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        一種CMOS晶體振蕩器芯片的設(shè)計(jì)

        2014-09-26 14:49:57趙光磊孫超
        中國(guó)科技博覽 2014年39期
        關(guān)鍵詞:低功耗

        趙光磊++孫超

        摘要:本文采用0.18um CMOS 工藝設(shè)計(jì)了一種4MHz 的Pierce 晶體振蕩器,主要應(yīng)用于射頻接收系統(tǒng)。該芯片采用自動(dòng)增益控制(AGC)結(jié)構(gòu),提高了頻率穩(wěn)定性,降低了功耗。流片測(cè)試結(jié)果顯示,在1.8V 電源電壓下,輸出頻率具有較好的精度,最大的頻率誤差為0.1% ,在1.8V 電源電壓下,消耗電流500 nA ,版圖面積為100um×250um,滿(mǎn)足射頻收發(fā)芯片低功耗、高穩(wěn)定性、和版圖面積小的要求。

        關(guān)鍵詞:Pierce 晶體振蕩器;自動(dòng)增益控制;低功耗

        1 引言

        最近幾年,隨著無(wú)線通訊系統(tǒng)的迅猛發(fā)展以及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的興盛,射頻集成電路的研究得到了廣泛重視。低成本,低功耗的無(wú)線收發(fā)終端的設(shè)計(jì)已成為一個(gè)重要的研究課題。頻率綜合器是無(wú)線收發(fā)器的一個(gè)重要模塊,而壓控振蕩器(VCXO)又是頻率綜合器中最核心的組成部分。目前,包括無(wú)源電感和無(wú)源電容在內(nèi)的無(wú)源器件已經(jīng)可以實(shí)現(xiàn)片上解決,采用CMOS工藝,將整個(gè)射頻前端集成在芯片內(nèi),已經(jīng)成為業(yè)界研究的熱點(diǎn)。本文基于負(fù)阻分析模型,設(shè)計(jì)了一種4MHz 石英晶體振蕩器,具有較好的相位噪聲性能和較低的功耗,除石英晶體外,電路全部集成在射頻芯片內(nèi)作為鎖相環(huán)路的高精度頻率參考源。

        2 Pierce 石英晶體振蕩器的基本結(jié)構(gòu)

        由于Pierce 結(jié)構(gòu)的在晶體振蕩器穩(wěn)定性和容易起振方面優(yōu)于Colpitts 振蕩器,故選用Pierce 電路結(jié)構(gòu),如圖1(a)所示,C1、C2 與外接晶體諧振器接于芯片外部晶體振蕩器XTAL 的兩端,構(gòu)成諧振回路,NMOS 管M0 是放大管。圖1(b)是相應(yīng)的小信號(hào)等效電路圖,其中電感Ls、串聯(lián)電容Cs、并聯(lián)電容Cp、電阻Rs 構(gòu)成晶體諧振器XTAL 的等效電路。晶體的串聯(lián)諧振頻率f2S=1/(2π*LSCS)和并聯(lián)諧振頻率fP2=1/(2π*LS)(1/CP+1/CP),為了使振蕩器有良好的穩(wěn)定性和預(yù)測(cè)性,應(yīng)該使振蕩頻率接近串聯(lián)諧振頻率[1]。晶體振蕩器必須滿(mǎn)足兩個(gè)條件才能振蕩,振蕩器的環(huán)路增益必須大于1。振蕩器的相移必須等于0,相移由反向放大器和晶體的相移組成。通過(guò)網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)試我們得到該石英晶體模型的各個(gè)參數(shù)為:Cm=20fF,Lm=79.157mH,Rm=50Ω,C0=7pF。后面我們電路設(shè)計(jì)的性能優(yōu)化全部基于這個(gè)石英晶體模型。

