劉艷花， 申 溯， 周小紅， 方宗豹， 浦東林， 朱鵬飛， 陳林森

(1. 蘇州大學(xué)教育部“2011計(jì)劃”納米科技協(xié)同創(chuàng)新中心，江蘇 蘇州 215006)(2.蘇州蘇大維格光電科技股份有限公司，江蘇 蘇州215026)

1 前 言

通過微納制造在聚合物基底上實(shí)現(xiàn)新型光電子器件，具有柔性、超薄、低成本、環(huán)保和大面積的優(yōu)點(diǎn)。在柔性光電子器件中，材料與微納米界面結(jié)構(gòu)相結(jié)合，能夠滿足不同功能需要的新特性，如在電學(xué)上具有低方阻導(dǎo)電、超大容量電容儲電等作用，在光子學(xué)上，則能實(shí)現(xiàn)對光子位相、偏振等參量的調(diào)制和變換，可產(chǎn)生許多宏觀結(jié)構(gòu)難以實(shí)現(xiàn)的新現(xiàn)象和新功能。例如，惠普實(shí)驗(yàn)室等課題組研究了超薄三維顯示方法[1]，通過亞像素納米結(jié)構(gòu)的組合，通過電子束光刻和納米壓印制作了實(shí)際樣品，形成25個視角通道(Channel)的裸眼3D顯示器，該工作發(fā)表在2013年4月的Nature雜志上，受到國際同行的高度評價。英國劍橋大學(xué)卡文迪許實(shí)驗(yàn)室的課題組通過在微透鏡表面上蒸鍍11層介質(zhì)層，實(shí)現(xiàn)了蝴蝶翅膀仿生納米結(jié)構(gòu)色[2]。斯坦福大學(xué)Cui Yi教授課題組提出了一種納米槽型網(wǎng)狀透明導(dǎo)電膜，方阻值僅為2 Ω/□，比其它類型的透明導(dǎo)電膜導(dǎo)電性能(氧化銦錫，Indium Tin Oxide，ITO)提高了幾個數(shù)量級，而其在可見光波段透過率仍達(dá)90%以上，表現(xiàn)出良好的機(jī)械性能[3]。這些有重大需求的基于微納結(jié)構(gòu)的光電子器件，為柔性大尺寸三維顯示、電容觸控發(fā)展，提供了實(shí)現(xiàn)的可行性，為未來產(chǎn)業(yè)展示出巨大前景。

據(jù)IDTechEx報道，2009年全球直接從事柔性印刷電子行業(yè)相關(guān)的企業(yè)只有不到2000家，近年來企業(yè)數(shù)量平均增加保持25%以上。2009年柔性印刷電子行業(yè)全球產(chǎn)值為19億美元，預(yù)計(jì)到2019年將達(dá)到570億美元，在未來20年內(nèi)，這一數(shù)目將超過3 000億美元。

本文將介紹微納柔性制造技術(shù)發(fā)展的基本現(xiàn)狀，重點(diǎn)討論微納柔性制造技術(shù)在新型印刷電子材料中的作用，特別是透明導(dǎo)電材料的研發(fā)和應(yīng)用，說明微納柔性制造技術(shù)在新一輪信息技術(shù)革命浪潮中的重要作用和地位。

2 微納柔性制造技術(shù)

微納制造技術(shù)在新興戰(zhàn)略行業(yè)發(fā)揮著越來越重要的作用。正如2007年諾貝爾物理獎官方評論中所指出的，正是借助納米科技，高密度數(shù)據(jù)存儲才得以成為現(xiàn)實(shí)，這是納米科技的第一場勝利。然而，要將納米乃至微米制造技術(shù)應(yīng)用并取得更多成果，仍面臨著瓶頸問題。首先，微納制造設(shè)備及工藝成本昂貴，特別對100 nm～2 μm的特征線寬結(jié)構(gòu)制造，設(shè)備投入昂貴。其次，制備的器件尺寸受限，半導(dǎo)體晶圓尺寸小于30.48 cm，對大幅面液晶顯示面板，光刻機(jī)雖然能夠?qū)崿F(xiàn)大面積，但是其特征線寬只能達(dá)到微米級，一臺8代線的步進(jìn)掃描光刻機(jī)的價格達(dá)到2億美元。因此，微納制造領(lǐng)域面對的共性基礎(chǔ)問題是：如何擁有更有效的、低成本的基礎(chǔ)方法、工藝裝置和工藝鏈，滿足一致性、批量性和低成本的要求。

