在美國的發(fā)展,闡述了寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)與雷達(dá)技術(shù)相結(jié)合帶來的技術(shù)進(jìn)步,及其對(duì)下一代雷達(dá)技術(shù)的影響。
關(guān)鍵詞:寬禁帶半導(dǎo)體;雷達(dá);碳化硅
0引言
半導(dǎo)體技術(shù)在各種軍事領(lǐng)域中的廣泛應(yīng)用打破了武器裝備唯大、唯多和大規(guī)模破壞的傳統(tǒng)觀念,使武器系統(tǒng)變得體積更小、質(zhì)量更輕、功耗更低、可靠性更高、作戰(zhàn)效能和威力更強(qiáng)。軍用電子裝備需要工作在高溫、高輻射等惡劣環(huán)境,可探測出遠(yuǎn)距離的小目標(biāo),能實(shí)時(shí)處理高速傳感數(shù)據(jù),而工作頻帶超出普通的商用范圍。于是,軍用電子裝備對(duì)半導(dǎo)體元器件的要求遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于普通的電子設(shè)備,元器件的安全性和可靠性必須更高。在此值得指出的是,采用傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)制作的電子系統(tǒng)已無法滿足下一代軍事應(yīng)用對(duì)體積、質(zhì)量和可靠性的更高要求。寬禁帶半導(dǎo)體器件具有高頻、大功率、高溫和抗惡劣環(huán)境應(yīng)用潛力,使其為解決這些問題提供了方法。
1寬禁帶半導(dǎo)體
禁帶寬度大于2.2eV的半導(dǎo)體被定義為寬禁帶半導(dǎo)體,寬禁帶半導(dǎo)體材料典型代表有碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN),這些半導(dǎo)體材料也稱為第三代半導(dǎo)體材料。與以硅(Si)和砷化鎵(GaAs)為代表的第二代半導(dǎo)體相比,寬禁帶半導(dǎo)體具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點(diǎn)。
美國是最早啟動(dòng)寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)研究的國家,許多知名大學(xué)和科研機(jī)構(gòu),如雷神(Raytheon)、TriQuint半導(dǎo)體公司、英國BAE系統(tǒng)公司、麻省理工學(xué)院(MIT)和科銳公司(Cree)等,均在該項(xiàng)技術(shù)上投入了大量的人力和物力,其研究成果也最為突出。DARPA不惜投入巨額資金實(shí)施了多項(xiàng)寬禁帶半導(dǎo)體器件與電路技術(shù)發(fā)展計(jì)劃。DARPA以提升軍用雷達(dá)、潛艇和其他各種惡劣環(huán)境工作的系統(tǒng)裝備的性能和可靠性為目標(biāo),解決了寬禁帶技術(shù)當(dāng)前面臨的多項(xiàng)技術(shù)瓶頸。
迄今投資力度最大、參與機(jī)構(gòu)最多、成果最突出、影響最廣的要算DARPA在2002年啟動(dòng)的歷時(shí)8年時(shí)間,分3個(gè)階段完成的寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展計(jì)劃。第1階段為2002—2004年,著重材料開發(fā),實(shí)現(xiàn)SiC襯底材料商品化,現(xiàn)在已經(jīng)完成;第2階段為2005—2007年,著重器件開發(fā),利用寬禁帶半導(dǎo)體材料制作并演示射頻功率放大器,提高其功率附加率、帶寬及功率密度,最終實(shí)現(xiàn)GaN基高可靠、高性能微波與毫米波器件的大批量生產(chǎn);第3階段為2008—2009年,開發(fā)GaN基高可靠、高性能MMIC(單片微波集成電路)并在若干模塊中試驗(yàn)其應(yīng)用。該項(xiàng)計(jì)劃耗資數(shù)億美元。
