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        超特高壓閥側(cè)套管的絕緣配合與電熱場分析

        2014-05-29 10:55:56隋彬曹建軍
        電氣開關(guān) 2014年1期
        關(guān)鍵詞:熱場極性電場

        隋彬,曹建軍

        (二灘水電開發(fā)有限責(zé)任公司,四川 成都 610031)

        1 引言

        我國的水力和煤炭資源主要分布在西部,電力負(fù)荷主要在東部。西電東送是我國電力系統(tǒng)的主要格局。輸電容量大、距離長使已有的500kV電壓等級難以支撐,必須發(fā)展更高電壓等級的特高壓輸變電系統(tǒng)。特高壓±800kV級直流輸電代表著當(dāng)今世界輸變電技術(shù)的最高水平,±800kV干式直流套管作為直流輸變電工程中大型電力設(shè)備換流變壓器、平波電抗器的重要組件,以及閥廳穿墻用套管,已成為制約我國特高壓直流輸電發(fā)展的瓶頸。在直流套管方面,代表世界最高技術(shù)水平的ABB公司、SIEMENS公司已具備生產(chǎn)±600kV換流變壓器套管、平波電抗器套管和穿墻套管的技術(shù)。其中ABB公司主要生產(chǎn)高壓直流油浸紙式套管;SIEMENS公司主要生產(chǎn)高壓直流環(huán)氧浸漬干式套管,但都技術(shù)壟斷。

        高壓和特高壓換流變壓器設(shè)計(jì)制造的難點(diǎn)在絕緣技術(shù),而絕緣的關(guān)鍵部位在閥側(cè)出線裝置。閥側(cè)出線裝置指閥繞組引出線與套管連接處的絕緣結(jié)構(gòu),包括均壓電極和多層紙板圍屏,它與套管密切配合,組成一個(gè)復(fù)雜的油紙絕緣系統(tǒng),承受著該處嚴(yán)酷的電場應(yīng)力,保障閥繞組端部出線安全引出。

        換流變壓器閥側(cè)絕緣在運(yùn)行中要長期承受高幅值的直流和交流工作電壓以及各種過電壓,還要承受啟動、停運(yùn)和極性反轉(zhuǎn)等動態(tài)直流電壓。當(dāng)換流變壓器負(fù)荷和溫度變化引起電阻率變化時(shí),也會在絕緣中引起動態(tài)直流電氣應(yīng)力。在1976年和1984年的CIGRE文件中都提出:為了考核絕緣的承受能力,換流變壓器出廠時(shí)除進(jìn)行沖擊試驗(yàn)外,還要進(jìn)行長時(shí)直流電壓試驗(yàn)和極性反轉(zhuǎn)試驗(yàn)。前一試驗(yàn)主要代表長期直流工作電壓的作用,后一試驗(yàn)主要代表動態(tài)直流電壓的作用。兩項(xiàng)試驗(yàn)的試驗(yàn)電壓都涉及了交流電壓分量。2000年IEC提出的換流變壓器標(biāo)準(zhǔn)中增加了1h交流電壓試驗(yàn),以彌補(bǔ)前兩項(xiàng)試驗(yàn)對油隙考核的不足[1]。因此,套管絕緣設(shè)計(jì)的首要目標(biāo)是順利通過這3項(xiàng)試驗(yàn)。

        2 套管結(jié)構(gòu)

        套管有兩種結(jié)構(gòu):

        圖1是HSP公司生產(chǎn)的±800kV GSETF/t的結(jié)構(gòu)圖。

        圖1 HSP公司生產(chǎn)的±800kV GSETF/t的結(jié)構(gòu)圖

        套管內(nèi)絕緣設(shè)計(jì):(7)為絕緣主體是由特殊皺紋紙?jiān)谡婵障陆n環(huán)氧樹脂,同時(shí)由鋁箔逐步分層,促使主絕緣體電壓分布均勻。

