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        單分散二氧化硅球的制備及其直接催化生長石墨烯空心球

        2015-01-29 02:11:48魯焱琦
        化工技術(shù)與開發(fā) 2015年6期
        關(guān)鍵詞:空心球硅酸分散性

        魯焱琦

        (浙江省碳材料溫州大學(xué)化學(xué)與材料工程學(xué)院碳材料技術(shù)研究重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,浙江 溫州 325027)

        納米二氧化硅為一種無定形的白色粉末,是一種無毒、無味、無污染的非金屬納米材料。二氧化硅球因其具有高的機(jī)械強(qiáng)度、良好的穩(wěn)定性以及在溶劑中良好的分散性而被廣泛應(yīng)用在色譜柱填料、催化劑涂料、高性能陶瓷中[1-4]。同時(shí),球形的納米二氧化硅顆粒具有較大的比表面積,使其具有許多獨(dú)特的性能和廣泛的應(yīng)用前景,譬如特殊光電特性、高磁阻效應(yīng)等[5]。另外,二氧化硅因其具有光學(xué)透明性、化學(xué)惰性和生物兼容性在新納米材料中擔(dān)當(dāng)了重要的角色[6]。越來越多的科研工作者用單分散的二氧化硅微球作核、殼制備性能優(yōu)異的新材料[7-10]。而材料的性能在一定程度上取決于材料的顆粒尺寸和形貌,例如材料的一些光學(xué)、電學(xué)、磁學(xué)等性能只有當(dāng)材料顆粒的尺寸和形狀比較均勻的時(shí)候才能表現(xiàn)出來[11]。因此制備出均勻尺寸和形貌的單分散材料成為了當(dāng)今材料科學(xué)的研究熱點(diǎn)。

        目前二氧化硅的制備方法總體上分為干法和濕法2大類。濕法主要包括溶膠-凝膠法、沉淀法、微乳液法等[12-15],而干法主要包括氣相法和電弧法。球形二氧化硅的制備采用最多的方法是溶膠-凝膠法,許多科研工作者都使用此法合成了二氧化硅球,因此本文主要使用Stober的方法,通過調(diào)節(jié)其中一個(gè)重要的影響因素—正硅酸乙酯的量來調(diào)節(jié)二氧化硅球的直徑,并研究了正硅酸乙酯的量對(duì)合成的二氧化硅球的單分散性、尺寸的大小和均勻性的影響。

        近年來,石墨烯基納米材料的合成多采用化學(xué)氣相沉積法(CVD),在此法中需要一種催化劑來催化生長石墨烯,常用的催化劑是銅、釕等的金屬催化劑[16-17],這些催化劑催化生長石墨烯基納米材料存在著后期的石墨烯轉(zhuǎn)移困難以及催化劑難以完全除去等問題,鑒于以上存在的問題,我們?cè)囅胗枚趸枳鳛榇呋瘎┲苯由L石墨烯球。

        1 實(shí)驗(yàn)部分

        1.1 材料的制備

        1.1.1 二氧化硅球的制備

        首先在干凈的燒杯中加入適量的去離子水、乙醇、氨水,然后磁力攪拌,1h后再滴加一定量的正硅酸乙酯(TEOS),繼續(xù)攪拌3h,最后將得到的懸濁液分裝在10mL的離心管中,以10000r·min-1的速率離心分離30min,在離心管的底部得到白色的二氧化硅,再依次用無水乙醇和去離子水洗滌,最后將白色的二氧化硅放于100℃的烘箱中干燥即可。在其他條件不變的情況下,改變TEOS的量,可以得到不同直徑的二氧化硅球。

        1.1.2 石墨烯空心球的制備

        將制備好的單分散的二氧化硅放于鉬舟中,并將鉬舟放于石英管的中間,通入高純氬氣作保護(hù)氣,等到爐溫升到960℃時(shí),通入甲烷氣體,在這個(gè)過程中碳就沉積在了三維的二氧化硅的表面,1h后,關(guān)掉甲烷,停止加熱,待爐溫冷卻到室溫時(shí),關(guān)掉氬氣,取出產(chǎn)物即可得到碳化的石墨烯球。將得到的碳化的石墨烯球泡在10% HF溶液中,砂芯漏斗過濾,沖洗,干燥,即得到石墨烯空心球。實(shí)驗(yàn)裝置見圖1。

        圖1 化學(xué)氣相沉積法制備石墨烯空心球的裝置示意圖

        1.2 產(chǎn)物形貌的表征

        1.2.1 掃描電鏡(SEM)表征

        將粉末樣品涂于碳導(dǎo)電膠上,放在掃描電鏡樣品臺(tái)上,用JSM-6700F電場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡(電壓15kV,電子數(shù)3.0)觀察樣品的表面形貌。

