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        印制電路板化學(xué)金漏鍍淺析

        2014-11-05 02:23:34劉喜科林人道
        印制電路信息 2014年1期
        關(guān)鍵詞:焊點(diǎn)電勢(shì)活化

        戴 暉 劉喜科 林人道

        (梅州市志浩電子科技有限公司,廣東 梅州 514000)

        1 前言

        印制電路板在進(jìn)行沉金處理過(guò)程中,常出現(xiàn)焊盤(pán)(Pad)、標(biāo)志(Mark)點(diǎn)、印制插頭等部位出現(xiàn)漏鍍現(xiàn)象。導(dǎo)致化金過(guò)程中出現(xiàn)漏鍍的原因很多,如顯影不凈、顯影后水洗不足、蝕刻后退膜不凈以及層壓擠膠等均可以造成焊盤(pán)、插頭等部位出現(xiàn)漏鍍,但是這些原因造成的漏鍍都是銅面被污染或覆蓋造成的,只要將銅面處理干凈,基本能解決由上述因素造成的漏鍍情況。

        另有兩種情況是非銅面污染或覆蓋的結(jié)果,如活化槽的設(shè)置影響,包括鈀離子的濃度、活化時(shí)間、溫度、酸度及振動(dòng)等。鎳槽所致的漏鍍往往是人們最關(guān)注的,也是研究最多的,主要因穩(wěn)定劑的過(guò)量引起漏鍍。此外,還存在一些不常見(jiàn)的漏鍍情況,如鍍件本身容易引起漏鍍、等離子處理等,這些漏鍍現(xiàn)象通常是在印制線路板行業(yè)中發(fā)生,因?yàn)橛≈瓢逍枰瘜W(xué)鍍鎳的零件線路細(xì)小、結(jié)果復(fù)雜,故在印制板中比較常出現(xiàn)。本文主要探討印制線路板本身特征引起的漏鍍,希望通過(guò)漏鍍的實(shí)驗(yàn),深入了解引發(fā)漏鍍的原因,為避免漏鍍現(xiàn)象找到切實(shí)可行的有效解決方案。

        2 原理和分析

        2.1 化學(xué)鎳金的原理

        在基材銅上進(jìn)行化學(xué)鎳金層的沉積,必須在催化劑的作用下才能進(jìn)行,而在電化序中,銅位于鎳的后面,所以必須將銅面活化,才能進(jìn)行化學(xué)鍍鎳。PCB行業(yè)大多是采用先在銅面上生成一層置換鈀層的方式使其活化,PCB沉鎳金工序之活化劑一般為PdSO4和PdCl2活化反應(yīng)見(jiàn)式(1):

        在鈀的活化作用下,Ni2+在NaH2PO2的還原條件下沉積在裸銅表面。當(dāng)鎳沉積覆蓋鈀催化晶體時(shí),自催化反應(yīng)將繼續(xù)進(jìn)行,直至達(dá)到所需之鎳層厚度。化學(xué)鍍鎳的化學(xué)反應(yīng)見(jiàn)式(2)、式(3):

        當(dāng)PCB板面鍍好鎳層放入金槽后,其鎳面即受到槽液的攻擊而溶出鎳離子,所拋出的兩個(gè)電子被金氰離子獲得而在鎳面上沉積出金層,其反應(yīng)見(jiàn)式(4):

        2.2 漏鍍?cè)頊\析

        2.2.1 銅面污染的影響

        造成銅面污染的產(chǎn)生源有多種,如阻焊顯影不凈、顯影后水洗不潔、吸水海綿臟、烘箱抽風(fēng)不良、文字返洗油墨殘留等等均會(huì)造成沉金的漏鍍異常,這都屬于沉金前制程缺陷影響因素,是可通過(guò)前制程的點(diǎn)對(duì)點(diǎn)改善使之杜絕或降低銅面污染造成的沉鎳金漏鍍異常。

