李騰飛 陶維娜 席 音

50例熱性驚厥兒童腦電圖臨床回顧分析

李騰飛 陶維娜 席 音

目的 研究探討熱性驚厥兒童的腦電圖特征, 為其臨床診斷分析提供依據(jù)。方法 選取熱性驚厥兒童50例作為研究對象, 回顧性分析患兒的基本臨床資料以及腦電圖診斷的影像學表現(xiàn)等,分析腦電圖異常與患兒的臨床特征之間的關系。結(jié)果 50例熱性驚厥患兒經(jīng)腦電圖檢查正常的有33例,占66.0%, 檢查異常的患兒有17例, 占34.0%。在腦電圖異常的17例患兒中又有14例患兒表現(xiàn)出陣發(fā)性高幅慢波顯著增加, 部分兩側(cè)不對稱的情況。非特異性腦電圖異常的患兒和發(fā)作性腦電圖異常的患兒分別有11例和6例, 各占64.7%和35.3%, 在發(fā)作性腦電圖異常的患兒中, 局限性腦電圖異常和廣泛性腦電圖異常的患兒各有3例。且腦電圖異常的患兒中3歲以下、體溫≥38.5℃、反復發(fā)作、有家族史等所占的比例高。結(jié)論 小兒熱性驚厥的腦電圖異常率與患兒的年齡、體溫、發(fā)作次數(shù)以及家族史等臨床特征有關, 可以通過腦電圖監(jiān)測對疾病的嚴重程度、治療效果等進行推測, 具有很好的診斷價值。

熱性驚厥；腦電圖；臨床分析

熱性驚厥指的是6歲以下兒童因非中樞性感染的發(fā)熱誘發(fā)驚厥的情況［1］, 其是小兒常見的神經(jīng)系統(tǒng)急癥。調(diào)查數(shù)據(jù)顯示, 5%～6%的兒童有過驚厥發(fā)生的情況［2］。本文就本院收治的熱性驚厥患兒50例作為研究對象, 分析其腦電圖檢查的特征以及臨床應用價值。具體報告如下。

1 資料與方法

1.1 一般資料 選取本院收治的熱性驚厥患兒50例作為研究對象, 所有患兒均符合熱性驚厥的臨床診斷標準［3］：一次驚厥的發(fā)生持續(xù)時間≥30 min或者驚厥反復多次發(fā)生, 且發(fā)作期間患兒的意識無法恢復。排除患兒中合并有腦部發(fā)育不良的情況和合并有中樞神經(jīng)感染的情況。

回顧性分析患兒的基本臨床資料, 其中, 男29例, 女21例, 年齡6個月～5歲, 平均年齡（3.4±1.1）歲。其中, ≤3歲患兒13例, >3歲患兒37例。

患兒均表現(xiàn)出體溫升高的情況, 體溫37.8～40.5℃, 平均體溫（39.1±0.7）℃。以38.5℃作為分界, 體溫<38.5℃和≥38.5℃的患者分別有9例和41例。根據(jù)患兒癲癇的發(fā)作次數(shù)分, 首次發(fā)作的患兒30例, 發(fā)作次數(shù)在2次及以上的患兒20例。了解患兒有無癲癇或者熱性驚厥家族史, 可見有熱性驚厥或者癲癇發(fā)作家族史的患兒和無熱性驚厥或者癲癇發(fā)作家族史的患兒分別有18例和32例。患兒誘發(fā)高熱的原因均為呼吸道或者消化道感染。

1.2 方法 在熱性驚厥發(fā)生后的20 d內(nèi)對患兒進行腦電圖監(jiān)測。選用德國西門子公司生產(chǎn)的動態(tài)腦電圖儀（型號為SAD2006）對患兒進行監(jiān)測。根據(jù)國際10/20系統(tǒng)電極安置法, 使用單極導聯(lián)及雙極導聯(lián)進行描記。設置動態(tài)腦電圖儀的參數(shù)為：標準電壓5～50 μV, 時間常數(shù)為0.3 s, 高頻濾波為60 Hz, 走紙速度為3 cm/s, 掃描時間為20 min。對>3歲的患兒可以在安靜狀態(tài)下進行閉目狀態(tài)記錄, 并做睜閉眼和過度換氣的實驗。對≤3歲無法配合檢查的患兒, 可以在其自然睡眠或者剝奪睡眠的狀態(tài)下進行監(jiān)測。如果初次檢查患兒存在腦電圖異常的情況, 可以建議其定期到醫(yī)院接受復查。采用福山幸夫標準對腦電圖監(jiān)測結(jié)果進行評價, 其有正常和異常的區(qū)別, 而腦電圖異常又有發(fā)作性異常和非特異性異常兩種情況。

1.3 統(tǒng)計學方法 采用SPSS19.0統(tǒng)計學軟件進行統(tǒng)計分析。計量資料以均數(shù)±標準差（ χ-±s）表示, 采用t檢驗；計數(shù)資料以率（%）表示, 采用χ2檢驗。P<0.05表示差異具有統(tǒng)計學意義。