借助DARPA的支持,雷神公司在寬禁帶技術(shù)領(lǐng)域處于世界先進(jìn)水平,如制造出第1個(gè)GaN MMIC;雷聲和Cree公司聯(lián)合研究小組負(fù)責(zé)“X波段收發(fā)模塊”項(xiàng)目的實(shí)施,擬研制X波段HEMT、MMIC、T/R組件和一部子陣級(jí)的導(dǎo)航雷達(dá)。寬禁帶半導(dǎo)體項(xiàng)目第2階段,雷聲和Cree 公司聯(lián)合研究小組完成的GaN HEMT器件性能為:工作頻率8~12 GHz,漏極偏壓40 V,功率密度6.5 W/mm,功率附加效率62.1 %,功率增益12.1 dB,長期穩(wěn)定性1×107h。2013年因順利完成“國防生產(chǎn)法案第三法令”中的氮化鎵生產(chǎn)改進(jìn)項(xiàng)目受到國防部長辦公室的獎(jiǎng)賞。通過此項(xiàng)目雷神公司GaN的生產(chǎn)已提高了至少300%,單片微波集成電路的成本至少改善了75%。2014年,雷神公司在美國“愛國者”防空反導(dǎo)雷達(dá)系統(tǒng)上成功演示了有源電掃描陣列(AESA)和氮化鎵(GaN)技術(shù)原型。此技術(shù)能夠在未來實(shí)現(xiàn)360°感知覆蓋,還將擴(kuò)展防御范圍,并減少探測、辨別和消除威脅的時(shí)間?;贕aN的AESA技術(shù)將進(jìn)一步改善“愛國者”雷達(dá)的可靠性,并降低壽命周期成本。
TriQuint半導(dǎo)體公司是GaN HEMT研發(fā)界的領(lǐng)導(dǎo)廠商,在GaN替代型襯底開發(fā)上擁有最高的技術(shù)水平,S波段和X波段GaN MMIC已獲得極佳的系統(tǒng)應(yīng)用性能。TriQuint公司負(fù)責(zé)“寬帶大功率放大器”項(xiàng)目的實(shí)施。寬禁帶半導(dǎo)體項(xiàng)目第2階段與雷聲和Cree公司團(tuán)隊(duì)的任務(wù)相同,研制X波段GaN HEMT器件,但不同的是它為計(jì)劃第3階段最終寬帶大功率放大器的研制目標(biāo)做鋪墊。第2階段TriQuint公司完成的GaN HEMT器件性能為:工作頻率8~12GHz,漏極偏壓40 V,功率密度 6.8 W/mm,功率附加效率62%,功率增益12.3dB,長期穩(wěn)定性1.5×106h。2010年開始參與寬禁帶半導(dǎo)體第3階段項(xiàng)目,2014年5月所研制器件在200℃環(huán)境中平均故障時(shí)間大于106 h,順利完成第3階段任務(wù),在此基礎(chǔ)上發(fā)布了多款可用于雷達(dá)的寬禁帶器件。
美國空軍F-35 Lighting II新型戰(zhàn)機(jī)(如圖1所示)將大量采用Cree公司開發(fā)的SiC功率模塊。在大功率系統(tǒng)應(yīng)用中,功率器件的效率越高系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)就會(huì)越加突出,減少碳排放就是明顯的優(yōu)點(diǎn)之一。另外依據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域的不同它還會(huì)帶來諸多其他優(yōu)勢。如果混合動(dòng)力機(jī)車采用高效寬帶隙功率電子器件,即可更加高效地將DC電池轉(zhuǎn)換成AC源動(dòng)力,從而可更加有效地驅(qū)動(dòng)發(fā)動(dòng)機(jī)并降低能耗。而且,電子部件的散熱量也會(huì)降低,從而使冷卻系統(tǒng)的體積更小、質(zhì)量更輕、復(fù)雜程度更低,最終降低生產(chǎn)成本,節(jié)約封裝空間,達(dá)到節(jié)約能源的目的。改進(jìn)器件的效率還可能為軍用飛機(jī)和替代能源系統(tǒng)帶來一系列的優(yōu)點(diǎn),例如,提高效率可以減輕質(zhì)量,降低冷卻系統(tǒng)的要求,從而可以延長和擴(kuò)大飛機(jī)的飛行距離和范圍。
圖1 F-35戰(zhàn)機(jī)的雷達(dá)和功率部件
2雷達(dá)與寬禁帶半導(dǎo)體
寬禁帶半導(dǎo)體功率器件固有的寬禁帶、高擊穿場強(qiáng)和良好的熱穩(wěn)定性等一些特殊性質(zhì)和潛在應(yīng)用前景使它們備受關(guān)注,利用寬禁帶半導(dǎo)體材料制成的功率器件非常適合應(yīng)用在雷達(dá)中,并將對(duì)其系統(tǒng)性能帶來深遠(yuǎn)的影響。
寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的功率器件在雷達(dá)中應(yīng)用,主要能解決以下幾個(gè)問題:
