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        同步整流技術(shù)的研究

        2014-10-13 08:00:18
        艦船電子對(duì)抗 2014年3期
        關(guān)鍵詞:柵極導(dǎo)通二極管

        張 登

        (船舶重工集團(tuán)公司723所,揚(yáng)州225001)

        0 引 言

        開(kāi)關(guān)電源已廣泛地用于軍用和民用電子設(shè)備。效率是開(kāi)關(guān)電源的基本指標(biāo),提高效率是提高開(kāi)關(guān)電源可靠性的有效方法。在傳統(tǒng)的開(kāi)關(guān)電源整流電路中,整流器件通常使用二極管,因?yàn)槎O管無(wú)需驅(qū)動(dòng),電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單可靠,成本較低。但隨著電子技術(shù)的發(fā)展,低電壓、大電流的開(kāi)關(guān)電源得到了廣泛的應(yīng)用,這就使整流管損耗過(guò)大的問(wèn)題變得尤為突出,即便使用壓降較低的肖特基二極管也無(wú)法滿(mǎn)足需要。因此,同步整流電路是必然的選擇。

        1 同步整流技術(shù)的基本原理

        同步整流技術(shù)是采用通態(tài)電阻極低的金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)來(lái)代替整流二極管,從而大大降低整流管損耗,有效提高開(kāi)關(guān)電源的效率。由于MOSFET漏源之間存在一個(gè)集成的體二極管,整流管又需具有反向阻斷功能,因此MOSFET作為整流管使用時(shí),電流必須是從源極流向漏極。如何對(duì)MOSFET通斷進(jìn)行控制是同步整流技術(shù)的關(guān)鍵問(wèn)題[1-2]。

        同步整流管的驅(qū)動(dòng)方式通常分為自驅(qū)動(dòng)方式和外驅(qū)動(dòng)方式。自驅(qū)動(dòng)是指直接從變壓器副邊繞組、輔助繞組獲取電壓驅(qū)動(dòng)信號(hào),驅(qū)動(dòng)整流管。外驅(qū)動(dòng)同步整流是指通過(guò)附加的邏輯和驅(qū)動(dòng)電路,產(chǎn)生隨主變壓器副邊電壓作相應(yīng)時(shí)序變化的驅(qū)動(dòng)信號(hào),驅(qū)動(dòng)整流管。

        同步整流技術(shù)首先應(yīng)用在非隔離型變換器中,典型應(yīng)用如圖1所示。

        圖1 同步整流BUCK電路

        對(duì)于上述電路,如果輸入輸出電壓比過(guò)大,導(dǎo)致主電路開(kāi)關(guān)管工作的占空過(guò)小,開(kāi)關(guān)電源的性能勢(shì)必受到影響。隔離型變換器能夠較好地解決這一問(wèn)題。

        正激變換器具有電路簡(jiǎn)單、可靠性高等特點(diǎn)。在正激變換器中,將有源箝位技術(shù)與同步整流技術(shù)相結(jié)合,實(shí)現(xiàn)了軟開(kāi)關(guān)同步整流技術(shù),進(jìn)一步提高了電源效率[1-2]。下面以正激變換器為例對(duì)同步整流技術(shù)進(jìn)行分析,正激變換器同步整流的典型電路如圖2所示。

        圖2 同步整流的典型電路

        電路主開(kāi)關(guān)管V1導(dǎo)通后,在變壓器次級(jí)電壓的正半周,同步整流管V2導(dǎo)通,電流全部流過(guò)V2,V3截止;電路主開(kāi)關(guān)管V1關(guān)斷后,在變壓器次級(jí)電壓的負(fù)半周,同步整流管V2截止,電流全部流過(guò)V3。由于MOSFET管通態(tài)電阻極低,有效地降低了整流管的損耗。

        可以看出,該同步整流電路采用自驅(qū)動(dòng)方式,優(yōu)點(diǎn)是電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,增加的元件少;缺點(diǎn)是死區(qū)較大,同步整流管在死區(qū)時(shí)間內(nèi)由于沒(méi)有柵極驅(qū)動(dòng)電壓,負(fù)載電流只能流經(jīng)體二極管,由于體二極管導(dǎo)通壓降大,電路的損耗仍然很大。