        3 帶自動(dòng)增益控制的Pierce 振蕩器

        由于低功耗和頻率穩(wěn)定性的考慮,石英晶體振蕩器一般包括晶體振蕩器電路,反向放大器,偏置電路和峰值檢測(cè)器,采用了自動(dòng)增益控制(AGC)技術(shù),晶體當(dāng)前的增益由閉環(huán)回路自動(dòng)控制,峰值檢測(cè)電路比較參考信號(hào)和振蕩信號(hào)大小,產(chǎn)生一個(gè)反饋信號(hào)控制偏置電路,進(jìn)而控制反向放大器的增益,單純使用偏置電壓穩(wěn)定電路的靜態(tài)工作點(diǎn)是不夠的,因?yàn)榉糯蠊苓€會(huì)受到電源電壓下降等帶來(lái)的影響,還要同時(shí)考慮提供偏置電流。如果采用固定電流源給放大管提供電流,由于跨導(dǎo)必須大于起振條件,會(huì)造成功耗的浪費(fèi),因此引入自動(dòng)增益控制電路,引入AGC 結(jié)構(gòu),起振之后,隨著振幅的增加,通過(guò)反饋來(lái)調(diào)節(jié)放大管的電流,使電流不但可以獨(dú)立于電源電壓的變化,而且可以隨著振幅的變化而反向變化,平衡后MOS 管工作在亞閾區(qū),形成更為合理的靜態(tài)工作點(diǎn)的控制方式。圖2 中M0 是放大管,M1,M3,M5 構(gòu)成電流偏置電路,電阻Rf跨接在M0 的柵漏之間,作為M0 的自偏置,取值200kΩ。剛起振的時(shí)候通過(guò)M1 鏡像的電流很大,M0 柵上的直流電壓較大,使得M0的漏電流很大,通過(guò)M4 與M2 的鏡像作用,使得流經(jīng)放大管M3 的漏電流較大,M3 管的增益很大。當(dāng)振蕩器開(kāi)始工作時(shí),振幅逐漸變大,通過(guò)R2,C2,C4 的濾波作用,也就是使得M2 柵壓下降,電流減小,通過(guò)M5 管與M1 管的鏡像作用,使得流經(jīng)放大管M0 的漏電流減小,最后達(dá)到平衡狀態(tài)。這樣構(gòu)成負(fù)反饋,通過(guò)AGC 限制晶體振蕩器輸出波形的振幅,從而自動(dòng)調(diào)整電路的工作點(diǎn),提高了穩(wěn)定性,減小了功耗。R4,M6 構(gòu)成啟動(dòng)電路,M2,M3,M4,M5,R3 構(gòu)成簡(jiǎn)單的與電源無(wú)關(guān)的電流產(chǎn)生電路。采用自動(dòng)增益控制的一個(gè)最主要的優(yōu)點(diǎn)在于可以避免由于石英晶體的過(guò)驅(qū)動(dòng)引入的諧波失真,當(dāng)石英晶體的兩端電壓過(guò)大時(shí),會(huì)加大諧波分量,引入自動(dòng)增益控制電路,可以啟動(dòng)時(shí)加大電流,在穩(wěn)定振蕩后,減小電流,一方面保證正常啟動(dòng),同時(shí)可以減小振動(dòng)幅度,提高頻譜純度,延遲石英晶體的老化。

        圖2 本文設(shè)計(jì)的晶體振蕩器電路圖

        4晶體振蕩器芯片系統(tǒng)電路結(jié)構(gòu)及原理

        文中所設(shè)計(jì)的晶體振蕩器芯片系統(tǒng)框圖如圖3所示,其基本工作原理為:OSC振蕩電路以噪聲作為起振的原始激勵(lì)信號(hào),輸出穩(wěn)定的正弦信號(hào);OSC_BUFFER振蕩輸出緩沖電路對(duì)前一級(jí)輸出的正弦信號(hào)進(jìn)行放大整形,得到占空比為50%的方波信號(hào);分頻電路對(duì)輸出的方波信號(hào)進(jìn)行頻率調(diào)整,以得到適合不同頻率信號(hào)源;頻率調(diào)整后的方波信號(hào)通過(guò)高性能的輸出緩沖電路,提高芯片的帶負(fù)載能力,為各種電子系統(tǒng)提供準(zhǔn)確的頻率基準(zhǔn)源。