        換流變和套管的連接處,由于其復(fù)雜的絕緣結(jié)構(gòu)使得該處的電場和熱場容易不均勻而導(dǎo)致產(chǎn)生局部放電或是擊穿。

        本文重點(diǎn)對套管連接處電場和熱場做出分析和研究。

        圖2 為ABB公司GGF套管

        3 電場分布

        通過ANSYS仿真得到電場分布。通過對ANSYS的二次開發(fā)[2],對套管電場分布得到較為精確的分布。文獻(xiàn)[3-5]對高壓直流套管做了有限元的仿真都是簡單的考慮固定的常數(shù)或是在不同的電阻率比值下的仿真。

        直流電場:根據(jù)文獻(xiàn)[6],得出在直流電壓下電場分布如圖3和4,電場分布主要取決于材料的電阻率,即為阻性分布。

        圖3 環(huán)氧樹脂和油的電阻率比為100的時(shí)候的電場分布圖

        圖3是套管在選取環(huán)氧樹脂和油的電阻率比為100的時(shí)候的電場分布圖。

        圖4是套管在選取環(huán)氧樹脂和油的電阻率比為10的時(shí)候的電場分布圖。

        極性反轉(zhuǎn)電場:根據(jù)文獻(xiàn)[3],得出在極性反轉(zhuǎn)下電場分布如圖5。極性反轉(zhuǎn)開始在120s內(nèi)從-Upr線性反轉(zhuǎn)到+Upr并穩(wěn)定一段時(shí)間。對比仿真計(jì)算結(jié)果可以看出在極性反轉(zhuǎn)試驗(yàn)電壓反轉(zhuǎn)過程中,套管尾部的電場分布規(guī)律比較相似,電容芯子內(nèi)導(dǎo)電桿附近的電場較高,電容芯子導(dǎo)電桿附近極板下端部電場比較集中,套管尾部均壓球附近的電場分布比較集中。其電場強(qiáng)度極大值點(diǎn)出現(xiàn)在均壓球包覆層上下弧面外側(cè)。

        圖4 環(huán)氧樹脂和油的電阻率比為10的時(shí)候的電場分布圖

        圖5 極性反轉(zhuǎn)下電場分布

        4 熱場分布

        熱場的分布可以同過有限元的仿真和熱電類比的方法來計(jì)算。對于熱場的有限元仿真還沒有查到相關(guān)的文獻(xiàn),這里主要介紹熱電類比的方法。

        其基本原理如下,若描述2個(gè)物理量的微分方程形式相同,且?guī)缀涡螤詈瓦吔鐥l件相似,則兩者方程的解析解和實(shí)驗(yàn)解可以通用[7]。熱路和電路的物理量滿足上述3個(gè)條件,因此可以參照電路的物理量形式來描述熱路的物理量[8,9],即熱電類比法。熱路和電路的對照關(guān)系如表1所示。

        表1 熱路和電路物理量對照表

        根據(jù)熱電類比原理,由U=IR可得θH=qHRH,由I=CdU/dt可得 qH=CHdθH/dt。

        基爾霍夫電壓定律和基爾霍夫電流定律同樣可類比到熱路:在任何時(shí)刻,對任一閉合回路對任一結(jié)點(diǎn),其中,m為閉合回路的結(jié)點(diǎn)數(shù),z為與結(jié)點(diǎn)相連接的支路數(shù),θHk和qHj分別為閉合回路結(jié)點(diǎn)k處的溫度和與結(jié)點(diǎn)相連的第j支路的熱流量。

        圖6 熱電類比方法模型圖

        圖7 套管暫態(tài)的熱分布

        根據(jù)以上基本原理可以建立如圖6的熱電類比方法,通過仿真可以得出暫態(tài)的熱分布,結(jié)果如圖7。但是其中的時(shí)間常數(shù)難準(zhǔn)確的得到。文獻(xiàn)[10]提出了穩(wěn)態(tài)的套管熱分布的計(jì)算方法,給出了熱阻的計(jì)算方法,文獻(xiàn)[11]提出了套管瞬態(tài)的熱分布情況,加入了熱容的概念,沒有提出參數(shù)的具體算法,仿真出了瞬態(tài)的熱分布情況。