微納制造(Micro-Nano Manufacturing)的基本工藝、技術(shù)和裝備，是柔性電子材料與器件研究的“土壤”，在此“土壤”上，才能夠做出具有獨(dú)創(chuàng)與推動性的研究成果，在我國新興產(chǎn)業(yè)形成中產(chǎn)生重大價值與可持續(xù)的支撐。

微納圖形化光刻直寫、卷對卷納米壓印(Rll to Roll Nano-Imprinting)和納米填充技術(shù)是微納柔性制造的重要手段，也是光電子、高密度電路等領(lǐng)域的共性技術(shù)。在相關(guān)行業(yè)的前端制程中，均需要高速圖形化光刻制版工藝，例如，在高密度PCB電路行業(yè)，需更大幅面、線寬為10～30 μm精密電路快速制版；在觸控屏行業(yè)，需500～800 mm幅面、線寬為5～10 μm光掩模(Mask)；在平板顯示行業(yè)，LCD、OLED的前端光刻工藝需m級幅面、線寬為1～3 μm光掩模板。所以，高速圖形化光刻技術(shù)一直是國外相關(guān)行業(yè)中致力發(fā)展的核心加工技術(shù)。

近年來，卷對卷納米壓印技術(shù)由于其具有低成本、大批量和高精度的優(yōu)點(diǎn)，逐步在產(chǎn)業(yè)中得到應(yīng)用，相比傳統(tǒng)印刷技術(shù)僅能達(dá)到數(shù)十微米的線寬，納米壓印能夠?qū)崿F(xiàn)數(shù)微納米線寬的高密度電路，這為今后印刷電子的發(fā)展，提供了新技術(shù)手段。

2.1 國際方面的研究進(jìn)展

在國際方面，基于行業(yè)需求牽引，歐盟在2005年推出了MONA計(jì)劃(Merge Optics & Nanotechnology)路線圖，其“微納制造技術(shù)平臺MINAM”在4個關(guān)鍵領(lǐng)域確定戰(zhàn)略研究的優(yōu)先級：納米材料制造、納米表面加工、微制造加工和集成化微納制造系統(tǒng)/平臺的開發(fā)，該平臺的目的就是“無論大批量還是小規(guī)模生產(chǎn)定制產(chǎn)品，都需要開發(fā)新一代的模塊化、知識密集的、可升級的和可快速配置的微納制造系統(tǒng)”。 重點(diǎn)解決：①微納制造工藝技術(shù) ；②適于批量生產(chǎn)的微納制造工藝鏈；③多功能、多材料介觀、微觀裝置的微納裝配工藝。

2013年11月，歐盟委員會公布了“地平線2020”科研規(guī)劃提案，宣布在2014年至2020年，投資約800億歐元，以研究國際前沿和競爭性科技難點(diǎn)為主要內(nèi)容，其中用于推動納米技術(shù)、新材料技術(shù)、先進(jìn)制造技術(shù)等領(lǐng)域的研發(fā)資金約179億歐元。

美國在2005年就推出了納米科技計(jì)劃，推動微納制造產(chǎn)業(yè)研究、發(fā)展和商業(yè)化，保持美國在相關(guān)領(lǐng)域的國際領(lǐng)先地位。其2013年財(cái)政預(yù)算的補(bǔ)充說明顯示納米制造和基礎(chǔ)設(shè)施關(guān)鍵領(lǐng)域大幅增長，可持續(xù)納米制造投入8 400萬美元。這兩個領(lǐng)域作為新的創(chuàng)新經(jīng)濟(jì)的一部分，并與“先進(jìn)制造業(yè)合作伙伴計(jì)劃”和“材料基因組計(jì)劃”一道，對國家正在進(jìn)行的經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇以及未來增長都至關(guān)重要。

2.2 國內(nèi)方面的研究進(jìn)展

目前，中國的微納制造的高端裝備主要依賴于引進(jìn)，自主研發(fā)的研究設(shè)備和技術(shù)手段較少。不過，這一現(xiàn)狀正在得到改善，蘇州蘇大維格光電科技股份有限公司與蘇州大學(xué)產(chǎn)學(xué)研合作，針對柔性電子和新型平板顯示的發(fā)展需求，由陳林森教授領(lǐng)導(dǎo)課題組在微納柔性制造方面開展了系統(tǒng)性研發(fā)工作，研制成功“紫外激光微納混合光刻直寫系統(tǒng)iGrapher820”、“卷對卷納米壓印設(shè)備NanoEmbosing1100”等，填補(bǔ)了我國在高端激光圖形化光刻直寫裝備和納米壓印裝備方面的空白。

