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        多晶硅薄膜制備工藝及其應(yīng)用發(fā)展

        2014-04-29 00:00:00李海博尹延昭鄭麗
        科技創(chuàng)新與應(yīng)用 2014年2期

        摘 要:多晶硅薄膜在一些半導(dǎo)體器件及集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。由于多晶硅生產(chǎn)成本低,效率穩(wěn)定性好、光電轉(zhuǎn)換效率高,多晶硅薄膜的研究備受關(guān)注。目前多晶硅薄膜已廣泛地用于各種微電子器件的制造,其用途從柵極材料和互聯(lián)引線發(fā)展到絕緣隔離、鈍化、太陽(yáng)能電池、各種光電器件等。文章介紹了制備多晶硅薄膜的多種工藝方法,結(jié)合現(xiàn)有工藝條件制作多晶硅納米薄膜,根據(jù)多晶硅壓阻特性理論進(jìn)行了LPCVD納米薄膜工藝試驗(yàn),研究了工藝條件對(duì)多晶硅納米薄膜應(yīng)變系數(shù)的影響,選取了優(yōu)化的工藝條件,為多晶硅納米薄膜在今后壓阻式壓力傳感器中的應(yīng)用奠定基礎(chǔ)。

        關(guān)鍵詞:多晶硅;壓阻特性;納米薄膜;應(yīng)變系數(shù)

        引言

        多晶硅薄膜在半導(dǎo)體器件和集成電路中應(yīng)用廣泛,多晶硅材料可制作MOS器件的柵極材料,犧牲層材料,太陽(yáng)能電池和各種光電子器件。伴隨MEMS(微電子機(jī)械系統(tǒng))技術(shù)的飛速發(fā)展,多晶硅薄膜在壓阻式壓力傳感器中應(yīng)用廣泛,同時(shí)多晶硅納米薄膜的壓阻特性比普通多晶硅更加優(yōu)越。因此受到了廣大研究者的關(guān)注。多晶硅薄膜與單晶硅薄膜相比更容易與IC工藝兼容,多晶硅薄膜具有良好的高溫特性,高溫器件中無(wú)p-n結(jié)隔離問(wèn)題。多晶硅薄膜也可制作犧牲層材料,易于微機(jī)械加工,該材料的應(yīng)變系數(shù)可達(dá)單晶硅的三分之二左右,重?fù)诫s時(shí),多晶硅納米薄膜的應(yīng)變系數(shù)比單晶硅材料的還要高。

        多晶硅薄膜工藝的制備主要分高溫工藝,工藝溫度高于600℃,可在高溫石英管中熱分解工藝氣體制得,制備工藝簡(jiǎn)單。此外還有低溫工藝,加工工藝溫度低于600℃,可尋找成本較低的玻璃作為襯底材料,適合批量生產(chǎn),制備工藝相對(duì)復(fù)雜。

        1 多晶硅薄膜制備

        多晶硅薄膜的制備工藝有多種,包括:真空蒸發(fā)、磁控濺射,化學(xué)氣相沉積等,其中化學(xué)氣相沉積法(CVD)是多晶硅薄膜最常用的制備方法,該方法將工藝需要?dú)怏w在等離子體(PECVD)增強(qiáng)沉積法、催化作用、HWCVD(熱化學(xué)氣相沉積)等不同工藝條件下分解制作多晶硅薄膜。此外還包括低壓化學(xué)氣相淀積法、固相晶化(SPC)法、準(zhǔn)分子激光晶化法、超高真空化學(xué)氣相淀積(HV/CVD)、快速熱退火、電子束蒸發(fā)等[2]。

        化學(xué)氣相沉積工藝中一種為PECVD(等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積),該工藝是利用輝光放電的電子或等離子體來(lái)激活化學(xué)氣相沉積反應(yīng),經(jīng)過(guò)一系列的遷移、脫氫等過(guò)程,在襯底表面沉積成膜的方法。工藝中SiH4氣體和H2混合后經(jīng)輝光分解成等離子體,或者直接通入純SiH4,純硅烷氣體分解沉積薄膜為非晶硅薄膜。一般多晶硅薄膜工藝中SiH4氣體在輝光放電條件下,設(shè)備中高能電子與SiH4氣體發(fā)生撞擊,氣體分解成離子團(tuán),其主要反應(yīng)式如下所示:

        SiH4→SiH2+H2

        SiH4→SiH3+H2

        SiH4→Si+H2

        氣體分子與離子團(tuán)的自由行程小于反映腔室內(nèi)的尺寸,分子向襯底擴(kuò)散,分子與離子團(tuán)相互撞擊進(jìn)行反應(yīng),主要反應(yīng)式如下所示:

        SiH2++SiH4→Si2H6

        Si2H6++SiH2→Si3H8

        工藝腔室內(nèi)各種反應(yīng)離子團(tuán)擴(kuò)散、碰撞,不同反應(yīng)活性和濃度的離子團(tuán),沉積到達(dá)襯底底部。SiH3基團(tuán)活性較小不容易達(dá)到襯底成膜。

        沉積過(guò)程為薄膜成膜的第一步,接著就是沉積氣體分子或基團(tuán)在表面的解吸過(guò)程,在此過(guò)程中表面生產(chǎn)脫H,同時(shí)各種基團(tuán)可反應(yīng)形成Si-Si鍵,薄膜進(jìn)一步生長(zhǎng)。

        脫H過(guò)程是薄膜成膜重要的階段。H可通過(guò)氣體分子從表面釋放,從真空系統(tǒng)抽走,也可通過(guò)與表面基團(tuán)反應(yīng)形成氣態(tài)分子而移除。在等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積多晶硅薄膜過(guò)程中,只有當(dāng)硅烷濃度達(dá)到臨界值時(shí),才能產(chǎn)生多種Si顆粒,顆粒附著在襯底表面發(fā)生進(jìn)一步反應(yīng),薄膜逐漸生產(chǎn)。

        LPCVD(低壓化學(xué)氣相沉積)工藝,主要原理為在低壓條件下。一般在1個(gè)大氣壓以下,將反應(yīng)氣體通入密閉的真空臥室或立式可加熱石英管中,工藝氣體經(jīng)熱分解,分解成各種基團(tuán)或副產(chǎn)物,基團(tuán)附著在襯底表面形成硅膜,該工藝需要較低的工藝腔室壓力和適宜的工藝溫度來(lái)控制反應(yīng)工藝氣體及副產(chǎn)物的形成。同時(shí),各種工藝氣體的比例不同,工藝成膜的效果和薄膜的應(yīng)力也不盡相同。通常應(yīng)用LPCVD沉積多晶硅薄膜的晶粒尺寸小于500nm,應(yīng)用LPCVD沉積多晶硅時(shí),需要襯底潔凈度高,同時(shí)改變工藝溫度,工藝爐體內(nèi)壓力,均可制作不同薄膜特性的材料。低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備與一般的常壓熱壁式裝置的主要區(qū)別在于它需要一套真空泵系統(tǒng)維持整個(gè)系統(tǒng)的工作氣壓。下圖為典型LPCVD裝置示意圖:

        圖1 典型LPCVD裝置示意圖

        綜上所述,化學(xué)氣相沉積多晶硅薄膜是個(gè)物理和化學(xué)混合的工藝過(guò)程,工藝過(guò)程中首先反應(yīng)氣體通入沉積腔室經(jīng)過(guò)輝光放電或熱分解擴(kuò)散成離子團(tuán)或氣體分子,接著反應(yīng)物分子附著在襯底表面,其中有部分反應(yīng)物可繼續(xù)進(jìn)行一系列的化學(xué)反應(yīng),在襯底表面碰撞、遷移、沉積,同時(shí)副產(chǎn)物解吸附變成可由真空系統(tǒng)抽走的氣體反應(yīng)物。

        此外還可以采用RF-PECVD(射頻等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)制作多晶硅薄膜,該工藝在低溫下沉積,采用SiH4氣體和H2氣體混合,工藝沉積速率太低。采用VHF-PECVD(甚高頻等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)來(lái)提高沉積速率。該工藝主要由于VHF激發(fā)的等離子體比常規(guī)工藝電子溫度低、密度大、活性高。