        5 熱電耦合

        由于套管芯子在電場的作用下發(fā)熱致使套管熱場發(fā)生變化,電介質(zhì)的電阻率又和溫度有關(guān)系致使電阻改變,電阻的改變致使電場改變,導(dǎo)致一系列的變化。

        為了得到溫度對電場的影響,有許多文獻(xiàn)是在不同的溫度下計(jì)算出電阻率再進(jìn)行電場分布的計(jì)算或是仿真,沒有點(diǎn)對點(diǎn)的對整個(gè)流程就行分析。

        文獻(xiàn)[10]提出了電熱耦合的解析解,其主要方程為:

        得出溫度的大致分布如圖8。

        圖8 某時(shí)間點(diǎn)的溫度分布

        圖8得到的溫度分布只是某個(gè)時(shí)間點(diǎn)的溫度分布情況,沒有在一個(gè)時(shí)間段里對其分布做出分析。

        文獻(xiàn)[2]提出通過對ANSYS的二次開發(fā),根據(jù)電場、溫度和電導(dǎo)率的關(guān)系對各個(gè)單元的電場進(jìn)行賦值這樣可以比較準(zhǔn)確的得到套管的電場數(shù)值解。但目前還沒有相關(guān)的對熱場的分布的仿真。為此可以對套管的瞬態(tài)熱場分布進(jìn)行仿真,并與文獻(xiàn)[11]得到的結(jié)論進(jìn)行對比。

        6 結(jié)論

        本文對閥側(cè)套管的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了簡單的介紹,分別給出了HSP和ABB公司生產(chǎn)的適用于±800kV換流變的閥側(cè)套管結(jié)構(gòu)圖。對直流電壓和極性反轉(zhuǎn)下電場的分布做了分析。最后簡述了國內(nèi)外對套管熱場分布的研究情況,確立可以在ANSYS的基礎(chǔ)上對套管進(jìn)行有限元電熱耦合分析,并分析電熱場最后提供使得套管的絕緣配合到達(dá)最佳的效果的理論依據(jù)。

        [1]IEC 61378-2 Converter Transformers-2:Transformers for HVDC applications[S],2001.

        [2]羅隆福.高壓直流穿墻套管非線性電場的求解[J].高電壓技術(shù),2002(5):3-5.

        [3]劉鵬.極性反轉(zhuǎn)試驗(yàn)中,±800kV換流變壓器套管尾部的電場分布研究[J].電瓷避雷器,2009(3):1-8.

        [4]張瑞峰,劉云鵬,邵士雯.+800kV特高壓直流復(fù)合絕緣子電場有限元分析[J].華東電力,2011(7):1116-1119.

        [5]江汛.復(fù)合高壓套管的電場計(jì)算和分析[J].高電壓技術(shù),2004(3):17-19.

        [6]Peng Liu,Electric Field Calculation and Structural Optimization of ±800kV Converting Transformer Bushing Outlet Terminal[C].8th International Conference on Properties and applications of Dielectric Materials,2006:840-843.

        [7]劉鑒民.傳熱傳質(zhì)原理及其在電力科技中的應(yīng)用分析[M].北京:中國電力出版社,2006.

        [8]SWIFT G W,MOLINSKI T S,LEHN W.A Fundamental Approach to Transformer Thermal Modeling-Part I:Theory and Equivalent Circuit[J].IEEE Transactions on Power Delivery,2001,16(2):171-175.

        [9]SWIFT G W,MOLINSKI T S,BRAY R,et al.A Fundamental Approach to Transformer Thermal Modeling-Part II:Field Verification[J].IEEE Transactions on Power Delivery,2001,16(2):176-180.

        [10]Jyothi,N S,Ramu,T S,Mandlik,M.Temperature Distribution in Resin Impregnated Paper Insulation for Transformer Bushings[J].IEEE Transactions on Dielectric s and Electrical Insulation,2010,8(6):931-938.

        [11]Shibao Zhang.Evaluation of Thermal Transient and Overload Capability of High-Voltage Bushings With ATP[J].IEEE Transactions on Power Delivery,2009,24(3):1295-1301.

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