1)顯著提高雷達(dá)發(fā)射機(jī)的輸出功率和功率密度。雷達(dá)輻射功率一直都是衡量雷達(dá)性能的一項(xiàng)重要指標(biāo),或者說雷達(dá)性能從根本上決定于雷達(dá)的功率孔徑積(發(fā)射機(jī)平均功率和天線孔徑面積的乘積)?,F(xiàn)代雷達(dá)不僅要觀察原有的常規(guī)目標(biāo),而且需要觀察諸如隱身飛機(jī)、導(dǎo)彈、無人機(jī)、隱身艦船等低雷達(dá)截面積目標(biāo)。對(duì)于有源相控陣?yán)走_(dá),可以通過擴(kuò)大天線陣面尺寸、增加T/R組件數(shù)量來實(shí)現(xiàn),但對(duì)于一些天線孔徑嚴(yán)格受限制的雷達(dá),如機(jī)載預(yù)警雷達(dá)、機(jī)載火控雷達(dá)、無人機(jī)載雷達(dá)、直升機(jī)載雷達(dá)和彈載雷達(dá)等,只能通過提高雷達(dá)發(fā)射信號(hào)的輸出功率和功率密度的方法觀測到目標(biāo)。因此,對(duì)于雷達(dá)發(fā)射機(jī)的輸出功率以及功率密度提出了很高的要求。
2)提高工作頻率和工作頻帶寬度。提高雷達(dá)的工作帶寬和瞬時(shí)信號(hào)帶寬,對(duì)實(shí)現(xiàn)低截獲概率雷達(dá),提高雷達(dá)發(fā)射信號(hào)的反偵察能力和抗干擾能力,實(shí)現(xiàn)雷達(dá)高分辨率測量與目標(biāo)成像識(shí)別具有重要意義。同時(shí),現(xiàn)代雷達(dá)將向多功能一體化方向發(fā)展,雷達(dá)不僅需要具有預(yù)警探測功能,還應(yīng)具有電子對(duì)抗、通信、導(dǎo)航等功能,因此需要雷達(dá)發(fā)射機(jī)提高工作頻帶寬度,具有多頻段工作能力。
3)提高發(fā)射信號(hào)的線性度。雷達(dá)發(fā)射多波束的工作方式,要求發(fā)射輸出信號(hào)具有一定的線性度。同時(shí),發(fā)射機(jī)既可工作在線性狀態(tài),又可工作在飽和狀態(tài),可以滿足多功能雷達(dá)工作在偵察、電子對(duì)抗、通信、導(dǎo)航等不同狀態(tài)的要求。另外,發(fā)射機(jī)具有線性工作能力,可以根據(jù)需要進(jìn)行幅度控制,有助于有源相控陣?yán)走_(dá)采用幅度加權(quán)的方法實(shí)現(xiàn)發(fā)射低副瓣。
4)提高發(fā)射機(jī)的環(huán)境適應(yīng)性。功率晶體管是全固態(tài)發(fā)射機(jī)的核心器件,目前全固態(tài)發(fā)射機(jī)的可靠性問題主要表現(xiàn)為晶體管的失效。功率晶體管的壽命與其結(jié)溫密切相關(guān),結(jié)溫越高,壽命越低。在現(xiàn)有條件下,常用Si雙極型功率晶體管的結(jié)溫達(dá)到降額要求的臨界狀態(tài),因此選用能夠承受更高結(jié)溫并有良好熱傳導(dǎo)率的新型功率晶體管是提高發(fā)射機(jī)的環(huán)境適應(yīng)性、解決系統(tǒng)可靠性問題的有效途徑。第1代、第2代半導(dǎo)體功率器件經(jīng)過長期的發(fā)展,由于其本身半導(dǎo)體材料特性的限制,器件性能不可能在現(xiàn)有基礎(chǔ)上再有質(zhì)的提升。因此,雷達(dá)研制人員對(duì)于寬禁帶半導(dǎo)體功率器件寄予厚望,希望上述現(xiàn)代雷達(dá)對(duì)大功率發(fā)射機(jī)的新要求,能夠推動(dòng)寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的進(jìn)一步發(fā)展,最終帶動(dòng)雷達(dá)等裝備性能的提高。
新一代雷達(dá)及其電子系統(tǒng)的發(fā)展趨勢是實(shí)現(xiàn)偵察、電子對(duì)抗、通信、導(dǎo)航定位等設(shè)計(jì)為一體的綜合化電子系統(tǒng),這不僅要求提高雷達(dá)發(fā)射機(jī)的輸出功率和功率密度、工作頻帶寬度,而且要求發(fā)射機(jī)具備多波段一體化的工作能力。寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的輸入、輸出阻抗隨頻率變化小,且特性阻抗為高阻擾,所以比較容易實(shí)現(xiàn)寬帶電路匹配,從而容易提高放大器工作帶寬和瞬時(shí)帶寬。