        2.2.2 鎳缸、鈀缸活性不足的影響

        影響鈀缸活性的主要因素是活化濃度、溫度和時(shí)間。延長(zhǎng)活化的時(shí)間或提高活化濃度和溫度,一定有利于漏鍍的改善。由于活化的溫度和濃度太高會(huì)影響鈀缸的穩(wěn)定性,而且會(huì)影響其他制板的生產(chǎn),所以,在這些主要因素中,延長(zhǎng)時(shí)間是首選改善措施。

        影響鎳缸活性的最主要因素是鎳缸穩(wěn)定劑濃度和鎳缸溫度,但由于難以操作控制,一般不采取降低穩(wěn)定劑濃度來(lái)解決該問(wèn)題,升高鎳缸溫度,一定有利于漏鍍的改善。如果不考慮外部環(huán)境以及內(nèi)部穩(wěn)定性,無(wú)限度的升高鎳缸溫度,應(yīng)該能解決漏鍍問(wèn)題。

        鎳缸的pH值、次磷酸鈉以及鎳缸負(fù)載,都會(huì)影響鎳缸的活性,但其影響程度較小,而且過(guò)程緩慢。所以不宜作為改善漏鍍問(wèn)題的主要方法。

        2.2.3 設(shè)計(jì)因素導(dǎo)致的定位性沉金PAD漏鍍

        還有一種因設(shè)計(jì)因素導(dǎo)致的定位性漏鍍情況,此種現(xiàn)象在常規(guī)的產(chǎn)品設(shè)計(jì)中很少涉及,一般出現(xiàn)于高智能手機(jī)類(lèi)產(chǎn)品中,此設(shè)計(jì)特點(diǎn)的表面處理都是ENIG+OSP,因客戶(hù)端貼片的需求往往將BGA焊點(diǎn)設(shè)計(jì)為沉金PAD,其他焊接PAD為OSP設(shè)計(jì),在實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中,極易造成BGA沉金PAD定位性漏鍍,本公司前期生產(chǎn)板件中,就有此類(lèi)設(shè)計(jì)產(chǎn)品(圖1),經(jīng)過(guò)對(duì)定位性漏鍍點(diǎn)的分析,此漏鍍PAD存在以下幾大特點(diǎn):

        圖1 產(chǎn)品CAM圖

        (1)漏鍍焊點(diǎn)尺寸?。汉更c(diǎn)設(shè)計(jì)蝕刻后尺寸為0.25 mm;

        (2)漏鍍焊點(diǎn)成定位性狀:經(jīng)系列確認(rèn),并非銅面污染因素造成的定位漏鍍;

        (3)同網(wǎng)絡(luò)走向復(fù)雜:定位漏鍍焊點(diǎn)同電氣性能的焊盤(pán)PAD面積較大,且同電氣性能的焊盤(pán)PAD均為OSP區(qū)域,即沉金前選化油覆蓋區(qū)域(圖1中藍(lán)色區(qū)域);

        此定位漏鍍焊點(diǎn)相比同BGA區(qū)域的其他焊點(diǎn),在同層別上有較大的同電氣性能網(wǎng)絡(luò)區(qū)域,且同電氣性能網(wǎng)絡(luò)區(qū)域均為OSP區(qū)域(選化油覆蓋),結(jié)合活化Pd離子的置換反應(yīng)以及電勢(shì)能轉(zhuǎn)移原理,初步設(shè)想是否因焊點(diǎn)上活化Pd離子置換時(shí),造成電勢(shì)能平衡被打破,電荷轉(zhuǎn)移至同電氣的其他OSP區(qū)域,導(dǎo)致該焊點(diǎn)的Pd離子覆蓋不夠,形成漏鍍異常。

        因此為了驗(yàn)證是否因同電氣網(wǎng)絡(luò)的電勢(shì)能平衡破化,導(dǎo)致的沉金焊點(diǎn)電荷數(shù)過(guò)少形成漏鍍,本文就此針對(duì)此類(lèi)定位性的沉鎳金漏鍍?cè)蚣案纳七M(jìn)行一系列的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,以此獲得的理論及實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ),做為后續(xù)的設(shè)計(jì)及制程改善依據(jù)。