如圖1所示，為蘇大維格的紫外激光圖形化光刻直寫設(shè)備，攻克了空間光調(diào)制(Spatial Light Modulator, SLM)、位相光調(diào)制(Phase Light Modulator, PLM)與納秒時序同步鎖定等技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了亞微米級分辨率的圖形輪廓尺寸和1/4波長特征的納米結(jié)構(gòu)。研制了兩類自聚焦光學(xué)伺服技術(shù)：實(shí)時檢測被動式“光學(xué)共焦自聚焦”，適用于步進(jìn)圖形化；預(yù)檢測主動式“Z-校正技術(shù)”，適用于高速圖形化運(yùn)行。自聚焦(AOF)具有在翹曲襯底上直寫微納結(jié)構(gòu)的能力，保障了高分辨率圖形電路品質(zhì)的可靠性，開發(fā)了基于位置比較方式的飛行曝光技術(shù)，以納秒(10～30 ns)脈沖時序平鋪實(shí)現(xiàn)了高精度、高效率電路直寫；亞納米精度的重疊積分曝光，消除了平鋪曝光中線寬不均勻性，獲得1 μm線寬、106.68 cm幅面的印模制版，實(shí)現(xiàn)了高分辨圖形化和高效率制備的兼容，比現(xiàn)有電子束光刻串行寫入的效率提高了數(shù)千倍，混合光刻系統(tǒng)的研發(fā)成功，為大尺寸微納模具制備提供了先進(jìn)手段。

圖1 激光圖形化直寫光刻設(shè)備(a),微結(jié)構(gòu)模具(b)與光掩模(c)照片F(xiàn)ig.1 Pictures of the micro-patterning system(a), 3D micro-structures(b) and large size photomask(c)

2.3 國內(nèi)外光刻直寫裝備對比

在2005年之前，平板顯示和柔性電子制版核心技術(shù)掌握在歐美、韓國和日本企業(yè)手中。在平板顯示和柔性電子制版的前端制程中，都需要光刻工藝，其中，大尺寸掩模板是光刻工藝中的模具。掩膜板光刻設(shè)備，供應(yīng)商有瑞典Micronic、德國Heidelberg儀器、以色列Orbotech、日本Nikon。根據(jù)具體應(yīng)用領(lǐng)域，這些設(shè)備刻線寬分辨率在0.25～15 μm。瑞典Micronic公司的FPS系列激光直寫設(shè)備，應(yīng)用于大尺寸平板顯示掩膜制備。德國Heidelberg儀器公司的DWL系列激光直寫設(shè)備，應(yīng)用于中等尺寸平板顯示和觸摸屏的掩膜制備。以色列Orbotech公司的LDI系列設(shè)備，應(yīng)用于高密度PCB制備或無掩膜光刻。蘇大維格的iGrapher激光圖形化直寫光刻設(shè)備，是目前國際上唯一實(shí)現(xiàn)微納混合光刻(Hybrid Lithography) 商品化圖形化直寫光刻系統(tǒng)，應(yīng)用于高端光掩模板、微米級電路和納米結(jié)構(gòu)光刻制備。表1給出了不同激光圖形化系統(tǒng)的比較。

表1 國內(nèi)外激光圖形化系統(tǒng)的分析比較

3 微納柔性制造與透明導(dǎo)電膜制備

用微納柔性制造的微金屬網(wǎng)格透明導(dǎo)電膜，具有柔性、可彎曲、高強(qiáng)度、高透過率、低表面電阻等特性，應(yīng)用于大尺寸觸控屏、柔性顯示、電磁屏蔽材料、光伏電池等重要領(lǐng)域，應(yīng)用前景廣闊，市場潛力巨大。如圖2所示，在觸控屏大型化趨勢下，微金屬網(wǎng)格透明導(dǎo)電膜將逐步替ITO材料，成為大尺寸觸控屏主流導(dǎo)電材料。因此，印刷電子是微納柔性制造的重要研究方向。

圖2 透明導(dǎo)電膜在觸控屏上的應(yīng)用圖示Fig.2 Application illustration of the transparent conductive film for touch panel

