復旦大學發(fā)現(xiàn)新型二維半導體材料黑磷

近年來 二維晶體材料因其優(yōu)越的電氣特性 成為半導體材料研究的新方向。繼石墨烯、二硫化鉬之后 在《自然·納米技術(shù)》雜志上 復旦大學物理系張遠波教授課題組發(fā)現(xiàn)了一種新型二維半導體材料——黑磷 并成功制備了相應的場效應晶體管器件 它將有可能替代傳統(tǒng)的硅 成為電子線路的基本材料。

二維晶體是由幾層單原子層堆疊而成的納米厚度的平面晶體 比如大名鼎鼎的石墨烯。但是石墨烯沒有半導體帶隙 即分隔電子導電能帶 導帶 和非導電能帶 價帶 之間的無人禁區(qū) 也就是說它難以完成導體和絕緣體之間的轉(zhuǎn)換 不能實現(xiàn)數(shù)字電路的邏輯開與關(guān)。而同樣由單原子層堆疊而成的黑磷 則具有一個半導體帶隙。

“兩年前中國科技大學的陳仙輝教授告訴我他們可以生長黑磷時 當時直覺就告訴我這有可能是一個很好的半導體材料?！睆堖h波教授說 “果然 現(xiàn)在我們把黑磷做成納米厚度的二維晶體后 發(fā)現(xiàn)它有非常好的半導體性質(zhì) 這樣就有可能用在未來的集成電路里?！彼麄儼l(fā)現(xiàn)黑磷二維晶體有良好的電子遷移率1000 cm2/Vs 還有非常高的漏電流調(diào)制率 是石墨烯的10 000倍 與電子線路的傳統(tǒng)材料硅類似。

除了電性能優(yōu)越以外 黑磷的光學性能同包括硅和硫化鉬在內(nèi)的其他材料相比也有巨大的優(yōu)勢。它的半導體帶隙是直接帶隙,即電子導電能帶 導帶 底部 和非導電能帶 價帶 頂部在同一位置 實現(xiàn)從非導到導電 電子只需要吸收能量 光能 而傳統(tǒng)的硅或者硫化鉬等都是間接帶隙 不僅需要能量(能帶變化)還要改變動量 位置變化 。這意味著黑磷和光可以直接耦合 這個特性讓黑磷成為未來光電器件 例如光電傳感器 的一個備選材料。可以檢測整個可見光到近紅外區(qū)域的光譜。

這些初步的研究結(jié)果 遠沒有達到黑磷性能的極限 還有極大的拓展空間。張遠波教授表示 黑磷還只是一個剛剛被發(fā)現(xiàn)的材料 現(xiàn)在其前景作任何的推斷都還太 早?！斑@個材料的很多特性還有待發(fā)掘?！皩嶒炇覍⒗^續(xù)探索這些特性 并且希望能在現(xiàn)在的基礎(chǔ)上進一步提高樣品的質(zhì)量?！睆堖h波教授說 “我們正在嘗試的另外一件事是看看能不能把黑磷解離到單原子層。單原子層的黑磷會有什么不一樣的性質(zhì) 現(xiàn)在還沒有人知道?！?/p>