        快速熱化學(xué)氣相沉積(RTCVD)依據(jù)光或射頻感應(yīng)加熱襯底,使工藝溫度達(dá)到反應(yīng)要求。該工藝反應(yīng)室內(nèi)壁溫度較低,與其他高溫沉積工藝相比該設(shè)備相對(duì)簡(jiǎn)單,沉積速率高。制備薄膜先用CVD或者蒸發(fā)制得非晶硅薄膜,經(jīng)固相晶化技術(shù)(SPC)技術(shù),使非晶硅薄膜硅原子再次激活、重組,將非晶薄膜發(fā)生晶化變成多晶硅薄膜。太陽(yáng)能電池多晶硅薄膜,采用成本較低的材料做襯底,以硅烷氣體為原料,應(yīng)用等離子增強(qiáng)方法制備非晶硅薄膜,用退火熱處理方法將非晶硅轉(zhuǎn)化為多晶硅薄膜。該方法適合批量生產(chǎn)、工藝簡(jiǎn)單、成本低。常規(guī)高溫爐退火、快速熱退火、金屬誘導(dǎo)晶化、微波誘導(dǎo)晶化等都屬于固相晶化的范疇。

        2 多晶硅薄膜的壓阻特性

        多晶硅薄膜材料一般由許多小晶粒組成,在晶粒內(nèi)部原子成周期性有序地排列,把每個(gè)晶??醋餍〉膯尉K,不同晶向的小顆粒由晶粒間界連接。晶粒間界結(jié)構(gòu)復(fù)雜,原子無(wú)序排列。最先報(bào)道多晶硅壓阻特性的是日本的Onuma和Sekiga。他們研究多晶硅壓阻效應(yīng)主要是由晶粒內(nèi)部遷移率、晶粒表面、晶粒間界遷移率引起的。他們稱此為遷移率模型,多晶硅薄膜應(yīng)變因子表示為:

        G=■ (1)

        上式中, Gg為晶粒內(nèi)部遷移率變化引起的應(yīng)變因子,Gb為晶粒間界遷移率變化引起的應(yīng)變因子,Gs為表面遷移率引起的應(yīng)變因子,α=μg/μb,β=μg/μs。該理論認(rèn)為制備應(yīng)變因子較大的多晶硅薄膜需要增大晶粒度、提高結(jié)晶度,可以減少晶粒間界的陷阱密度。

        在1984年French和Evens給出了多晶硅薄膜壓阻效應(yīng)模型。該模型采用將所有可能晶粒取向上求平均的方法計(jì)算薄膜應(yīng)變因子。該模型計(jì)算結(jié)果與試驗(yàn)結(jié)果一致。他們采用陷阱模型描述了多晶硅薄膜晶粒的狀態(tài),他們擬認(rèn)為晶粒邊界和耗盡區(qū)對(duì)應(yīng)變不敏感,結(jié)合晶粒的中性區(qū)和晶粒邊界勢(shì)壘區(qū)壓阻效應(yīng),得出結(jié)論中性區(qū)壓阻效應(yīng)比勢(shì)壘區(qū)強(qiáng)一倍,薄膜晶粒度越小,勢(shì)壘區(qū)越大,壓阻效應(yīng)越弱。該理論被許多實(shí)驗(yàn)證實(shí)。

        圖2表示多晶硅薄膜陷阱模型的示意圖。在一維的情況下,多晶硅的電阻率ρ被看成是晶界電阻率和晶粒中性區(qū)電阻率的串聯(lián)平均電阻率,

        ?籽=■?籽g+■?籽b (2)

        式中L是平均晶粒度;W為晶粒耗盡區(qū)寬度;ρg晶粒中性區(qū)的電阻率;ρb耗盡區(qū)的電阻率。如果ρb對(duì)應(yīng)變不敏感,有

        ■=■·■ (3)