隨著研究的不斷深入和工業(yè)配套材料與技術(shù)的成熟，透明導(dǎo)電材料向多元化發(fā)展。根據(jù)透明導(dǎo)電材料的形式不同，可將透明導(dǎo)電材料分為兩類：連續(xù)膜型和金屬網(wǎng)絡(luò)膜型。連續(xù)膜型透明導(dǎo)電材料通過利用同質(zhì)導(dǎo)電材料形成透明導(dǎo)電薄膜，主要包括氧化銦錫(ITO)、導(dǎo)電高分子材料、金屬薄膜、碳納米管(Carbon Nano-Tube, CNT)以及石墨烯(Graphene)等；網(wǎng)絡(luò)膜型是通過納米線等形成網(wǎng)絡(luò)狀的透明導(dǎo)電材料，主要包括碳納米管、金屬納米線、金屬柵等。由于石墨烯、碳納米管、金屬納米線、金屬納米粒子以及金屬柵等結(jié)構(gòu)特征尺寸在納米級，因此也被稱為納米透明導(dǎo)電材料。

3.1 連續(xù)膜型透明導(dǎo)電材料

連續(xù)膜型透明導(dǎo)電材料是通過化學(xué)氣相沉積或?yàn)R射等工藝形成的透明導(dǎo)電薄膜。其中ITO具有優(yōu)良的光電特性，透過率高，方阻低而被廣泛應(yīng)用，但由于銦礦價格昂貴，成本較大；且其材料較脆，不宜用在柔性基底上而受到了限制。導(dǎo)電高分子材料柔韌性好，可彎曲，但是導(dǎo)電性能不如ITO，因此應(yīng)用受到限制。金屬薄膜具有極好的導(dǎo)電性能，但是當(dāng)金屬薄膜厚度超過80 nm時，其透過率非常低而無法被廣泛應(yīng)用?；谑┑耐该骱蛯?dǎo)電性能所制備的透明導(dǎo)電材料，得到了極大的重視，但由于其獲得大面積無缺陷的石墨烯較困難，使其導(dǎo)電性能仍無法超越ITO，同時在大面積制備上控制成本成為難點(diǎn)。

3.2 網(wǎng)絡(luò)膜型透明導(dǎo)電材料

由納米導(dǎo)電材料在透明基底上構(gòu)成網(wǎng)格結(jié)構(gòu)，成為另一種可實(shí)現(xiàn)透明導(dǎo)電材料的研究方向。碳納米管構(gòu)成的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)制備的透明導(dǎo)電膜表現(xiàn)出優(yōu)良的光電性能，在有機(jī)太陽能電池等多種光電器件上得到了應(yīng)用。

金屬納米線是通過制備Au，Ag，Cu等納米線，或納米粒子利用濕法涂布等方式，制備而成的網(wǎng)狀透明導(dǎo)電材料，表現(xiàn)出卓越的光電性能。其導(dǎo)電性能明顯優(yōu)于碳基導(dǎo)電材料，且透過率高，成為當(dāng)前新的重點(diǎn)研究方向，表2比較了上述幾種透明導(dǎo)電材料的性能。

表2 幾種透明導(dǎo)電材料性能對比

3.2.1 碳基透明導(dǎo)電材料

雖然納米透明導(dǎo)電材料表現(xiàn)出優(yōu)秀的光學(xué)、電學(xué)、力學(xué)和化學(xué)特性，但各自存在一些固有缺點(diǎn)。單層石墨烯表現(xiàn)出很好的透過率和導(dǎo)電性能，但很難獲得大面積無缺陷的單層石墨烯。對于多層石墨烯膜，較大的層與層間的結(jié)電阻，也導(dǎo)致其導(dǎo)電性降低。提高單層石墨烯的完整性，可通過優(yōu)化CVD沉積參數(shù)來獲得，但是這樣又會增加成本。單壁碳納米管具有高效的電子遷移率和極高的機(jī)械韌性和強(qiáng)度，但碳納米管之間的結(jié)電阻很大，方阻僅達(dá)到200～300 Ω/□，限制了其在觸屏顯示方面的應(yīng)用。目前主要通過制備高度有序排列的碳納米管來降低結(jié)電阻。

3.2.2 金屬網(wǎng)絡(luò)透明導(dǎo)電材料

涂布型的金屬納米線的主要缺陷是：擊穿電壓低、高接觸電阻、在極端條件下不穩(wěn)定性、低耐氧化性、與塑料基底粘附力不高。為了降低結(jié)電阻和接觸電阻，可通過退火處理來實(shí)現(xiàn)，或者利用等離子處理來使納米線接觸處相融合，從而提高導(dǎo)電性能。為了提高耐氧化性，可以覆蓋一層隔絕層，如石墨烯或高分子材料，改善金屬納米線的耐久性，延長其使用壽命。

