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        光刻膠剝離制程中的問題分析

        2014-12-31 00:00:00馬彩霞郝起林
        文化產(chǎn)業(yè) 2014年12期

        摘 要: 光刻膠剝離制程為TFT-LCD中重要的制程,其剝離效果及洗凈程度將直接影響TFT質(zhì)量,本文主要闡述了TFT- LCD 生產(chǎn)中光刻膠剝離制程可影響產(chǎn)品質(zhì)量的問題,并根據(jù)產(chǎn)線的情況對這些問題產(chǎn)生原因進(jìn)行了分析, 對實(shí)際生產(chǎn)過程中出現(xiàn)的問題提出了相應(yīng)的解決方案。

        關(guān)鍵詞: 光刻膠剝離; Mura;腐蝕;光刻膠殘留

        中圖分類號:TN305.7 文獻(xiàn)標(biāo)識碼:A

        在TFT-LCD生產(chǎn)的陣列段內(nèi),光刻膠剝離制程是使用有機(jī)性、堿性剝離液洗去TFT基板上的用于保護(hù)非蝕刻部分的光刻膠,是每道制程中最后一步,其質(zhì)量控制點(diǎn)在于:光刻膠的去除能力,Mura(色差)的控制,金屬層的腐蝕,Particle(細(xì)小顆粒)的控制。由于光刻膠剝離制程存在于TFT制程中的每一道,清洗的質(zhì)量將直接影響后續(xù)制程,且光刻膠剝離機(jī)的Tact time(節(jié)拍)較短,只有40秒/片,產(chǎn)品的抽檢為每10~20批抽檢1批,所以光刻膠剝離制程一旦出現(xiàn)問題,產(chǎn)品將影響多批,所以保持光刻膠剝離設(shè)備的制程穩(wěn)定性顯得尤為重要。

        公司目前設(shè)備常發(fā)生Mura,光刻膠回粘,和金屬層腐蝕問題,使用光刻膠剝離液有TOK106(MEA 70% ,DMSO 30%)。理論聯(lián)系實(shí)際,通過實(shí)驗(yàn)找尋解決問題,改善產(chǎn)品質(zhì)量的方法。

        一、TOK106剝離液。

        TOK106剝離液的主要成分為,MEA(70%, HO-CH2-CH2-NH2乙醇胺)作用:浸潤能力,與光刻膠形成微胞。DMSO(30%,(CH3)2SO 二甲基亞砜),溶劑,作用:浸潤能力。TOK106剝離液與光刻膠作用的步驟:

        第一步:機(jī)臺通過液刀,低壓噴嘴等將剝離液均勻噴灑至基板表面,剝離液將光刻膠浸潤,軟化。其中DMSO溶劑將膨脹光刻膠,MEA在光刻膠和基板間交互。

        第二步:一般通過高壓噴嘴噴出的剝離液擊打已被軟化的光刻膠,將光刻膠擊碎,分解,形成微胞。

        第三步:利用藥液循環(huán)作用,洗凈基板表面殘留光刻膠,并降低剝離液內(nèi)光刻膠含量,防止產(chǎn)生光刻膠回粘在基板上

        二、光刻膠剝離常見的制程的問題

        常見的光刻膠剝離制程產(chǎn)品問題有以下:

        1、剝離不凈。

        2、光刻膠回粘。

        3、Particle

        4、Mura

        5、Al腐蝕

        6、刮傷基板

        其中刮傷問題多因機(jī)臺機(jī)構(gòu)異常,機(jī)構(gòu)直接與基板接觸,導(dǎo)致刮傷產(chǎn)生; Particle的防控多以控制水洗單元的流量,清潔干燥單元有關(guān)本文不表。

        筆者將常見的制程問題進(jìn)行比對和再劃分,分為(1)剝離單元?jiǎng)冸x能力。(2)光刻膠回粘洗凈能力。(3)水洗置換能力。

        三、剝離單元?jiǎng)冸x能力

        剝離單元的剝離能力不足導(dǎo)致光刻膠剝離不凈。

        剝離單元常使用的制程:先正常中低壓噴灑,用以泡脹光刻膠,再用高壓噴灑擊碎光刻膠,最后用正常中低壓噴灑清洗,用較潔凈的藥液置換臟污的藥液。其中在第二步中,如果用高壓和低壓間隔噴灑,稱為MSJ(高低壓混合型噴灑)。如果只用高壓噴灑,稱為連續(xù)JET。

        連續(xù)JET,由于藥液浸潤只在光刻膠的表層,下層的光刻膠沒有得到充分的浸潤,經(jīng)過連續(xù)JET也只能將表層的光刻膠洗去,下層光刻膠清洗不凈易導(dǎo)致殘?jiān)陌l(fā)生。