        由式(2)和式(3)可知,多晶硅壓阻效應(yīng)主要來(lái)源于單晶晶粒,勢(shì)壘區(qū)電阻也會(huì)引起應(yīng)變因子較大變化,耗盡區(qū)電阻率越大,多晶硅薄膜應(yīng)變因子越小。

        圖2 多晶硅薄膜晶粒單元的一維模型

        上述多晶硅壓阻效應(yīng)模型認(rèn)為應(yīng)變引起熱電子發(fā)射電流變化,使勢(shì)壘區(qū)壓阻效應(yīng)增強(qiáng)。哈爾濱工業(yè)大學(xué)劉曉為教授利用熱電子發(fā)射理論得出應(yīng)變因子公式,試驗(yàn)表明晶粒間界勢(shì)壘區(qū)壓阻系數(shù)與晶粒壓阻系數(shù)成正比,但中性區(qū)壓阻效應(yīng)占主導(dǎo)。多晶硅薄膜一般由晶粒中性區(qū)和勢(shì)壘區(qū)構(gòu)成,多晶硅壓阻特性單元應(yīng)變因子可表示為:

        GC=■+■ (4)

        上式Gg、Rg分別為晶粒中性區(qū)的應(yīng)變因子和電阻,Gb、Rb分別為勢(shì)壘區(qū)的應(yīng)變因子和電阻。

        通常Gg、Gb定義為常數(shù),Gg>Gb,上述表示多晶硅應(yīng)變因子隨勢(shì)壘區(qū)與中性區(qū)電阻值比值減小而增大。摻雜濃度越高,勢(shì)壘區(qū)高度和寬度越小,勢(shì)壘區(qū)電阻與中性區(qū)電阻的比值也下降。因此,單位應(yīng)變因子隨摻雜濃度增加而增大[4],如圖3所示摻雜濃度與應(yīng)變因子的關(guān)系。上圖可與P型單晶硅應(yīng)變因子與摻雜濃度關(guān)系圖結(jié)合,可知多晶硅應(yīng)變因子G與濃度間的關(guān)系,如圖4所示:

        經(jīng)上述分析,多晶硅薄膜厚度和晶粒度在幾百納米以上,壓阻特性的研究和進(jìn)展已經(jīng)成熟。現(xiàn)有理論壓阻特性與薄膜結(jié)構(gòu)間的關(guān)系為:晶粒中性區(qū)的壓阻效應(yīng)較大,晶粒邊界勢(shì)壘區(qū)小,薄膜晶粒度越小,壓阻效應(yīng)就越弱。

        為了提高多晶硅薄膜的壓阻特性,需要提高薄膜晶粒度和結(jié)晶度。通常膜厚越薄,晶粒度越小。現(xiàn)有多晶硅模型沒(méi)有對(duì)納米尺寸效應(yīng)對(duì)壓阻特性影響。Schubert等人計(jì)算了隨機(jī)織構(gòu)多晶硅的應(yīng)變因子,應(yīng)用晶粒度120nm,摻雜濃度 2.5×1019cm-3,實(shí)驗(yàn)所得應(yīng)變因子為24.6?,F(xiàn)有壓阻特性理論,晶粒越小,應(yīng)變因子越小,實(shí)驗(yàn)對(duì)于晶粒度較小的納米薄膜,應(yīng)變因子反而30以上,甚至更大,LeBerre等人對(duì)膜厚50nm,晶粒度20nm多晶硅納米薄膜進(jìn)行實(shí)際測(cè)試,測(cè)試應(yīng)變因子達(dá)到30以上。這表面現(xiàn)有的壓阻特性理論存在缺陷。近年來(lái)研究者利用量子力學(xué)隧道效應(yīng)的原理并結(jié)合半導(dǎo)體能帶理論[5],分析多晶硅納米薄膜的導(dǎo)電機(jī)構(gòu),從而發(fā)現(xiàn)隧道電流隨應(yīng)變而變化,產(chǎn)生壓阻效應(yīng),這就是隧道壓阻效應(yīng)。經(jīng)過(guò)實(shí)驗(yàn),多晶硅薄膜在重?fù)诫s條件下,這種勢(shì)壘區(qū)的壓阻效應(yīng)非常顯著,因此多晶硅納米薄膜具有更好的壓阻特性。