蘇大維格發(fā)明了金屬網(wǎng)格透明導(dǎo)電膜制造方法[16]，其技術(shù)路線是基于微納圖形化光刻、卷對卷納米壓印和納米填充技術(shù)，主要工藝制程如圖3所示。電路圖形由精密光刻制成，通過UV納米壓印在基材表面形成微凹槽(特征結(jié)構(gòu)在1～5 μm)，在微溝槽內(nèi)，用納米自組裝填充納米銀導(dǎo)電材料，形成導(dǎo)電線路。圖4是納米銀填充微溝槽的SEM照片，可以看出，Ag顆粒在微溝槽連續(xù)均勻地分布，減少了晶體缺陷，提高了導(dǎo)電性能。根據(jù)網(wǎng)格結(jié)構(gòu)和線寬設(shè)計(jì)的不同，上述金屬網(wǎng)格透明導(dǎo)電膜，其方阻為1～10 Ω/□，完全滿足了中大尺寸觸摸屏對低方阻要求(<50 Ω/□)和多點(diǎn)電容觸控的要求，從而，克服了ITO材料不能支持大尺寸觸控屏的材料瓶頸。圖5是金屬網(wǎng)絡(luò)透明導(dǎo)電膜和基于此的觸控電容屏的實(shí)物照片?；诩{米壓印技術(shù)的微金屬網(wǎng)絡(luò)透明導(dǎo)電膜的制程，屬于“增材”制造，具有環(huán)保、綠色的特點(diǎn)，免去了傳統(tǒng)柔性印刷電路(FPC)的蝕刻工藝，也就沒有環(huán)境污染。

圖3 微金屬網(wǎng)格透明導(dǎo)電薄膜的制備流程圖(a)和卷對卷納米壓印系統(tǒng)(b)Fig.3 Workflow of producing metal mesh transparent conductive film(a) and roll-to-roll nano-imprinting system(b)

圖4 納米銀填充微溝槽的SEM照片F(xiàn)ig.4 SEM photos of nano-silver particle filling for the micro metal mesh

3.3 微納柔性制造與印刷電子材料

傳統(tǒng)印刷技術(shù)線寬一般為50 μm以上，精密打印技術(shù)可做到5 μm線寬，但是，打印技術(shù)不具備批量生產(chǎn)能力。

用微納光刻直寫技術(shù)制備印模和卷對卷納米壓印技術(shù)，柔性電路線寬可達(dá)到1.5 μm。這種先進(jìn)微納米制造技術(shù)與印刷電子材料相結(jié)合，能夠支持高密度、具有新穎性能的印刷電子功能器件的實(shí)現(xiàn)。當(dāng)然，這也對印刷電子材料的特性提出了更高要求。以大尺寸透明導(dǎo)電膜為代表的印刷電子材料，對納米金屬材料、高分子材料、碳、無機(jī)半導(dǎo)體材料、導(dǎo)電氧化物、無機(jī)材料與有機(jī)材料的雜化等制備和綜合性能提出了新要求，原來在數(shù)十微米尺度上的能夠滿足的導(dǎo)電特性，并不一定能滿足數(shù)微米甚至于亞微米電路性能的要求，因此，在粒徑、分散性、可填充性等方面，要進(jìn)行優(yōu)化。因此，面向大尺寸電容觸控屏重大需求，微納柔性制造與印刷電子的結(jié)合將是新一輪印刷電子材料與應(yīng)用的前瞻性研究方向，如果我國能夠有效集成國內(nèi)外先進(jìn)微納制造技術(shù)，再結(jié)合印刷電子產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展和市場需求，合理布局，有可能取得后發(fā)優(yōu)勢，對我國未來印刷電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展起到重大促進(jìn)作用，形成具有自主知識產(chǎn)權(quán)的印刷電子新材料和新應(yīng)用。