        圖3 晶體振蕩器芯片系統(tǒng)框圖

        5 測(cè)試結(jié)果

        晶體振蕩器電路采用了0.18um CMOS 工藝流片,經(jīng)過(guò)測(cè)試,采用示波器觀察晶振兩端輸出波形。電路穩(wěn)定振蕩在4.0051MHz 上,波形全擺幅為866mV,具有較大的振幅和較好的抗干擾能力。

        6 結(jié)論

        本文成功地設(shè)計(jì)了一款低功耗、輸出高穩(wěn)定性的晶體振蕩器芯片,測(cè)試結(jié)果顯示,頻率精度較高,振蕩穩(wěn)定性好,而且版圖面積較小,滿(mǎn)足射頻接收芯片系統(tǒng)要求。

        參考文獻(xiàn):

        [1] 陳建立,傅金,朱培生,張波. 一種高精度高穩(wěn)定性振蕩器的設(shè)計(jì)[J]. 微電子學(xué). 2011(01).

        [2] 曾健平,王閬,何先良,葉英,謝海情. 石英晶體振蕩器的集成化設(shè)計(jì)[J]. 微電子學(xué)與計(jì)算機(jī). 2009(02)

        [3] 鮑鈺文,徐瑤. 一種高性能時(shí)鐘晶體振蕩器電路設(shè)計(jì)[J]. 電子科技. 2014(05)

        [4] 陳明潔. 高性能的壓控振蕩調(diào)頻電路設(shè)計(jì)與分析[J]. 機(jī)電信息. 2014(09)endprint

        摘要:本文采用0.18um CMOS 工藝設(shè)計(jì)了一種4MHz 的Pierce 晶體振蕩器,主要應(yīng)用于射頻接收系統(tǒng)。該芯片采用自動(dòng)增益控制(AGC)結(jié)構(gòu),提高了頻率穩(wěn)定性,降低了功耗。流片測(cè)試結(jié)果顯示,在1.8V 電源電壓下,輸出頻率具有較好的精度,最大的頻率誤差為0.1% ,在1.8V 電源電壓下,消耗電流500 nA ,版圖面積為100um×250um,滿(mǎn)足射頻收發(fā)芯片低功耗、高穩(wěn)定性、和版圖面積小的要求。

        關(guān)鍵詞:Pierce 晶體振蕩器;自動(dòng)增益控制;低功耗

        1 引言

        最近幾年,隨著無(wú)線通訊系統(tǒng)的迅猛發(fā)展以及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的興盛,射頻集成電路的研究得到了廣泛重視。低成本,低功耗的無(wú)線收發(fā)終端的設(shè)計(jì)已成為一個(gè)重要的研究課題。頻率綜合器是無(wú)線收發(fā)器的一個(gè)重要模塊,而壓控振蕩器(VCXO)又是頻率綜合器中最核心的組成部分。目前,包括無(wú)源電感和無(wú)源電容在內(nèi)的無(wú)源器件已經(jīng)可以實(shí)現(xiàn)片上解決,采用CMOS工藝,將整個(gè)射頻前端集成在芯片內(nèi),已經(jīng)成為業(yè)界研究的熱點(diǎn)。本文基于負(fù)阻分析模型,設(shè)計(jì)了一種4MHz 石英晶體振蕩器,具有較好的相位噪聲性能和較低的功耗,除石英晶體外,電路全部集成在射頻芯片內(nèi)作為鎖相環(huán)路的高精度頻率參考源。