        2 同步整流電路的改進(jìn)方法

        同步整流電路的改進(jìn)方法有:

        (1)解決同步整流電路的死區(qū)問(wèn)題,可采用柵極電荷保持法

        柵極電荷保持驅(qū)動(dòng)電路是在自驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)上改進(jìn)而成,繼承了自驅(qū)動(dòng)電路優(yōu)點(diǎn)的同時(shí),解決了整流管在死區(qū)時(shí)間里的導(dǎo)通問(wèn)題,其原理如圖3所示。

        圖3 采用柵極電荷保持法的同步整流電路圖

        正激變換器中,在變壓器次級(jí)電壓的正半周,同步整流管V2導(dǎo)通,電流全部流過(guò)V2,輔助開(kāi)關(guān)管V4導(dǎo)通,整流管V3的柵源電容上的電荷被輔助開(kāi)關(guān)管放掉,V3無(wú)驅(qū)動(dòng)電壓,處于截止?fàn)顟B(tài);在變壓器次級(jí)電壓的負(fù)半周,同步整流管V2截止,電流全部流過(guò)V3;當(dāng)變壓器磁復(fù)位結(jié)束后,輔助開(kāi)關(guān)管V4仍處于截止?fàn)顟B(tài),儲(chǔ)存在V3柵源電容上的電荷沒(méi)有放電回路而得以保持,V3仍然導(dǎo)通,體二極管無(wú)電流流過(guò),直到下一個(gè)周期的到來(lái)。這樣,較好地解決了死區(qū)問(wèn)題,進(jìn)一步降低了損耗。

        (2)對(duì)于不同的 MOSFET,驅(qū)動(dòng)電壓可能不同,采用附加繞組驅(qū)動(dòng),通過(guò)調(diào)整其匝數(shù),可以有效驅(qū)動(dòng)不同門(mén)檻電壓的MOSFET管,如圖4所示。

        圖4 采用附加繞組驅(qū)動(dòng)的同步整流電路

        當(dāng)主開(kāi)關(guān)管V1導(dǎo)通時(shí),變壓器副邊通過(guò)輔助繞組經(jīng)V6開(kāi)始對(duì)V2、V4柵極電容充電,V3柵極電荷通過(guò)V4逐漸放掉,輸出電流開(kāi)始從V3換流到V2。在V2的柵極驅(qū)動(dòng)電壓上升到門(mén)檻電壓之前,V2的體二極管導(dǎo)通,該過(guò)渡過(guò)程為零電壓開(kāi)關(guān),降低了開(kāi)通損耗。在主開(kāi)關(guān)管V1開(kāi)通的過(guò)渡過(guò)程中,隨著V2電流的增加,V3的電流相應(yīng)減少。當(dāng)該過(guò)渡過(guò)程結(jié)束后,輸出電流流經(jīng)V2的功率MOSFET,而不是體二極管,V3關(guān)斷。

        在開(kāi)通過(guò)渡過(guò)程結(jié)束后,V2導(dǎo)通,V3關(guān)斷,輸出電流全部流經(jīng)導(dǎo)通電阻很低的V2,能量從原邊傳遞到副邊。當(dāng)主開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí),變壓器開(kāi)始磁復(fù)位。在關(guān)斷過(guò)渡過(guò)程中,輔助繞組經(jīng)V7對(duì)V3柵極電容充電,同時(shí)對(duì)V2、V4柵極電容放電,輸出電流從V2向V3換流。由于V5的存在,使V2在關(guān)斷后,其柵極電壓被箝位,降低了驅(qū)動(dòng)損耗。V3也是零電壓開(kāi)通,因此在其柵極驅(qū)動(dòng)電壓上升至門(mén)檻電壓之前,電流流經(jīng)體二極管。在該過(guò)渡過(guò)程結(jié)束后,V2關(guān)斷,V3導(dǎo)通。輸出電流流經(jīng)V3的MOSFET。當(dāng)磁復(fù)位結(jié)束后,該過(guò)程結(jié)束。輔助繞組的電壓將為0,V2、V4柵極驅(qū)動(dòng)電壓也保持為0。因?yàn)閂7反向截止,并且V4保持關(guān)斷,V3的柵源電容沒(méi)有放電途徑,柵極電壓保持高電平,所以繼續(xù)導(dǎo)通。這就實(shí)現(xiàn)了柵極電荷保持功能。