4 結(jié) 語

印刷電子產(chǎn)業(yè)正在快速發(fā)展，具有千億級美元的巨大市場規(guī)模，正面臨著巨大機(jī)遇，也面臨著材料與應(yīng)用技術(shù)的巨大挑戰(zhàn)。新型平板顯示、柔性電子器件、新能源器件對印刷電子材料與器件提出更高要求，希望更大尺寸、柔性化、低成本制造。預(yù)計(jì)今后5年中，市場將對大尺寸(203～250 cm)電容觸控屏有重大需求，這將為微納柔性制造與印刷材料相結(jié)合、提供重要牽引力。因此，要十分重視交叉學(xué)科—微納印刷電子技術(shù)與材料的研究，這不僅是印刷電子材料與器件的新領(lǐng)域，也必將促進(jìn)我國在該領(lǐng)域形成更多的核心專利，為新一代印刷電子器件的研究與應(yīng)用，提供了前所未有的發(fā)展空間，提升我國在印刷電子材料與應(yīng)用產(chǎn)業(yè)的國際競爭力。

參考文獻(xiàn) References

[1] Fattal D, Peng Z, Tran T,etal. A Multi-Directional Backlight for a Wide-Angle Glasses-Free Three-Dimensional Display[J].Nature, 2013 (495): 348-351.

[2] Kolle M, Salgard-Cunha M P, Scherer M R,etal. Mimicking the Colourful Wing Scale Structure of the Papilio Blumei Butterfly[J].NatureNanotechnoloy, 2010 (5): 511-515.

[3] Wu H, Kong D S, Ruan Z C,etal. A Transparent Electrode Based on a Metal Nanotrough Network[J].NatureNanotechnoloy，2013 (8):421-425.

[4] Bae S, Kim H, Lee Y,etal.Roll-to-Roll Production of 30-inch Graphene Films for Transparent Electrodes[J].NatureNanotechnoloy, 2010 (5): 574-578.

[5] Han T H, Lee Y G, Choi M R,etal.Extremely Efficient Flexible Organic Light-Emitting Diodes with Modified Graphene Anode[J].NaturePhotonics,2012(6): 105-110.

[6] Jorik van de G, Pierpaolo S, Albert P. Transparent Conducting Silver Nanowire Networks[J].NanoLett, 2012 (12): 3 138-3 144.

[7] Lee D H, Lee H J, Ahn I. Highly Stable and Flexible Silver Nanowire-Graphene Hybrid Transparent Conducting Electrodes for Emerging Optoelectronic Devices[J].Nanoscale, 2013(5): 7 750-7 755.

[8] Chen R Y, Suprem R D, Jeong C W,etal.Co-Percolating Graphene-Wrapped Silver Nanowire Network for High Performance, Highly Stable, Transparent Conducting Electrodes[J].AdvFunctMater, 2013 (10): 5 150-5 158.

[9] Yong H K, Lee J H, Simone H,etal. Achieving High Efficiency and Improved Stability in ITO-Free Transparent Organic Light-Emitting Diodes with Conductive Polymer Electrodes[J].AdvFunctMater, 2013 (23): 3 763-3 769.

[10] Li X K, Jung Y W, Sakimoto K,etal. Improved Efficiency of Smooth and Aligned Single Walled Carbon Nanotube/Silicon Hybrid Solar Cells[J].EnergyEnvironSci, 2013 (6): 879-887.

[11] Nakanishi T, Fujimoto A, Kitagawa R,etal. Electrical Resistivity of Transparent Metal Nanomesh Electrodes[J].PhysStatusSolidiA, 2013 (2): 327-334.

[12] Po-Chun Hsu, Shuang Wang, Hui Wu,etal. Performance Enhancement of Metal Nanowire Transparent Conducting Electrodes by Mesoscale Metal Wires[J].NatureCommunications, 2013 (4):2 522-1-7.

[13] Boulanger N, Barbero D R. Nanostructured Networks of Single Wall Carbon Nanotubes for Highly Transparent, Conductive, and Anti-Reflective Flexible Electrodes[J].ApplPhysLett, 2013 (103): 021 116-1-3.

[14] Li N, Oida S S, Tulevski G S,etal. Efficient and Bright Organic Light-Emitting Diodes on Single-Layer Graphene Electrodes[J].NatureCommunications, 2013 (4):2 294-1-6.

[15] Lee J Y, Connor S T, Cui Y,etal.Solution-Processed Metal Nanowire Mesh Transparent Electrodes[J].NanoLett, 2008, 8(2): 689-692.

[16] Chen Linsen(陳林森), Zhou Xiaohong(周小紅)，Zhu Pengfei(朱鵬飛)，etal.ATransparentConductiveFilmandItsFabricationApproaches(一種透明導(dǎo)電膜及其制作方法): China,ZL 201010533228.9[P]. 2013-07-03.