        MSJ,每經(jīng)過浸潤的光刻膠都會被接下來的高壓JET擊碎、洗去,再浸潤高壓JET,反復(fù)多次直至洗凈全部光刻膠。

        目前公司常發(fā)生光刻膠殘留的設(shè)備。連續(xù)的中壓沖洗,去光刻膠能力弱于MSJ。建議改造方案:(1)將DMSO室改造為剝離室。增加剝離的制程時(shí)間,增加水洗室水量,防止金屬層腐蝕和Mura產(chǎn)生,實(shí)驗(yàn)證明,DMSO室可直接改造成剝離室,但生產(chǎn)出的產(chǎn)品有Mura(將在第5章詳述)。同時(shí)產(chǎn)品因機(jī)臺異常停在水洗時(shí),會發(fā)生金屬層腐蝕。但由于不使用DMSO藥液,將節(jié)約DMSO液的使用量,從而節(jié)省藥液并降低生產(chǎn)成本。(2)將剝離3室改造為高壓沖洗,需更換泵的型號,并需增加上壓滾輪防止因噴灑壓力增大導(dǎo)致基板傳送問題發(fā)生。(3)將剝離2和剝離3室的幾排噴嘴用外殼包起,使其在噴灑的時(shí)形成氣泡,通過氣泡的破裂形成高壓。

        四、光刻膠回粘清潔能力

        光刻膠回粘清洗能力取決于:藥液中的光刻膠含量及第一道水的洗凈能力。

        藥液中的光刻膠含量:為了節(jié)省剝離液的使用量,在藥液的運(yùn)用上常是最先發(fā)生反應(yīng)的單元藥液中光刻膠含量越高,最后反應(yīng)的制程光刻膠含量越少,由基板帶到水洗室的剝離液中的光刻膠含量越少,被洗的可能性就越大。使用析光度分析儀,通過對Tank4內(nèi)藥液做光的折射率分析來判斷tank4內(nèi)的光刻膠含量,這種方法也可以使用肉眼觀察分析來做簡單鑒定。

        現(xiàn)有機(jī)臺藥液的運(yùn)用方法,使得隨基板帶到水洗的的光刻膠含量是某5代線剝離3帶到剝離4的含量,不同的光刻膠含量運(yùn)用同樣的水洗能力去洗凈殘留光刻膠得到的效果必然不同。

        (1)參照國內(nèi)某5代線的藥液運(yùn)用方式改造現(xiàn)有機(jī)臺,將Tank1A與Tank1B由現(xiàn)有的交替供應(yīng)剝離1,2室,改為Tank1A對應(yīng)剝離1,Tank1B對應(yīng)剝離2。這種改造,管路變動(dòng)較大,泵無需增加,改造費(fèi)用較高,但效果明顯。

        (2)增加藥液更換頻率,浪費(fèi)藥液使Tank2達(dá)到某5代線Tank3的效果。這種方案將浪費(fèi)較多藥液。實(shí)驗(yàn)證明,將所有藥液更換成新藥液生產(chǎn)實(shí)驗(yàn)產(chǎn)品,光刻膠回粘依舊存在。對比機(jī)臺間的異同,焦點(diǎn)將集中在水洗置換能力。

        五、水洗置換能力

        將Mura和金屬層腐蝕合并成一類,即因MEA與水反應(yīng)生成強(qiáng)堿腐蝕金屬層,因?yàn)镸ura的產(chǎn)生就是局部色差,根據(jù)漫反射原理,發(fā)生色差的區(qū)域必定和其他區(qū)域有不同的。同時(shí)由于全部使用新藥液實(shí)驗(yàn)仍會發(fā)生光刻膠回粘現(xiàn)象,故水洗置換能力也與光刻膠回粘關(guān)聯(lián)起來。

        現(xiàn)有設(shè)備的Mura狀況如圖8,這種Mura在陣列廠無法檢測到,經(jīng)過實(shí)驗(yàn),將DMSO室的藥液換為剝離液,生產(chǎn)實(shí)驗(yàn)貨,該Mura在陣列斜光檢查可見,且樣式一直??梢缘贸鼋Y(jié)論,該Mura的產(chǎn)生式MEA和水反應(yīng)的結(jié)果。機(jī)臺已經(jīng)使用DMSO液先置換剝離液中的MEA,為什么仍會存在Mura問題呢? 筆者將所以Mura產(chǎn)生批與DMSO藥液使用片數(shù)聯(lián)系在一起,發(fā)現(xiàn)Mura發(fā)生片都在DMSO使用超過4500片后發(fā)生 如圖9。而國內(nèi)的某5代線直接使用水置換剝離液,為什么不產(chǎn)生Mura呢?

        提升水洗室水洗能力,現(xiàn)有設(shè)備第一段水洗流量為90L/min,傳送速度3300mm/min,而某5代線的第一段水洗流量210L/min,傳送速度6000mm/min由于兩種設(shè)備的傳輸速度不同,現(xiàn)有設(shè)備如需達(dá)到同樣的清洗能力,水量提升至115L/min,現(xiàn)有設(shè)備需在第一段水洗額外增加液刀或噴嘴以求達(dá)到所需流量。

        實(shí)驗(yàn):將液刀流量提升至120L/min,除液刀噴灑開叉產(chǎn)生光刻膠回粘,其余正常處無異常。

        六、結(jié) 論

        本文從制程角度分析了現(xiàn)有剝離設(shè)備產(chǎn)生的多種制程問題,并針對Mura,光刻膠回粘,光刻膠殘留進(jìn)行了分析。從現(xiàn)象追蹤到制程, 并通過調(diào)整制程參數(shù),改造現(xiàn)有設(shè)備解決問題,同時(shí)本文還對光刻膠剝離和制備技術(shù)進(jìn)行了比較全面的闡述。

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