許詠梅

摘 要：光刻膠產(chǎn)品主要適用于集成電路產(chǎn)業(yè)和平板顯示器產(chǎn)業(yè)的光刻工藝，以得到精細(xì)線路。文章介紹了高世代平板顯示器用光刻膠產(chǎn)品的性能，用途。

關(guān)鍵詞：光刻膠；性能；用途

前言

所謂光刻膠（photoresist），是一類利用光化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行精細(xì)圖形轉(zhuǎn)移的化學(xué)品。應(yīng)用于集成電路、平板顯示器、光伏電池、LED等產(chǎn)業(yè)。文章主要討論用于高世代平板顯示器（FPD）產(chǎn)業(yè)的正性光刻膠。

光刻膠隸屬于電子化學(xué)品，指為電子工業(yè)配套的精細(xì)化工材料。工信部指出，“十一五”期，我國(guó)必須大力發(fā)展電子材料產(chǎn)業(yè)，縮小電子材料與國(guó)外先進(jìn)水平的差距，提高國(guó)內(nèi)自主配套能力，為電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供有力支撐。

文章討論的正性光刻膠，利用曝光、顯影后，感光部分樹(shù)脂的溶解度遠(yuǎn)大于非感光部分樹(shù)脂的特性，通過(guò)光刻工藝（LITHOGRAPHY），得到所需的線路圖形，是光刻工藝中使用的關(guān)鍵化學(xué)品。

高世代的面板工廠，需建設(shè)大面積無(wú)塵潔凈空間，購(gòu)置大型的自動(dòng)化精密機(jī)械，投資高昂。為面板工廠配套的各類電子化學(xué)品，需滿足面板工廠對(duì)大尺寸和精細(xì)線路方面的高要求，才能保證產(chǎn)品的正品率，以收回高昂投資。

1 光刻膠的介紹

光刻膠，在曝光區(qū)域發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，造成曝光和非曝光部分在堿液中溶解性產(chǎn)生明顯的差異，經(jīng)適當(dāng)?shù)娜軇┨幚砗?，溶去可溶性部分，得到所需圖像。根據(jù)其化學(xué)反應(yīng)機(jī)理，分負(fù)性膠和正性膠兩類。經(jīng)曝光、顯影后，溶解度增加的是“正性膠”，溶解度減小的是“負(fù)性膠”。正性膠有良好的分辨率，但成本較高。

適用于高世代平板顯示器產(chǎn)業(yè)的光刻膠，一般采用正性光刻膠，以得到良好的分辨率。FPD工廠所用的曝光光源，一般采用H-line/G-line/I-line的紫外混合光源，光源波長(zhǎng)在300nm～450nm范圍。為適應(yīng)高世代平板顯示器尺寸越來(lái)越大的趨勢(shì)，多采用刮涂工藝（SLIT COATING）。

典型的高世代平板顯示器產(chǎn)業(yè)所用的正性光刻膠，主要成分和作用是：（1）線性酚醛樹(shù)脂為成膜樹(shù)脂，通過(guò)涂布工藝在噴濺金屬的玻璃基材表面形成樹(shù)脂涂層，利用光刻工藝，在涂層上“印制”線路。（2）感光劑（photo-active compound，簡(jiǎn)稱PAC）采用鄰重氮萘醌（diazo-naphthoquinone，簡(jiǎn)稱為DNQ）磺酸酯，利用PAC在感光和非感光部分不同的反應(yīng)，得到所需的圖形。（3）溶劑和添加劑，溶劑作用是得到均勻的稀釋液體，以便涂布時(shí)有良好的流動(dòng)性，形成表面均一平整的膜；添加劑含量很小，目地是改善附著性，增加感度，改善表面成膜性等。光刻膠是以上三種成分的混合物，三者大致組成為：（1）樹(shù)脂含量10～40%；（2）感光劑含量1～6%；（3）溶劑含量50～90%，添加劑含量一般在1%以下。

正性紫外光刻膠的大致反應(yīng)機(jī)理如下：

感光劑（PAC）受紫外光照射后，曝光區(qū)域的鄰重氮萘醌磺酸酯（DNQ）發(fā)生分解，放出N2形成烯酮，烯酮遇水形成茚羧酸而易溶于稀堿：在非曝光區(qū)域，PAC與酚醛樹(shù)脂在堿性環(huán)境下發(fā)生偶氮基的偶合反應(yīng)，形成鏈長(zhǎng)更長(zhǎng)的高分子化合物。在曝光區(qū)域和非曝光區(qū)域，發(fā)生了不同的反應(yīng)，曝光區(qū)域溶解性遠(yuǎn)大于非曝光區(qū)域。

