楊岸超，石 林,，王 秀，劉煥光，張 鑫，張建國※

(1.首都醫(yī)科大學(xué)附屬北京天壇醫(yī)院神經(jīng)外科,北京 100050； 2.北京市神經(jīng)外科研究所功能神經(jīng)外科研究室,北京 100050)

隨著功能神經(jīng)外科在我國的快速發(fā)展，越來越多的患者接受了腦深部電刺激(deep brain stimulation，DBS)治療[1]。當(dāng)前DBS技術(shù)存在的一個重要問題就是其在磁共振成像(magnetic resonance imaging,MRI)磁場中的安全性[2-3]。DBS電極在MRI射頻磁場中會接收射頻能量并產(chǎn)熱，進(jìn)而引起周圍腦組織熱損傷，這是植入DBS裝置的患者進(jìn)行MRI掃描的主要風(fēng)險[4-5]。本研究通過對超高場強MRI(7.0T)掃描后DBS電極周圍腦組織進(jìn)行蛋白印跡雜交檢測(western-blot)及實時定量聚合酶鏈反應(yīng)(quantitative polymerase chain reaction,QPCR)檢測，測定了熱損傷標(biāo)記分子熱激蛋白70(heat shock protein-70,HSP-70)的相對含量，進(jìn)而評估了超高場強MRI下DBS電極對周圍組織熱損傷的情況，探討了DBS設(shè)備與MRI的兼容性問題。

1 資料與方法

1.1一般資料 所有實驗符合北京實驗動物管理中心關(guān)于實驗動物使用及保護(hù)的規(guī)定(審批號：SYXK 2010-0141)。體質(zhì)量2.5～4.0 kg的雄性新西蘭白兔24只(軍事醫(yī)學(xué)科學(xué)研究實驗動物中心提供)，隨機分為電極植入組和穿刺對照組，每組各12只。

1.2DBS植入 電極植入組動物在烏拉坦(1 mg/kg)麻醉下行DBS植入(DBS設(shè)備由清華品馳公司提供，型號G101)，電極尖端置于左側(cè)丘腦腹后核(MRI掃描確認(rèn)電極位置，位置偏差明顯者再次手術(shù)調(diào)整電極位置，圖1)，DBS電極帽固定，頭部皮下留適量導(dǎo)線，刺激器置于左側(cè)肋弓下旁正中，多余導(dǎo)線“之”字形固定于刺激器表面(防止多余導(dǎo)線進(jìn)入MRI線圈)。穿刺對照組僅行DBS電極同位點穿刺，保留10 min后拔出。常規(guī)縫合傷口。

1.3MRI掃描 所有動物行7.0T MRI掃描，序列為自旋回波(spin echo,SE)序列、梯度回波(gradient recalled echo,GRE)序列及反轉(zhuǎn)恢復(fù)(fluid attenuation inverse recovery,FlAIR)序列，重復(fù)掃描3次，保證掃描時間超過25 min，掃描特異吸收率(specific absorption rate,SAR)在0.28～2.80 W/kg。

1.4分子生物學(xué)檢測 MRI掃描24 h后注射過量麻醉劑處死動物并取腦，行針道周圍組織western-blot及QPCR檢測，測定針道周圍組織內(nèi)HSP-70的變化，比較電極植入組及穿刺對照組HSP-70變化差異。具體方法同文獻(xiàn)[6]。

左圖為冠狀位圖像，右圖為矢狀位圖像，白色箭頭示穿刺針道，黑色箭頭示電極

2 結(jié) 果

2.1HSP-70的western-blot檢測結(jié)果 電極植入組穿刺道周圍組織中HSP-70相對水平為0.167～0.170(0.168±0.001)，穿刺對照組為0.172～0.175(0.173±0.006)電極植入組與穿刺對照組HSP-70水平的差異無統(tǒng)計學(xué)意義(t=0.751,P>0.05)(圖2)。