雖然寬禁帶功率器件的優(yōu)勢非常明顯,但就目前而言,距將其應(yīng)用在新一代雷達(dá)上的目標(biāo)還存在一定差距,即要在提高輸出功率、功率密度、工作頻率、瞬時(shí)工作帶寬、工作電壓和增加品種的同時(shí),還要適應(yīng)新一代雷達(dá)對(duì)其的重要要求:
1)可靠性指標(biāo)要求,要實(shí)現(xiàn)寬禁帶功率器件的工程化和大批量應(yīng)用,其壽命應(yīng)在百萬小時(shí)以上,而目前在低頻端器件也只有十萬小時(shí)量級(jí),而X 波段以上還沒有實(shí)現(xiàn)工程化,尤其是GaN功率器件差距更大;
2)對(duì)性能指標(biāo)方面的要求,寬禁帶功率器件需有良好的飽和工作能力、諧波抑制、相位一致性的要求以及相位噪聲和頻譜純度、工作頻率和帶寬的要求。
3結(jié)束語
寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)具有許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn),是新一代半導(dǎo)體材料、器件、電路、工藝發(fā)展的重點(diǎn)。許多寬禁帶半導(dǎo)體器件與電路都是針對(duì)新一代雷達(dá)的需求而開發(fā)的。目前要充分發(fā)揮寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的優(yōu)良性能和達(dá)到預(yù)期的目標(biāo)還有很長的路要走,相信寬禁帶半導(dǎo)體功率器件在不久的將來會(huì)成為功率器件的主流,會(huì)最大程度地滿足現(xiàn)代雷達(dá)系統(tǒng)對(duì)新型半導(dǎo)體功率器件的需求?!?/p>
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Application of wide band gap semiconductors in radar
Jin Haiwei, Qin Li, Zhang Lan
(China Defence Science and Technology Information Center, Beijing 100142, China)
Abstract:Silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN) are typical representative of the wide band-gap semiconductor material. Compared with the conventional semiconductor silicon (Si) or gallium arsenide (GaAs), wide band-gap semiconductor has the wide band gap, high saturated drift velocity, high critical breakdown field and other advantages.It is highly desirable semiconductor material applied under the case of high-power, high-temperature, high-frequency and anti-radiation environment. The application and the technology development in the United States of wide band-gap semiconductor are introduced. The wide band-gap semiconductor technology and radar technology combined with the technology progress are summarized, and its influence on the next generation of radar technology is also discussed.
Key words:wide band gap semiconductor; radar; SiC
中圖分類號(hào):TN974
文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A
作者簡介:金海薇(1979-),女,博士,主要從事電子對(duì)抗情報(bào)研究。
收稿日期:2015-05-26;2015-10-23修回。