在FPD工廠的光刻工序中，經(jīng)過(guò)光刻膠涂布-曝光-顯影-蝕刻-剝離這幾個(gè)主要工序。（1）Cr，Mo，SiNx等金屬材料或半導(dǎo)體材料經(jīng)噴濺工藝，在玻璃基材形成導(dǎo)電膜層。（2）涂布光刻膠，涂布方式有滾涂（ROLL），旋涂（SPIN），刮涂（SLIT）等方式。（3）EBR溶劑進(jìn)行清邊。（4）前烘干（pre-bake），使光刻膠膜固化，前烘溫度90～100℃。（5）曝光，利用曝光機(jī)和線路掩膜板，使光刻膠層在曝光區(qū)和非曝光區(qū)進(jìn)行不同的光照，產(chǎn)生光反應(yīng)。（6）顯影，曝光區(qū)域的光刻膠在這一步被顯影劑溶解，再經(jīng)純水清洗，曝光區(qū)域覆蓋的光刻膠被除去。（7）后烘干，一般后烘的溫度較前烘高。（8）刻蝕，用化學(xué)刻蝕（酸腐蝕）或等離子氧氣刻蝕去除掉原曝光區(qū)域，經(jīng)過(guò)顯影后無(wú)光刻膠保護(hù)的金屬層。（9）剝離，一般采用對(duì)光刻膠有良好溶解性的有機(jī)溶劑或堿性溶液，去除掉未曝光部分的光刻膠。

經(jīng)過(guò)以上步驟，只在非曝光區(qū)域留下了金屬層，就在玻璃基材上形成了所需的線路。以上步驟會(huì)重復(fù)多次，形成一個(gè)多層的線路。

2 光刻膠材料的質(zhì)量參數(shù)

2.1 感光度（Sensitivity）

感光度指在膠膜上產(chǎn)生一個(gè)良好圖形所需一定波長(zhǎng)的光的能量值，即曝光量。單位是mJ/cm2。一般用Eop或Eth這兩個(gè)參數(shù)來(lái)評(píng)估。其中Eop是指光刻膠圖案的線寬與掩膜板上的線寬一致時(shí)的曝光量。Eth是指曝光部分的膜厚為零時(shí)的曝光量。

2.2 分辨率（Resolution）

分辨率是光刻工藝的一個(gè)特征指標(biāo)，表示在基材上能得到的立體圖形良好的最小的線路。

2.3 對(duì)比度（Contrast）

指光刻膠從曝光區(qū)域到非曝光區(qū)域過(guò)渡的陡度，對(duì)比度越好，得到的圖形越好。

2.4 殘膜率（%）

經(jīng)過(guò)曝光顯影后，未曝光區(qū)域的光刻膠殘余量。殘膜率是殘余膜厚與原膜厚的比率。

2.5 涂布性

光刻膠在基材表面形成無(wú)針孔，無(wú)氣泡，無(wú)缺陷的膜厚均一的光刻膠膜，良好的涂布性是光刻膠的基本要求。

2.6 耐熱性

光刻工藝中，經(jīng)過(guò)前烘使光刻膠中的溶劑蒸發(fā)，得到膜厚均一的膠膜；經(jīng)過(guò)后烘，進(jìn)一步蒸發(fā)溶劑，提高光刻膠在顯影后的致密性，增強(qiáng)膠膜與基板的粘附性。在這兩個(gè)過(guò)程中，都要求光刻膠有一定的耐熱性。

2.7 粘附性

光刻膠與基材需有很好的粘附性，才能保證光刻膠在烘干/顯影/刻蝕等苛刻的過(guò)程中不發(fā)生剝離。

2.8 耐蝕性

刻蝕階段，光刻膠有抗刻蝕能力，耐受等離子氣體的“轟炸”。如下圖，在光刻膠的邊緣，發(fā)生了“側(cè)蝕”現(xiàn)象，將影響圖形的線寬。

2.9 粘度/膜厚

粘度（viscosity）是衡量光刻膠流動(dòng)特性的參數(shù)，粘度與光刻膠組分中的溶劑含量有關(guān)，也與所用的樹(shù)脂的分子量有關(guān)。膜厚是在特定涂布條件下（如某一旋涂轉(zhuǎn)速），光刻膠涂層的厚度。

2.10 工藝條件依存性及其線性度

考衡光刻膠對(duì)工藝條件的依存性，了解條件的變化對(duì)線路的影響是否有線性關(guān)系。

2.11 潔凈度

對(duì)微粒子含量和金屬離子含量等材料清潔度的要求。上述列舉了光刻膠的一些主要性能。由于光刻工藝的復(fù)雜性，并與多種化學(xué)品配套使用，設(shè)備，材料，環(huán)境，工藝條件等形成了一個(gè)綜合的系統(tǒng)，影響著產(chǎn)品最終的質(zhì)量和良品率，所以不能脫離整個(gè)系統(tǒng)，單獨(dú)評(píng)判光刻膠的性能。

3 結(jié)束語(yǔ)

電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展符合摩爾定律，技術(shù)在不斷更新和發(fā)展。高質(zhì)量的電子化學(xué)品是制造出高性能的電子元器件的保證，光刻膠作為高世代平板工廠光刻工藝中的關(guān)鍵化學(xué)材料，在使用時(shí)需要充分了解其特性，選擇合適的工藝條件，才能得到精細(xì)的線路，提高良品率，滿足電子產(chǎn)品的性能要求和價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)要求。以適應(yīng)新一代信息技術(shù)不斷發(fā)展的腳步。

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