        2 Pierce 石英晶體振蕩器的基本結(jié)構(gòu)

        由于Pierce 結(jié)構(gòu)的在晶體振蕩器穩(wěn)定性和容易起振方面優(yōu)于Colpitts 振蕩器,故選用Pierce 電路結(jié)構(gòu),如圖1(a)所示,C1、C2 與外接晶體諧振器接于芯片外部晶體振蕩器XTAL 的兩端,構(gòu)成諧振回路,NMOS 管M0 是放大管。圖1(b)是相應(yīng)的小信號(hào)等效電路圖,其中電感Ls、串聯(lián)電容Cs、并聯(lián)電容Cp、電阻Rs 構(gòu)成晶體諧振器XTAL 的等效電路。晶體的串聯(lián)諧振頻率f2S=1/(2π*LSCS)和并聯(lián)諧振頻率fP2=1/(2π*LS)(1/CP+1/CP),為了使振蕩器有良好的穩(wěn)定性和預(yù)測(cè)性,應(yīng)該使振蕩頻率接近串聯(lián)諧振頻率[1]。晶體振蕩器必須滿(mǎn)足兩個(gè)條件才能振蕩,振蕩器的環(huán)路增益必須大于1。振蕩器的相移必須等于0,相移由反向放大器和晶體的相移組成。通過(guò)網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)試我們得到該石英晶體模型的各個(gè)參數(shù)為:Cm=20fF,Lm=79.157mH,Rm=50Ω,C0=7pF。后面我們電路設(shè)計(jì)的性能優(yōu)化全部基于這個(gè)石英晶體模型。

        3 帶自動(dòng)增益控制的Pierce 振蕩器

        由于低功耗和頻率穩(wěn)定性的考慮,石英晶體振蕩器一般包括晶體振蕩器電路,反向放大器,偏置電路和峰值檢測(cè)器,采用了自動(dòng)增益控制(AGC)技術(shù),晶體當(dāng)前的增益由閉環(huán)回路自動(dòng)控制,峰值檢測(cè)電路比較參考信號(hào)和振蕩信號(hào)大小,產(chǎn)生一個(gè)反饋信號(hào)控制偏置電路,進(jìn)而控制反向放大器的增益,單純使用偏置電壓穩(wěn)定電路的靜態(tài)工作點(diǎn)是不夠的,因?yàn)榉糯蠊苓€會(huì)受到電源電壓下降等帶來(lái)的影響,還要同時(shí)考慮提供偏置電流。如果采用固定電流源給放大管提供電流,由于跨導(dǎo)必須大于起振條件,會(huì)造成功耗的浪費(fèi),因此引入自動(dòng)增益控制電路,引入AGC 結(jié)構(gòu),起振之后,隨著振幅的增加,通過(guò)反饋來(lái)調(diào)節(jié)放大管的電流,使電流不但可以獨(dú)立于電源電壓的變化,而且可以隨著振幅的變化而反向變化,平衡后MOS 管工作在亞閾區(qū),形成更為合理的靜態(tài)工作點(diǎn)的控制方式。圖2 中M0 是放大管,M1,M3,M5 構(gòu)成電流偏置電路,電阻Rf跨接在M0 的柵漏之間,作為M0 的自偏置,取值200kΩ。剛起振的時(shí)候通過(guò)M1 鏡像的電流很大,M0 柵上的直流電壓較大,使得M0的漏電流很大,通過(guò)M4 與M2 的鏡像作用,使得流經(jīng)放大管M3 的漏電流較大,M3 管的增益很大。當(dāng)振蕩器開(kāi)始工作時(shí),振幅逐漸變大,通過(guò)R2,C2,C4 的濾波作用,也就是使得M2 柵壓下降,電流減小,通過(guò)M5 管與M1 管的鏡像作用,使得流經(jīng)放大管M0 的漏電流減小,最后達(dá)到平衡狀態(tài)。這樣構(gòu)成負(fù)反饋,通過(guò)AGC 限制晶體振蕩器輸出波形的振幅,從而自動(dòng)調(diào)整電路的工作點(diǎn),提高了穩(wěn)定性,減小了功耗。R4,M6 構(gòu)成啟動(dòng)電路,M2,M3,M4,M5,R3 構(gòu)成簡(jiǎn)單的與電源無(wú)關(guān)的電流產(chǎn)生電路。采用自動(dòng)增益控制的一個(gè)最主要的優(yōu)點(diǎn)在于可以避免由于石英晶體的過(guò)驅(qū)動(dòng)引入的諧波失真,當(dāng)石英晶體的兩端電壓過(guò)大時(shí),會(huì)加大諧波分量,引入自動(dòng)增益控制電路,可以啟動(dòng)時(shí)加大電流,在穩(wěn)定振蕩后,減小電流,一方面保證正常啟動(dòng),同時(shí)可以減小振動(dòng)幅度,提高頻譜純度,延遲石英晶體的老化。