        3 多晶硅納米薄膜工藝

        針對(duì)現(xiàn)有的多晶硅壓阻特性理論進(jìn)行了LPCVD納米薄膜工藝試驗(yàn),該工藝采用4英寸〈100〉晶向單晶硅片為襯底,硅片厚度500um。在襯底上氧化200nm,作為絕緣層,沉積工藝氣體壓力100kpa以下,硅烷流量為100sccm。沉積厚度為60nm的多晶硅薄膜。應(yīng)用離子注入濃度為2.3×1020cm-3的硼,在1080度退火30分鐘。經(jīng)微機(jī)械平面工藝光刻、蒸發(fā)鋁等,結(jié)合壓阻式壓力傳感器制作工藝,制作4個(gè)壓敏電阻。經(jīng)電極連接制作惠斯通電橋,下圖為典型多晶體壓力傳感器示意圖。

        圖5 典型的多晶硅壓力傳感器

        本實(shí)驗(yàn)主要研究淀積溫度對(duì)沉積薄膜結(jié)構(gòu)的壓阻特性的影響,實(shí)驗(yàn)在不同溫度下制作納米薄膜,制作工藝參數(shù)如下表:

        驗(yàn)在不同淀積溫度條件下制備了多晶硅納米薄膜(膜厚60nm),襯底采用〈100〉晶向單晶硅片。具體工藝參數(shù)如表1所示。下列工藝中沉積納米薄膜的厚度一致,摻雜濃度相同,只考慮沉積溫度對(duì)納米薄膜的影響。

        表1 不同淀積溫度多晶硅納米薄膜的工藝參數(shù)

        4 實(shí)驗(yàn)結(jié)果

        經(jīng)上述工藝試驗(yàn),得出不同沉積溫度下的納米薄膜,工藝考慮了從560度到670度的溫度工藝,結(jié)合圖6中SEM納米薄膜照片可知,溫度在低于600℃時(shí),多晶硅納米薄膜晶粒較小,納米薄膜呈無(wú)定形狀態(tài);當(dāng)沉積溫度高于600℃時(shí),多晶硅薄膜晶粒度顯著,部分薄膜出現(xiàn)多晶態(tài)。因此薄膜從600度開(kāi)始從無(wú)定性態(tài)開(kāi)始轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑B(tài)。當(dāng)沉積溫度670度時(shí),樣品晶粒度較大,沉積溫度620度時(shí),晶粒度幾乎同670度近似,如此可見(jiàn)晶粒度與工藝薄膜沉積溫度無(wú)關(guān)。

        多晶硅薄膜不同晶態(tài)結(jié)構(gòu)對(duì)薄膜的壓阻特性影響明顯。在高摻雜濃度時(shí)對(duì)該工藝薄膜進(jìn)行壓阻特性測(cè)試。常溫下應(yīng)變系數(shù)與淀積溫度的關(guān)系如圖7所示。

        在制作不同溫度下制作多晶硅薄膜,經(jīng)微機(jī)械工藝制作敏感電阻,給出了不同溫度下多晶硅壓敏電阻的電阻率的關(guān)系圖,如圖8所示。

        5 結(jié)論

        結(jié)合現(xiàn)有工藝手段制作多晶硅納米薄膜,應(yīng)用最新的壓阻特性理論對(duì)納米薄膜進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)和數(shù)據(jù)分析,根據(jù)圖7和圖8可知,淀積溫度為560℃和580℃的薄膜雖然具有大的應(yīng)變系數(shù),但其電阻率較高,薄膜穩(wěn)定性差,不適合制作壓敏電阻,主要是納米薄膜內(nèi)晶粒呈無(wú)定形態(tài)硅較多,對(duì)于淀積溫度為600℃、620℃和670℃的薄膜,它們的電學(xué)特性都比較穩(wěn)定,淀積溫度為620℃的薄膜應(yīng)變系數(shù)較大,因此依據(jù)納米薄膜的穩(wěn)定性和應(yīng)變系數(shù)參數(shù)來(lái)說(shuō),多晶硅納米薄膜沉積溫度在620度時(shí),薄膜壓阻特性最優(yōu)。

