謝 莉,蔣 偉,吳 松,闞世奇
(揚(yáng)州大學(xué) 能源與動(dòng)力工程學(xué)院,江蘇 揚(yáng)州 225127)
恒流電子負(fù)載是電類(lèi)實(shí)驗(yàn)教學(xué)必需的設(shè)備。實(shí)驗(yàn)教學(xué)要求:電子負(fù)載應(yīng)該能實(shí)現(xiàn)電流和電壓調(diào)整,保證相應(yīng)情況下電流和電壓的穩(wěn)定,能很好地實(shí)現(xiàn)參數(shù)調(diào)整和顯示,以適應(yīng)各種實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目和實(shí)驗(yàn)內(nèi)容的需要[1];具有完備的保護(hù)功能,在發(fā)生短路或過(guò)載時(shí)不損壞電源和電路;成本低、損壞率低、維修簡(jiǎn)便。
由于電路理論、電子技術(shù)和電工學(xué)等實(shí)驗(yàn)教學(xué)具有學(xué)生人數(shù)多、儀器設(shè)備使用率高、學(xué)生操作不熟練等特點(diǎn),學(xué)生操作不當(dāng)經(jīng)常會(huì)造成電源輸出端短路和過(guò)載,導(dǎo)致電源損壞,影響實(shí)驗(yàn)的進(jìn)行。為了滿(mǎn)足上述要求以及提高電工實(shí)驗(yàn)室的利用效率,系統(tǒng)采用了模擬器件為控制核心、單片機(jī)為人機(jī)接口控制器的模數(shù)混合控制方案,設(shè)計(jì)了最大工作電壓和電流分別為18 V、1 A可調(diào)恒流電子負(fù)載[2]。
電子負(fù)載按能量吸收方式可以分為能耗式與回饋式,按照控制形式可以分為開(kāi)關(guān)式與線(xiàn)性式。由于回饋式電子負(fù)載多用于大功率場(chǎng)合,且控制方式復(fù)雜、成本高,故不在考慮之列[3-5]。
分別針對(duì)能耗式電子負(fù)載不同設(shè)計(jì)方案中主電路的元件數(shù)量、對(duì)被測(cè)電路的影響、系統(tǒng)控制特性等進(jìn)行了比較,如表1所示。開(kāi)關(guān)型電子負(fù)載的主要問(wèn)題在于:(1)無(wú)源器件數(shù)量多,影響到系統(tǒng)的可靠性;(2)開(kāi)關(guān)紋波導(dǎo)致負(fù)載電流紋波且引入噪聲;(3)高階系統(tǒng),響應(yīng)慢。線(xiàn)性負(fù)載工作于MOSFET器件的飽和區(qū),無(wú)開(kāi)關(guān)紋波,而且控制對(duì)象在小信號(hào)意義上是零階系統(tǒng),利于控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
表1 能耗式負(fù)載性能比較
綜上所述,以MOSFET為負(fù)載進(jìn)行線(xiàn)性調(diào)節(jié),可以模擬理想恒流負(fù)載工作狀態(tài),且是一種可靠性高、成本低的方案。
電子負(fù)載系統(tǒng)由功率級(jí)模塊、本地控制器模塊、系統(tǒng)控制器模塊、輔助電源模塊、人機(jī)接口模塊組成,如圖1所示。
圖1 基于線(xiàn)性MOSFET的模數(shù)混合方案
功率器件采用IXYS公司的IXTA-TP80N10T,該器件安全工作區(qū)(SOA)寬,可以滿(mǎn)足最大18 V、1 A負(fù)載條件,且額定電流大,在誤操作情況下不易燒壞??紤]到電路雜散電感的影響,在MOSFET的漏極和源極并入1 μF的薄膜電容用以吸收器件兩端可能出現(xiàn)的尖峰電壓。
選取了2片德州儀器的LM324(模擬控制器內(nèi))集成運(yùn)放實(shí)現(xiàn)本地控制功能。一片LM324完成采樣電流放大、濾波、電流誤差放大功能;另外一片運(yùn)放完成負(fù)載電壓采樣、濾波、電壓誤差放大功能,并通過(guò)外部電路進(jìn)行過(guò)壓的甄別。
由于系統(tǒng)需要進(jìn)行恒流值設(shè)定和實(shí)現(xiàn),且無(wú)需高速數(shù)字運(yùn)算,所以使用了主頻為8 MHz的MSP430F169。這款單片機(jī)的數(shù)字I/O高達(dá)48個(gè),同時(shí)擁有豐富的外設(shè),適合與多種設(shè)備進(jìn)行接口,也便于本設(shè)計(jì)的進(jìn)一步擴(kuò)展[6]。
鍵盤(pán)模塊的方案采用智能便攜設(shè)備中的功能鍵的思路,采用最少按鍵實(shí)現(xiàn):分別為“參考值上調(diào)”、“參考值下調(diào)”、“開(kāi)/關(guān)”鍵。同時(shí),通過(guò)MSP430F169的P1端口將數(shù)據(jù)傳給液晶顯示屏顯示當(dāng)前負(fù)載電流和電壓。另外,系統(tǒng)中加入了LED顯示,分別顯示輔助電源供電正常(藍(lán)光)、系統(tǒng)啟動(dòng)(藍(lán)光)和過(guò)壓顯示(紅光)。