        圖2 本文設(shè)計(jì)的晶體振蕩器電路圖

        4晶體振蕩器芯片系統(tǒng)電路結(jié)構(gòu)及原理

        文中所設(shè)計(jì)的晶體振蕩器芯片系統(tǒng)框圖如圖3所示,其基本工作原理為:OSC振蕩電路以噪聲作為起振的原始激勵(lì)信號(hào),輸出穩(wěn)定的正弦信號(hào);OSC_BUFFER振蕩輸出緩沖電路對(duì)前一級(jí)輸出的正弦信號(hào)進(jìn)行放大整形,得到占空比為50%的方波信號(hào);分頻電路對(duì)輸出的方波信號(hào)進(jìn)行頻率調(diào)整,以得到適合不同頻率信號(hào)源;頻率調(diào)整后的方波信號(hào)通過(guò)高性能的輸出緩沖電路,提高芯片的帶負(fù)載能力,為各種電子系統(tǒng)提供準(zhǔn)確的頻率基準(zhǔn)源。

        圖3 晶體振蕩器芯片系統(tǒng)框圖

        5 測(cè)試結(jié)果

        晶體振蕩器電路采用了0.18um CMOS 工藝流片,經(jīng)過(guò)測(cè)試,采用示波器觀察晶振兩端輸出波形。電路穩(wěn)定振蕩在4.0051MHz 上,波形全擺幅為866mV,具有較大的振幅和較好的抗干擾能力。

        6 結(jié)論

        本文成功地設(shè)計(jì)了一款低功耗、輸出高穩(wěn)定性的晶體振蕩器芯片,測(cè)試結(jié)果顯示,頻率精度較高,振蕩穩(wěn)定性好,而且版圖面積較小,滿(mǎn)足射頻接收芯片系統(tǒng)要求。

        參考文獻(xiàn):

        [1] 陳建立,傅金,朱培生,張波. 一種高精度高穩(wěn)定性振蕩器的設(shè)計(jì)[J]. 微電子學(xué). 2011(01).

        [2] 曾健平,王閬,何先良,葉英,謝海情. 石英晶體振蕩器的集成化設(shè)計(jì)[J]. 微電子學(xué)與計(jì)算機(jī). 2009(02)

        [3] 鮑鈺文,徐瑤. 一種高性能時(shí)鐘晶體振蕩器電路設(shè)計(jì)[J]. 電子科技. 2014(05)

        [4] 陳明潔. 高性能的壓控振蕩調(diào)頻電路設(shè)計(jì)與分析[J]. 機(jī)電信息. 2014(09)endprint

        摘要:本文采用0.18um CMOS 工藝設(shè)計(jì)了一種4MHz 的Pierce 晶體振蕩器,主要應(yīng)用于射頻接收系統(tǒng)。該芯片采用自動(dòng)增益控制(AGC)結(jié)構(gòu),提高了頻率穩(wěn)定性,降低了功耗。流片測(cè)試結(jié)果顯示,在1.8V 電源電壓下,輸出頻率具有較好的精度,最大的頻率誤差為0.1% ,在1.8V 電源電壓下,消耗電流500 nA ,版圖面積為100um×250um,滿(mǎn)足射頻收發(fā)芯片低功耗、高穩(wěn)定性、和版圖面積小的要求。