2 結(jié)果

50例熱性驚厥患兒經(jīng)腦電圖檢查正常的有33例, 占66.0%, 檢查異常的患兒有17例, 占34.0%。在腦電圖異常的17例患兒中又有14例患兒表現(xiàn)出陣發(fā)性高幅慢波顯著增加,部分兩側(cè)不對稱的情況。非特異性腦電圖異常的患兒和發(fā)作性腦電圖異常的患兒分別有11例和6例, 各占64.7%和35.3%, 在發(fā)作性腦電圖異常的患兒中, 局限性腦電圖異常和廣泛性腦電圖異常的患兒分別有3例。

分析腦電圖正常與異常患兒的年齡、體溫、發(fā)作次數(shù)、家族病史之間的相互關系, 可見, 腦電圖異常的患兒<3歲、體溫≥38.5℃、反復發(fā)作、有家族史等所占的比例均顯著高于腦電圖正常的患兒, 比較差異有統(tǒng)計學意義（P<0.05）。

3 討論

小兒熱性驚厥的發(fā)病機制可能是非中樞性感染發(fā)熱導致腦氧化機制加重, 氧需求量增加引起神經(jīng)元興奮閾值改變致異常同步放電。小兒熱性驚厥如果不能得到及時有效的控制,患兒可能因驚厥的反復發(fā)作而使腦部發(fā)育受到影響或者因長時間的驚厥造成腦部缺氧, 引起腦損傷, 影響腦部功能, 遺留后遺癥甚至造成死亡。調(diào)查研究表明, 熱性驚厥的患兒在無法得到有效治療控制的情況下, 死亡率高達50%［3］, 即使存活的患兒中也多半有智力低下、繼發(fā)性癲癇、神經(jīng)系統(tǒng)發(fā)育障礙等后遺癥的產(chǎn)生。因而, 對熱性驚厥患兒的有效診斷具有十分重要的意義。本文的研究結(jié)果顯示, 腦電圖對小兒熱性驚厥的檢測敏感性34.0%, 且腦電圖異常的患兒中<3歲、體溫≥38.5℃、反復發(fā)作、有家族病史等所占的比例高, 其中<3歲患兒腦電圖異常情況多, 也與研究中發(fā)現(xiàn)的熱性驚厥多發(fā)于0.5～3.0歲的兒童的結(jié)論相符, 可能與低齡兒童腦部結(jié)構(gòu)、神經(jīng)元樹突發(fā)育不完全, 神經(jīng)遞質(zhì)傳遞動態(tài)平衡關系不穩(wěn)定有關。而高熱患兒更易發(fā)生驚厥則可能與高熱引起腦細胞對環(huán)境中相關刺激的敏感性升高有關, 機體在發(fā)熱的時候, 腦部需氧量增加, 腦氧化機制增加, 而腦神經(jīng)元的閾值也會發(fā)生相應的改變, 中樞神經(jīng)系統(tǒng)在過度興奮的狀態(tài)下,腦細胞對環(huán)境刺激敏感性升高, 而驚厥閾值下降, 神經(jīng)元耗氧量升高, 腦細胞功能發(fā)生紊亂, 進而造成腦部異常同步放電誘發(fā)驚厥。反復發(fā)作的患兒則可能是受到低齡兒童自身中樞神經(jīng)系統(tǒng)發(fā)育不完善和反復發(fā)作引起的腦缺氧缺血、神經(jīng)元缺失而髓鞘形成障礙, 神經(jīng)細胞的損害不斷增加, 壞死液化的雙重影響, 使得反復發(fā)作的患兒腦電圖異常率較高。有家族病史的患兒發(fā)病率高表示其有一定的遺傳傾向, 研究也證明, 發(fā)熱驚厥存在復雜遺傳模式, 且多為常染色體顯性或隱性遺傳。

發(fā)熱性驚厥在發(fā)作的時候會使得患兒出現(xiàn)短暫性腦缺血缺氧的情況, 如果不能及時控制, 則反復發(fā)作可能會使得海馬神經(jīng)細胞及相關結(jié)構(gòu)發(fā)生改變和損傷, 最終引起大腦局灶性損傷, 誘發(fā)癲癇。這也是熱性驚厥與癲癇可能存在共同的遺傳基礎的一個依據(jù)。

綜上所述, 通過腦電圖監(jiān)測可以對疾病的嚴重程度、治療效果等進行推測, 具有很好的診斷價值。

［1］ 郭向陽.熱性驚厥患兒485 例的臨床特征和腦電圖分析.山西醫(yī)科大學學報, 2011, 42（11）:922-923.

［2］ 王莉.34 例熱性驚厥兒童的腦電圖分析.現(xiàn)代診斷與治療, 2012, 23（7）:944-945.

［3］ 崔虹.小兒熱性驚厥的腦電圖臨床監(jiān)測分析.內(nèi)蒙古中醫(yī)藥, 2011, 12（19）:101-102.

10.14164/j.cnki.cn11-5581/r.2015.10.064

2015-01-19］

454001 焦作市婦幼保健院兒童康復科