(A)，蛋白電泳條帶灰度圖示HSP-70及參考蛋白β-actin的灰度條帶。(B)，HSP-70相對含量的柱狀圖，G1與G2差異無統(tǒng)計學(xué)意義(P>0.05)。G1：電極植入組，G2：穿刺對照組。HSP-70:熱休克蛋白-70；β-actin：參考蛋白

2.2HSP-70 mRNA的QPCR檢測結(jié)果 QPCR結(jié)果顯示電極植入組穿刺道周圍組織中HSP-70的mRNA相對含量為0.777～0.820(0.793±0.019),穿刺對照組為0.760～0.798(0.777±0.024)。結(jié)果顯示,電極植入組與穿刺對照組HSP-70 mRNA水平無統(tǒng)計學(xué)差異(t=0.332，P>0.05)(圖3)。

3 討 論

HSP-70是細(xì)胞中可被熱損傷誘導(dǎo)的敏感分子，在多個研究中HSP-70被視作熱損傷標(biāo)志物以評估熱損傷程度[7-8]。本研究通過western-blot和QPCR方法對熱損傷敏感分子HSP-70及其mRNA進(jìn)行了檢測，結(jié)果提示DBS電極周圍HSP-70水平與單純穿刺機械損傷組的HSP-70水平相比，差異并無統(tǒng)計學(xué)意義。由此可以推論，本實驗中7.0T MRI掃描的射頻磁場并未引起DBS電極周圍出現(xiàn)明顯的熱損傷改變。本實驗的結(jié)果與很多其他檢測超高場強MRI掃描后DBS設(shè)備或?qū)w溫度變化的實驗研究相符[9]。

本實驗結(jié)果是否說明DBS設(shè)備在磁場中未產(chǎn)熱并且是安全的呢？首先，很多研究業(yè)已證明在射頻磁場中DBS電極會吸收射頻能量而出現(xiàn)溫度升高[3,10-13]，但溫度升高范圍與很多因素有關(guān)，如射頻線圈的種類、射頻磁場強度及SAR值、掃描時間、導(dǎo)體在磁場中的位置、導(dǎo)體的電物理學(xué)屬性等[2,14]，因此不同實驗條件下DBS電極或?qū)w溫度變化也有很大差異，但通過適當(dāng)控制重要的參數(shù)，如掃描序列、導(dǎo)體在磁場中的位置、使用低SAR掃描等，DBS設(shè)備及導(dǎo)體的溫度變化并不明顯。Carmichael等[15]的研究發(fā)現(xiàn)1.5T和3.0T磁場引起DBS電極的溫度變化均很小(0.1～0.5 ℃)，Ideta等[16]報道1.5T及3.0T MRI掃描引起鈦合金假體溫度升高0.4 ℃，Shrivastava等[9]報道了9.4T MRI射頻磁場中DBS設(shè)備出現(xiàn)0～5 ℃的溫度變化。本實驗采用的很多參數(shù)參照了上述研究，如使用常規(guī)SE、GRE及FLAIR掃描序列、使DBS設(shè)備位于射頻線圈外、使用國際要求的頭部線圈等，因此很有可能本實驗DBS設(shè)備的發(fā)熱量與上述研究相類似。其次，HSP-70分子作為熱損傷敏感蛋白，被用于檢測熱損傷。有實驗證明采用的誘導(dǎo)型HSP-70在細(xì)胞溫度超過39 ℃時才開始被合成，正常細(xì)胞中HSP-70水平極低[7]。本實驗顯示電極植入組與穿刺對照組HSP-70水平差異無統(tǒng)計學(xué)意義，很有可能是DBS電極周圍組織的溫度并未超過39 ℃。

G1與G2差異無統(tǒng)計學(xué)意義(P>0.05)。G1：電極植入組，G2：穿刺對照組

本實驗中未使用MRI溫度測量設(shè)備對DBS電極溫度的實時變化情況進(jìn)行監(jiān)測，因此未來還需要進(jìn)行進(jìn)一步研究，并采用更多的參數(shù)組合對MRI引起的DBS電極產(chǎn)熱問題進(jìn)行研究，以輔助制定植入DBS設(shè)備的患者進(jìn)行超高場強MRI掃描的規(guī)范。

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