系統(tǒng)的輔助電源需要為運(yùn)算放大器、單片機(jī)、顯示屏、指示燈供電,需要提供+15 V,+5 V,+3.3 V電壓等級(jí),設(shè)計(jì)中使用實(shí)驗(yàn)室常用的線(xiàn)性電源進(jìn)行24 V直流供電,采用線(xiàn)性調(diào)壓模塊進(jìn)行逐級(jí)降壓獲得各電壓等級(jí)。
本地控制目標(biāo)為帶過(guò)壓保護(hù)的恒流。先對(duì)恒流模式進(jìn)行設(shè)計(jì),負(fù)載電流經(jīng)過(guò)采樣電阻、正比例放大環(huán)節(jié)、濾波,與給定參考值進(jìn)行比較后經(jīng)過(guò)一個(gè)3極點(diǎn)2零點(diǎn)的PI調(diào)節(jié)器,輸出一個(gè)穩(wěn)態(tài)值作為MOSFET的門(mén)控電壓,從而得到穩(wěn)定的負(fù)載電流。
設(shè)計(jì)要求系統(tǒng)能夠跟蹤給定值且靜差為零,所以需要對(duì)負(fù)反饋控制系統(tǒng)進(jìn)行分析。根據(jù)MOSFET數(shù)據(jù)表中的輸入特性曲線(xiàn),可以得到恒流控制下的MOSFET模型為一個(gè)比例環(huán)節(jié),為零階系統(tǒng);考慮到MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電阻Rg和柵源極寄生電容Cgs,輸入電壓對(duì)負(fù)載電流的傳遞函數(shù)G(s)為截止頻率很高的一階系統(tǒng),如下式所示:
(1)
式中,k1為MOSFET的靜態(tài)傳遞系數(shù)。
電流反饋由電阻采樣,回路傳遞函數(shù)H(s)為
(2)
式中,Rs為采樣電阻,k2為運(yùn)放電器增益,R14、C3為一階RC濾波器的電阻和電容。
PI調(diào)節(jié)器傳遞函數(shù)C(s)為
運(yùn)放電路中的R和C配置相應(yīng)的零極點(diǎn)。
利用Matlab進(jìn)行控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)[7-8],得到如圖2所示的系統(tǒng)開(kāi)環(huán)傳遞函數(shù)波特圖。
圖2 系統(tǒng)傳遞函數(shù)波特圖
由圖2可知,系統(tǒng)幅值裕量為-30 dB,相位裕量約為-90°,穿越頻率為6 kHz,滿(mǎn)足零穩(wěn)態(tài)誤差和系統(tǒng)快速性的要求[9-10]。
電壓控制的目的是保護(hù)系統(tǒng),故對(duì)其控制系統(tǒng)的要求不高,系統(tǒng)采用了單極點(diǎn)、單零點(diǎn)的PI調(diào)節(jié)器。采樣電壓經(jīng)過(guò)跟隨器、PI調(diào)節(jié)器輸出作為MOSFET管的門(mén)極輸入,當(dāng)采樣電壓大于18 V時(shí),經(jīng)PI調(diào)節(jié)改變MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓,從而實(shí)現(xiàn)過(guò)壓保護(hù)。
電壓和電流控制回路的整合方式如圖3所示,根據(jù)誰(shuí)低誰(shuí)輸出的原則,可以限制恒壓的上限為18 V,18 V以下為任意恒流控制。
圖3 帶有過(guò)壓保護(hù)的恒流模式選擇電路
系統(tǒng)流程圖如圖4和圖5所示,主程序中完成系統(tǒng)的初始化、鍵盤(pán)檢測(cè)、顯示。利用定時(shí)器產(chǎn)生100 ms的中斷,在定時(shí)器中斷中啟動(dòng)AD轉(zhuǎn)換[11-12],AD中斷中取得寄存器中的電壓電流值,并進(jìn)行移動(dòng)窗濾波,結(jié)果存放在指定變量中待顯示子程序使用。
圖4 主程序流程圖
圖5 中斷程序流程圖
系統(tǒng)樣機(jī)如圖6所示,系統(tǒng)結(jié)構(gòu)模塊化,接線(xiàn)簡(jiǎn)單,易于實(shí)驗(yàn)室日常維護(hù)。經(jīng)測(cè)試,系統(tǒng)可以以10 mA的步長(zhǎng)進(jìn)行0~1 A的負(fù)載電流控制,負(fù)載電流穩(wěn)態(tài)誤差小于1%,紋波小于0.5%。
圖6 電子負(fù)載樣機(jī)
系統(tǒng)設(shè)計(jì)了以低成本模擬電路為控制核心,以MSP430F169單片機(jī)為人機(jī)接口控制器的恒流電子負(fù)載,實(shí)現(xiàn)了電子負(fù)載的電流精確可控和過(guò)壓保護(hù),很好地實(shí)現(xiàn)了系統(tǒng)參數(shù)設(shè)置和顯示,滿(mǎn)足了電工實(shí)驗(yàn)室常規(guī)實(shí)驗(yàn)的要求。
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