        關(guān)鍵詞:Pierce 晶體振蕩器;自動(dòng)增益控制;低功耗

        1 引言

        最近幾年,隨著無(wú)線通訊系統(tǒng)的迅猛發(fā)展以及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的興盛,射頻集成電路的研究得到了廣泛重視。低成本,低功耗的無(wú)線收發(fā)終端的設(shè)計(jì)已成為一個(gè)重要的研究課題。頻率綜合器是無(wú)線收發(fā)器的一個(gè)重要模塊,而壓控振蕩器(VCXO)又是頻率綜合器中最核心的組成部分。目前,包括無(wú)源電感和無(wú)源電容在內(nèi)的無(wú)源器件已經(jīng)可以實(shí)現(xiàn)片上解決,采用CMOS工藝,將整個(gè)射頻前端集成在芯片內(nèi),已經(jīng)成為業(yè)界研究的熱點(diǎn)。本文基于負(fù)阻分析模型,設(shè)計(jì)了一種4MHz 石英晶體振蕩器,具有較好的相位噪聲性能和較低的功耗,除石英晶體外,電路全部集成在射頻芯片內(nèi)作為鎖相環(huán)路的高精度頻率參考源。

        2 Pierce 石英晶體振蕩器的基本結(jié)構(gòu)

        由于Pierce 結(jié)構(gòu)的在晶體振蕩器穩(wěn)定性和容易起振方面優(yōu)于Colpitts 振蕩器,故選用Pierce 電路結(jié)構(gòu),如圖1(a)所示,C1、C2 與外接晶體諧振器接于芯片外部晶體振蕩器XTAL 的兩端,構(gòu)成諧振回路,NMOS 管M0 是放大管。圖1(b)是相應(yīng)的小信號(hào)等效電路圖,其中電感Ls、串聯(lián)電容Cs、并聯(lián)電容Cp、電阻Rs 構(gòu)成晶體諧振器XTAL 的等效電路。晶體的串聯(lián)諧振頻率f2S=1/(2π*LSCS)和并聯(lián)諧振頻率fP2=1/(2π*LS)(1/CP+1/CP),為了使振蕩器有良好的穩(wěn)定性和預(yù)測(cè)性,應(yīng)該使振蕩頻率接近串聯(lián)諧振頻率[1]。晶體振蕩器必須滿(mǎn)足兩個(gè)條件才能振蕩,振蕩器的環(huán)路增益必須大于1。振蕩器的相移必須等于0,相移由反向放大器和晶體的相移組成。通過(guò)網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)試我們得到該石英晶體模型的各個(gè)參數(shù)為:Cm=20fF,Lm=79.157mH,Rm=50Ω,C0=7pF。后面我們電路設(shè)計(jì)的性能優(yōu)化全部基于這個(gè)石英晶體模型。

        3 帶自動(dòng)增益控制的Pierce 振蕩器

        由于低功耗和頻率穩(wěn)定性的考慮,石英晶體振蕩器一般包括晶體振蕩器電路,反向放大器,偏置電路和峰值檢測(cè)器,采用了自動(dòng)增益控制(AGC)技術(shù),晶體當(dāng)前的增益由閉環(huán)回路自動(dòng)控制,峰值檢測(cè)電路比較參考信號(hào)和振蕩信號(hào)大小,產(chǎn)生一個(gè)反饋信號(hào)控制偏置電路,進(jìn)而控制反向放大器的增益,單純使用偏置電壓穩(wěn)定電路的靜態(tài)工作點(diǎn)是不夠的,因?yàn)榉糯蠊苓€會(huì)受到電源電壓下降等帶來(lái)的影響,還要同時(shí)考慮提供偏置電流。如果采用固定電流源給放大管提供電流,由于跨導(dǎo)必須大于起振條件,會(huì)造成功耗的浪費(fèi),因此引入自動(dòng)增益控制電路,引入AGC 結(jié)構(gòu),起振之后,隨著振幅的增加,通過(guò)反饋來(lái)調(diào)節(jié)放大管的電流,使電流不但可以獨(dú)立于電源電壓的變化,而且可以隨著振幅的變化而反向變化,平衡后MOS 管工作在亞閾區(qū),形成更為合理的靜態(tài)工作點(diǎn)的控制方式。圖2 中M0 是放大管,M1,M3,M5 構(gòu)成電流偏置電路,電阻Rf跨接在M0 的柵漏之間,作為M0 的自偏置,取值200kΩ。剛起振的時(shí)候通過(guò)M1 鏡像的電流很大,M0 柵上的直流電壓較大,使得M0的漏電流很大,通過(guò)M4 與M2 的鏡像作用,使得流經(jīng)放大管M3 的漏電流較大,M3 管的增益很大。當(dāng)振蕩器開(kāi)始工作時(shí),振幅逐漸變大,通過(guò)R2,C2,C4 的濾波作用,也就是使得M2 柵壓下降,電流減小,通過(guò)M5 管與M1 管的鏡像作用,使得流經(jīng)放大管M0 的漏電流減小,最后達(dá)到平衡狀態(tài)。這樣構(gòu)成負(fù)反饋,通過(guò)AGC 限制晶體振蕩器輸出波形的振幅,從而自動(dòng)調(diào)整電路的工作點(diǎn),提高了穩(wěn)定性,減小了功耗。R4,M6 構(gòu)成啟動(dòng)電路,M2,M3,M4,M5,R3 構(gòu)成簡(jiǎn)單的與電源無(wú)關(guān)的電流產(chǎn)生電路。采用自動(dòng)增益控制的一個(gè)最主要的優(yōu)點(diǎn)在于可以避免由于石英晶體的過(guò)驅(qū)動(dòng)引入的諧波失真,當(dāng)石英晶體的兩端電壓過(guò)大時(shí),會(huì)加大諧波分量,引入自動(dòng)增益控制電路,可以啟動(dòng)時(shí)加大電流,在穩(wěn)定振蕩后,減小電流,一方面保證正常啟動(dòng),同時(shí)可以減小振動(dòng)幅度,提高頻譜純度,延遲石英晶體的老化。