        1.2.2 透射電鏡(TEM)表征

        取適量的粉末樣品,將其溶解于乙醇溶液中,超聲分散后,將其滴在銅網(wǎng)上,待干燥后即可使用JEOL-3010透射電子顯微鏡和高分辨透射電子顯微鏡觀察樣品的內(nèi)部形貌 。

        2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論

        2.1 正硅酸乙酯的量對(duì)二氧化硅球直徑和單分散性的影響

        圖2為加入不同量的正硅酸乙酯(TEOS)得到的二氧化硅的掃描電鏡照片。由圖2可知,當(dāng)加入正硅酸乙酯的量不同時(shí),得到的二氧化硅球的直徑是不同的,其單分散性也不同。由圖2(a)可以看出,當(dāng)加入1mL TEOS時(shí),得到的二氧化硅球是單分散的,直徑分布也比較均勻,大約為180nm。由圖2(b)可以看出,當(dāng)加入5mL TEOS時(shí),得到的二氧化硅球也是單分散的,尺寸均勻,其直徑比圖2(a)的明顯要增大了,大約為360nm。由圖2(c)可以看出,當(dāng)加入的TEOS的量為8mL的時(shí)候,球仍然是單分散的,且尺寸比較均勻,直徑大約為 400nm。由圖2 (d)可以看出,當(dāng)TEOS的量增加到15mL的時(shí)候,球的單分散性和均勻性不變,直徑增大到450nm。由圖2(e)可知,當(dāng)加入18mL TEOS時(shí),球還保持著單分散性和均勻性,直徑達(dá)到了550nm,但當(dāng)繼續(xù)增加TEOS的量時(shí)(此時(shí)加入的TEOS為20mL),球的直徑分布變得不均勻了,但還是保持著單分散性。由圖2(f)可以看出,再繼續(xù)增加TEOS的量時(shí),如圖2(g),加入的TEOS為30mL時(shí),球已經(jīng)部分發(fā)生了團(tuán)聚現(xiàn)象,而由圖2(h)可以看出加入35mL TEOS時(shí),球已經(jīng)都發(fā)生了團(tuán)聚現(xiàn)象。綜上所述,當(dāng)其他條件不變時(shí),通過改變TEOS的量可以控制球的大小、尺寸的均勻性和單分散性。其放大倍數(shù)下的掃描電鏡圖見圖3。

        圖2 加入不同量的正硅酸乙酯(TEOS)得到的二氧化硅的掃描電鏡照片

        2.2 合成的空心石墨烯球的掃描、透射電鏡表征

        圖4是空心石墨烯球的掃描電鏡和透射電鏡照片。我們可以看到,石墨烯的空心球也是單分散的,同時(shí)也保持了二氧化硅的形狀,由圖中凸凹不平處,我們可以推測(cè)其為空心結(jié)構(gòu)。為了進(jìn)一步證明石墨烯球的空心結(jié)構(gòu),我們也對(duì)其做了透射電鏡表征,由圖4(b)我們可以看出石墨烯球的空心結(jié)構(gòu),其尺寸均勻。

        圖3 加入不同量的正硅酸乙酯(TEOS)得到的二氧化硅的放大倍數(shù)下的掃描電鏡照片

        圖4 空心石墨烯球的掃描、透射電鏡照片

        3 結(jié)論

        本文以正硅酸乙酯為起始原料,通過Stober的方法,成功合成了單分散的二氧化硅小球,并考察了正硅酸乙酯的量對(duì)二氧化硅球的單分散性、尺寸的均勻性以及尺寸大小的影響,同時(shí)以其為模板,通過CVD的方法成功合成了石墨烯空心球納米材料,得到了如下結(jié)論:

        1)采用Stober的方法,成功合成了單分散的二氧化硅小球。

        2)通過改變加入的正硅酸乙酯的量來探索其對(duì)二氧化硅形貌的影響,通過掃描電鏡表征手段,證明了當(dāng)加入 1mL、5mL、8mL、15mL、18mL TEOS 時(shí),二氧化硅的尺寸均勻,且都是單分散的,而且直徑是隨著加入的TEOS量的增加而增大的。

        3)以單分散的二氧化硅球?yàn)槟0澹捎肅VD的方法,以甲烷為碳源,成功合成了石墨烯空心球納米材料。并通過掃描電鏡和透射電鏡對(duì)其形貌進(jìn)行了表征,表征結(jié)果表明,可以在二氧化硅的表面直接催化生長石墨烯球。

        總之,我們成功地可控合成了二氧化硅球,通過對(duì)反應(yīng)條件的一系列摸索,探究了正硅酸乙酯的量對(duì)二氧化硅球單分散性、均勻性和尺寸大小的影響,并以其為模板,通過CVD法成功合成了石墨烯空心球納米材料。此實(shí)驗(yàn)方法簡(jiǎn)單,成本低,具有可擴(kuò)大性,具有潛在的應(yīng)用價(jià)值。

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