        圖2 定位漏鍍實(shí)物圖

        3 實(shí)驗(yàn)

        3.1 實(shí)驗(yàn)方法

        分別設(shè)計(jì)直徑不等的焊盤(pán),焊盤(pán)相對(duì)孤立存在(圖3)、焊盤(pán)同時(shí)使用導(dǎo)線與銅條連接(圖4)的圖形菲林,按圖3流程進(jìn)行沉金處理:

        圖3

        圖4

        圖5

        3.2 正交實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)

        經(jīng)過(guò)上面造成漏鍍?cè)虻姆治?,銅面污染可借助噴砂磨板、水平微蝕等方法將銅面處理干凈,可避免漏鍍。但如果由于鎳缸本身的活化濃度、時(shí)間、溫度以及PH值影響時(shí),則較難調(diào)整。故采用正交實(shí)驗(yàn)法,對(duì)實(shí)驗(yàn)方案進(jìn)行驗(yàn)證,找出影響漏鍍最大的因素。選擇鈀離子濃度(A)、反應(yīng)時(shí)間(B)、溫度(C)、鎳缸溫度(D)作為正交實(shí)驗(yàn)的因素,考慮的因素與水平如表1:

        4 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析

        4.1 正交實(shí)驗(yàn)結(jié)果

        運(yùn)用直觀分析法對(duì)六種尺寸的焊盤(pán)實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行分析計(jì)算,把每個(gè)因素1水平所有方案實(shí)驗(yàn)結(jié)果相加,把2水平所有方案實(shí)驗(yàn)結(jié)果相加,分別用k1、k2來(lái)表示。再計(jì)算各自的算術(shù)平均值,然后計(jì)算各因素的極差:各因素k1、k2的算術(shù)平均值,大的值減去小的值即為極差。最后分析計(jì)算結(jié)果,R值越大的因素重要程度越高,從正交實(shí)驗(yàn)結(jié)果中可以看出,對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果影響由大到小依次為活化濃度(A),反應(yīng)時(shí)間(C),溫度(B),鎳缸溫度(D),正交實(shí)驗(yàn)結(jié)果見(jiàn)表2:

        從以上正交實(shí)驗(yàn)結(jié)果來(lái)看,雖然得出了造成了應(yīng)漏鍍的主要因素,但是圖3與圖4中0.4 mm、0.2 mm焊盤(pán)均出現(xiàn)漏鍍的現(xiàn)象,對(duì)此,對(duì)漏鍍情況進(jìn)行了延伸分析。

        表1 正交實(shí)驗(yàn)的因素-水平表

        表2 正交實(shí)驗(yàn)結(jié)果及極差分析

        4.2 掩蔽對(duì)漏鍍的影響

        分別將圖2中直徑為6 mm、3 mm的焊盤(pán)的導(dǎo)線進(jìn)行切斷處理,切斷后結(jié)果如圖6,同時(shí)用藍(lán)膠帶把圖2、圖4的試樣進(jìn)行改造,變?yōu)閳D7、圖8所示的試樣,藍(lán)膠帶主要保護(hù)銅條和工藝導(dǎo)線不發(fā)生置換反應(yīng)和化學(xué)鍍鎳反應(yīng)。

        圖6

        圖7

        圖8

        實(shí)驗(yàn)結(jié)果發(fā)現(xiàn),在各種活化條件下,圖7試樣沒(méi)有發(fā)生漏鍍現(xiàn)象;而圖6的試樣在活化鈀離子濃度為50×10-6,活化時(shí)間為20 s 時(shí),1 mm、0.6 mm、0.4 mm、0.2 mm 四個(gè)焊盤(pán)均發(fā)生漏鍍,圖7和圖8試驗(yàn)表明:在焊盤(pán)與銅條發(fā)生連接的情況下,藍(lán)膠帶掩蓋銅條和導(dǎo)線易導(dǎo)致焊盤(pán)漏鍍;但當(dāng)銅條上連接有大尺寸的焊盤(pán)時(shí),如6 mm 和3 mm 的焊盤(pán),藍(lán)膠帶的掩蓋時(shí),所有尺寸的焊盤(pán)則不易發(fā)生漏鍍。