        圖2 本文設(shè)計(jì)的晶體振蕩器電路圖

        4晶體振蕩器芯片系統(tǒng)電路結(jié)構(gòu)及原理

        文中所設(shè)計(jì)的晶體振蕩器芯片系統(tǒng)框圖如圖3所示,其基本工作原理為:OSC振蕩電路以噪聲作為起振的原始激勵(lì)信號(hào),輸出穩(wěn)定的正弦信號(hào);OSC_BUFFER振蕩輸出緩沖電路對(duì)前一級(jí)輸出的正弦信號(hào)進(jìn)行放大整形,得到占空比為50%的方波信號(hào);分頻電路對(duì)輸出的方波信號(hào)進(jìn)行頻率調(diào)整,以得到適合不同頻率信號(hào)源;頻率調(diào)整后的方波信號(hào)通過(guò)高性能的輸出緩沖電路,提高芯片的帶負(fù)載能力,為各種電子系統(tǒng)提供準(zhǔn)確的頻率基準(zhǔn)源。

        圖3 晶體振蕩器芯片系統(tǒng)框圖

        5 測(cè)試結(jié)果

        晶體振蕩器電路采用了0.18um CMOS 工藝流片,經(jīng)過(guò)測(cè)試,采用示波器觀察晶振兩端輸出波形。電路穩(wěn)定振蕩在4.0051MHz 上,波形全擺幅為866mV,具有較大的振幅和較好的抗干擾能力。

        6 結(jié)論

        本文成功地設(shè)計(jì)了一款低功耗、輸出高穩(wěn)定性的晶體振蕩器芯片,測(cè)試結(jié)果顯示,頻率精度較高,振蕩穩(wěn)定性好,而且版圖面積較小,滿(mǎn)足射頻接收芯片系統(tǒng)要求。

        參考文獻(xiàn):

        [1] 陳建立,傅金,朱培生,張波. 一種高精度高穩(wěn)定性振蕩器的設(shè)計(jì)[J]. 微電子學(xué). 2011(01).

        [2] 曾健平,王閬,何先良,葉英,謝海情. 石英晶體振蕩器的集成化設(shè)計(jì)[J]. 微電子學(xué)與計(jì)算機(jī). 2009(02)

        [3] 鮑鈺文,徐瑤. 一種高性能時(shí)鐘晶體振蕩器電路設(shè)計(jì)[J]. 電子科技. 2014(05)

        [4] 陳明潔. 高性能的壓控振蕩調(diào)頻電路設(shè)計(jì)與分析[J]. 機(jī)電信息. 2014(09)endprint

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