        6 應(yīng)用發(fā)展

        多晶硅薄膜已在壓阻式壓力傳感器中得到廣泛的應(yīng)用。通常典型的多晶硅壓力傳感器大都利用單晶硅做襯底,采用硅杯結(jié)構(gòu)應(yīng)用LPCVD沉積多晶硅薄膜作壓敏電阻,用離子注入摻雜硼元素。還有的壓力彈性膜以外延生長(zhǎng)硅層制作,極少多晶硅壓力傳感器采用非硅材料,80年代美國(guó)通用研究金屬上多晶硅應(yīng)變傳感器 ,實(shí)驗(yàn)選用金屬鉬作為襯底,利用氮化硅和PSG制作絕緣層,采用CVD沉積1um厚多晶硅薄膜。上述結(jié)構(gòu)壓力感器具有制作工藝簡(jiǎn)單、靈敏度高和一定的高溫特性等特點(diǎn)。2007年,哈爾濱工業(yè)大學(xué)的劉曉為等人在PNTF壓阻特性的研究中發(fā)現(xiàn),重?fù)诫s可將PNTF的GF提高到34,并且TCR及TCGF也會(huì)降低近一個(gè)數(shù)量級(jí)。為了解釋該現(xiàn)象,隧道壓阻模型被建立并得出重?fù)诫s下晶界的壓阻系數(shù)要高于晶粒中性區(qū)的結(jié)論,其理論值與實(shí)驗(yàn)結(jié)果也相吻合。他們將該技術(shù)應(yīng)用到多晶硅壓力傳感器的制作中,研究者還研究出不同納米薄膜制作工藝參數(shù)對(duì)壓阻特性的影響,包括薄膜厚度,摻雜濃度不同,沉積溫度等[6]。

        隨著納米薄膜技術(shù)的發(fā)展,該薄膜具有良好的壓阻特性,重?fù)诫s濃度下多晶硅納米薄膜具有比普通多晶硅薄膜更優(yōu)越的壓阻特性[7]。能在保證較高應(yīng)變系數(shù)的前提下,降低其溫度系數(shù),有利于提高多晶硅壓力傳感器的性能,對(duì)于發(fā)展高靈敏、低溫漂、寬工作溫度范圍的低成本壓力傳感器具有重要的應(yīng)用價(jià)值。

        參考文獻(xiàn)

        [1]Malhaire C,Barbier D.Design of a polysilicon-on-insulator pressure sensor with original polysilicon layout for harsh environment . Thin Solid Film,2003,427 :362.

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        [4]揣榮巖,劉曉為,霍明學(xué)等.摻雜濃度對(duì)多晶硅納米薄膜應(yīng)變系數(shù)的影響[J].半導(dǎo)體學(xué)報(bào),2006,27(6):25-30.

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        [6]Xiaowei Liu,Xuebin Lu,Rongyan Chuai,Huiyan Pan,Xilian Wang,Jinfeng Li,“The influence of doping concentration on piezoresistive temperature characteristics of polysilicon nanofilms,” in Proc. of SPIE,6423,Harbin,2007,pp. 2NI-2N7.

        [7]Xiaowei Liu,Rongyan Chuai,Minghao Song,Huiyan Pan,Xiaowei Xu,“The influences of thickness on piezoresistive properties of poly-si nanofilms,”in Proc. of SPIE,6186(3-4),Strasbourg,2006,pp. OVlOV9.

        作者簡(jiǎn)介:李海博,2005年黑龍江大學(xué)電子工程學(xué)院微電子專業(yè)獲得學(xué)士學(xué)位,現(xiàn)工作于中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十九研究所;從事力學(xué)量傳感器研究,完成軍事新品項(xiàng)目,參與型譜項(xiàng)目,軍事預(yù)研項(xiàng)目數(shù)項(xiàng)。

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