        4.3 掩蔽影響漏鍍的電子傳輸機(jī)理

        從圖4~圖6的實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),當(dāng)所有圓盤(pán)均和銅條相連接時(shí),掩蔽銅條與導(dǎo)線對(duì)圓盤(pán)漏鍍與否影響不大;而當(dāng)部分圓盤(pán)與銅條連接時(shí),掩蔽銅條和導(dǎo)線會(huì)引起圓盤(pán)的漏鍍。這一現(xiàn)象表明,掩蔽與銅盤(pán)相連接的銅條和導(dǎo)線,會(huì)令銅盤(pán)在活化過(guò)程中產(chǎn)生內(nèi)部自由能的變化。為了方便問(wèn)題探討,設(shè)計(jì)了圖9所示的樣品進(jìn)行分析:

        圖9

        在圖7中當(dāng)導(dǎo)線不通時(shí),焊盤(pán)不發(fā)生漏鍍;一旦導(dǎo)線導(dǎo)通,焊盤(pán)便發(fā)生漏鍍。因?yàn)閳D9中焊盤(pán)與銅條在空氣中發(fā)生連接時(shí),兩者內(nèi)部的電化學(xué)勢(shì)平衡,可認(rèn)為銅盤(pán)和銅條物理化學(xué)性能一樣。當(dāng)浸入活化液中進(jìn)行活化時(shí),因銅條被藍(lán)膠帶掩蔽,而焊盤(pán)則與鈀離子發(fā)生置換反應(yīng),此時(shí)銅盤(pán)和銅條之間電化學(xué)勢(shì)的平衡被打破,為了阻礙這種平衡被打破,焊盤(pán)和銅條之間會(huì)發(fā)生電子的遷移??赡苁请娮佑珊副P(pán)往銅條遷移,導(dǎo)致鈀離子的電子數(shù)減少,從而影響了鈀在銅上的覆蓋率。

        若圖9中導(dǎo)線斷開(kāi),浸入活化液中后,焊盤(pán)因和銅條之間沒(méi)有電氣連接,焊盤(pán)上發(fā)生電化學(xué)勢(shì)變化時(shí),為了遏制電化學(xué)勢(shì)變化,電子只有轉(zhuǎn)移到鈀離子上,令鈀可在規(guī)定時(shí)間內(nèi)達(dá)到引發(fā)化學(xué)鍍鎳的覆蓋率,所以斷開(kāi)銅盤(pán)與銅條間的導(dǎo)線后,銅盤(pán)沒(méi)有出現(xiàn)漏鍍。

        正是因?yàn)樵诔两疬^(guò)程中,焊盤(pán)與與之導(dǎo)通的非沉金焊盤(pán)或?qū)Ь€之間存在著這種電化學(xué)勢(shì)能,導(dǎo)致一部分板件出現(xiàn)漏鍍、甚至有固定位置漏鍍的情況。

        5 產(chǎn)品改善方案驗(yàn)證

        經(jīng)以上的一系列分析及測(cè)試驗(yàn)證,我們可以看出,焊盤(pán)與導(dǎo)線、銅面間存在著平衡的電化學(xué)勢(shì)能,板件在進(jìn)行活化過(guò)程中,電勢(shì)能平衡被打破,電荷出現(xiàn)了遷移,導(dǎo)致需沉金的焊盤(pán)上鈀獲得電子過(guò)少,導(dǎo)致無(wú)法置換或未置換完全,從而引起漏鍍的出現(xiàn)。因此,要解決此種電勢(shì)能轉(zhuǎn)移引起的漏鍍問(wèn)題,應(yīng)從破化其電勢(shì)能轉(zhuǎn)移的方向進(jìn)行改善:

        (1)改變同電氣性能網(wǎng)絡(luò)屬性:

        ①杜絕電荷轉(zhuǎn)移,最直接的辦法就是改變?cè)械耐姎庑阅?,斷開(kāi)焊盤(pán)與銅條間的網(wǎng)絡(luò),這顯示是不可能,這從根本上變更終端客戶(hù)的設(shè)計(jì),此方案否決;

        ②還有一種變更,即是將銅條也更改為沉金焊盤(pán),不做OSP表面處理(不覆蓋選化油),使之活化時(shí),表面的焊盤(pán)電勢(shì)能均一平衡,電量不做轉(zhuǎn)移,達(dá)到Pd 離子覆蓋完全時(shí)所需的電荷數(shù)。

        此方案經(jīng)我司實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,確實(shí)可以解決漏鍍異常,但此方案也直接變更了終端客戶(hù)的所需表面處理工藝,沉金工藝與OSP表面處理工藝對(duì)終端客戶(hù)回流焊以及元件間的信號(hào)傳輸存在一定的差異,經(jīng)與多家終端設(shè)計(jì)公司探討協(xié)商,終端客戶(hù)認(rèn)為此方案只能在一定范圍內(nèi)更改,不便于全網(wǎng)絡(luò)的變更成沉金工藝。如同電氣性能銅條部分優(yōu)化成沉金處理,暫未得知,兩種焊盤(pán)之間的電勢(shì)能轉(zhuǎn)移是否和銅條面積存在一定的比值關(guān)系?這對(duì)于表面處理設(shè)計(jì)以及品質(zhì)仍存在一定的風(fēng)險(xiǎn),因此,此方案暫不可取。

        (2)增加銅條覆蓋物(選化油)的微帶電物質(zhì),以減少和抑制沉金焊盤(pán)與銅條之間的電子遷移:

        此方案的設(shè)想原理就是在銅條的覆蓋物(選化油)中加入能與活化鈀起反應(yīng)的微帶電物質(zhì),當(dāng)活化鈀與銅發(fā)生置換反應(yīng)時(shí),焊盤(pán)與銅條上的覆蓋物均能發(fā)生反應(yīng),以此減少和抑制焊盤(pán)與銅條之間的電子遷移,保證焊盤(pán)與活化鈀之間的置換所需的電荷數(shù),使其置換反應(yīng)充分進(jìn)行,從而避免漏鍍的產(chǎn)生。

        此方案經(jīng)過(guò)對(duì)市場(chǎng)上多家不同選化油(抗沉鎳金油墨/二次成像抗鍍油墨)產(chǎn)品進(jìn)行實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,大多數(shù)選化油只能滿(mǎn)足常規(guī)的ENIG+OSP工藝的產(chǎn)品制作,而其中一家A供應(yīng)商提供的二次成像抗鍍油墨,經(jīng)過(guò)對(duì)此類(lèi)產(chǎn)品實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,此選化油墨中應(yīng)含有微帶電物質(zhì),能有效的減少和抑制了電荷的轉(zhuǎn)移,避免此類(lèi)定位漏鍍的產(chǎn)生,圖10所示。

        圖10

        6 結(jié)論

        通過(guò)對(duì)失效產(chǎn)品進(jìn)行分析以及實(shí)驗(yàn)對(duì)比驗(yàn)證,結(jié)果表明:

        (1)定位沉金漏鍍失效原因?yàn)殡妱?shì)能平衡被打破,電荷出現(xiàn)轉(zhuǎn)移,導(dǎo)致沉金焊盤(pán)上的鈀因獲得電荷少造成無(wú)法置換或未置換完全,從而引起定位漏鍍異常;

        (2)通過(guò)尋找含有微帶電物質(zhì)的選化油,以此平衡焊盤(pán)間的電勢(shì)能,以減少和抑制焊盤(pán)之間的電子遷移,保證焊盤(pán)和活化鈀之間的置換反應(yīng)充分進(jìn)行,從而避免漏鍍的產(chǎn)生。

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