        (3)柵極電荷保持技術(shù)解決了死區(qū)問(wèn)題,但也存在一定的問(wèn)題

        (a)從V3換流到V2的過(guò)程中,換流結(jié)束之前,必須確保V3的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下降到門(mén)檻電壓以下,否則變壓器的副邊會(huì)出現(xiàn)交叉導(dǎo)通現(xiàn)象,即造成變壓器的次級(jí)短路,增加了損耗。所以應(yīng)盡快關(guān)斷V3。

        可以采取降低變壓器輔助繞組漏感、采用低門(mén)檻電壓和低導(dǎo)通電阻的V4來(lái)加速整流管V3的關(guān)斷。

        (b)柵極驅(qū)動(dòng)電壓隨輸入電壓的變化而變化。當(dāng)輸入電壓變化范圍較大,同步整流的驅(qū)動(dòng)電壓很難滿(mǎn)足要求。

        采用基于同步整流芯片的外驅(qū)動(dòng)同步整流技術(shù),能提供高質(zhì)量的驅(qū)動(dòng)波形,可以較好地解決上述問(wèn)題。近年來(lái),隨著技術(shù)的進(jìn)步,用于同步整流的控制芯片得到了廣泛的應(yīng)用,下面以IR1176為例加以介紹。

        IR1176是IR公司推出的一款用于驅(qū)動(dòng)N溝道功率MOSFET的高速CMOS控制芯片。構(gòu)成的同步整流電路原理圖如圖5所示。

        圖5 基于IR1176的同步整流電路

        該電路的優(yōu)點(diǎn):

        (1)該芯片應(yīng)用于正激電路中,直接從次級(jí)繞組取得同步信號(hào),通過(guò)控制柵極驅(qū)動(dòng)電壓重疊/死區(qū)時(shí)間,進(jìn)一步縮短體二極管導(dǎo)通時(shí)間,有效避免了交叉導(dǎo)通現(xiàn)象,使電源效率進(jìn)一步提升。

        (2)很好地解決了自驅(qū)動(dòng)同步整流中柵極驅(qū)動(dòng)電壓隨輸入電壓的變化而變化的問(wèn)題。圖5中,對(duì)輔助繞組輸出的信號(hào)進(jìn)行整流后,經(jīng)R2到達(dá)穩(wěn)壓管后,保證了IR1176的VDD腳電壓的穩(wěn)定性[3]。

        3 結(jié)束語(yǔ)

        在實(shí)際應(yīng)用中,除了在電路結(jié)構(gòu)上優(yōu)化設(shè)計(jì)外,對(duì)變壓器還要采取合理的繞制方法,盡量減小其漏感,使副邊電感最小化。對(duì)于自驅(qū)動(dòng)同步整流電路,副邊電感過(guò)大,將延長(zhǎng)換流時(shí)間,增加損耗;對(duì)于外驅(qū)動(dòng)同步整流,將影響同步信號(hào)波形,降低同步整流管驅(qū)動(dòng)波形質(zhì)量,也會(huì)降低電源效率。

        隨著技術(shù)的進(jìn)步,基于同步整流芯片的外驅(qū)動(dòng)技術(shù)得到了較快的發(fā)展,但自驅(qū)動(dòng)方式以其電路簡(jiǎn)單、可靠性高、成本低等優(yōu)點(diǎn)仍有很大的發(fā)展前景,仍值得進(jìn)一步研究與探討。

        [1]楊旭,裴云慶,王兆安.開(kāi)關(guān)電源技術(shù)[M].北京:機(jī)械工業(yè)出版社,2002.

        [2]張建榮.直流開(kāi)關(guān)電源的軟開(kāi)關(guān)技術(shù)[M].北京:科學(xué)出版社,2003.

        [3]張乾,王衛(wèi)國(guó).新型同步整流驅(qū)動(dòng)方式在開(kāi)關(guān)電源中的應(yīng)用[J].電力電子技術(shù),2009,43(2):73-75.

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