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        NAND FLASH在車載數(shù)據(jù)采集存儲系統(tǒng)中的應(yīng)用

        2014-03-21 12:05:19良,翟
        儀表技術(shù)與傳感器 2014年4期
        關(guān)鍵詞:信息系統(tǒng)

        馬 良,翟 涌

        (北京理工大學(xué)機械與車輛學(xué)院,北京 100081)

        0 引言

        自動變速操縱是一個傳感器多、控制復(fù)雜的機電液一體化的復(fù)雜系統(tǒng)。控制過程中信號不僅路數(shù)多,而且變化快,很難通過人工直接觀測的方法分析研究[1-2]。因此對于變速控制系統(tǒng)的研發(fā),高速的同步隨車數(shù)據(jù)采集存儲系統(tǒng)必不可少。雖然,隨著電子技術(shù)新成果的不斷引進,數(shù)據(jù)采集存儲系統(tǒng)得到了很大的發(fā)展;但是,目前大多數(shù)存儲系統(tǒng)不符合車輛控制研究的特色,實用性差、成本高、性價比低。因此針對變速控制系統(tǒng)的研究需求,充分考慮了實車運行過程中振動沖擊強、溫度變化范圍大等特點,設(shè)計開發(fā)了滿足要求的高速車載數(shù)據(jù)采集存儲系統(tǒng)。由于NAND FLASH容量大、成本低、抗震動沖擊能力強等特點,選用NAND FLASH為存儲設(shè)備,運用流水線技術(shù)實現(xiàn)了數(shù)據(jù)的快速存儲[3]。

        1 系統(tǒng)整體設(shè)計方案

        車輛自動變速控制系統(tǒng)中的傳感器和執(zhí)行器等相關(guān)信號,經(jīng)過A/D轉(zhuǎn)換電路存入電子控制單元ECU中,之后通過RS-232總線發(fā)送到系統(tǒng)下位機。為了滿足數(shù)據(jù)實時采集存儲的要求,系統(tǒng)的下位機內(nèi)部預(yù)留了兩塊16KB的數(shù)據(jù)緩存。在數(shù)據(jù)采集過程中,下位機通過串口通信接收數(shù)據(jù),并將數(shù)據(jù)存入預(yù)留好的第一塊緩存中,當(dāng)該緩存滿之后,數(shù)據(jù)被存入第二塊緩存中,同時將第一塊緩存中的數(shù)據(jù)存入NAND FLASH。系統(tǒng)在每次開始數(shù)據(jù)采集之前,都會為本次采集的數(shù)據(jù)創(chuàng)建文件信息,并將文件信息存入NAND FLASH的相應(yīng)數(shù)據(jù)塊中。數(shù)據(jù)采集完畢之后,下位機通過內(nèi)部的SPI模塊,并根據(jù)保存的文件信息,將數(shù)據(jù)存入SD卡中。最后,將SD卡中的數(shù)據(jù)復(fù)制到上位機進行分析處理。系統(tǒng)移植了FAT32文件系統(tǒng),可以將數(shù)據(jù)以二進制文件的形式存入SD卡,方便上位機直接識別和處理。系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖如圖1所示。

        圖1 系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖

        2 系統(tǒng)硬件實現(xiàn)

        系統(tǒng)分為下位機和上位機2個部分,下位機采用了Freescale公司的32位微控制器MCF51JM128作為主要的控制器件,該控制器提供了128KB的FLASH存儲區(qū)和16KB的RAM存儲區(qū),同時包含豐富的功能模塊,可以滿足系統(tǒng)使用要求[4]。系統(tǒng)的下位機通過RS232總線采集數(shù)據(jù),并使用MAX232芯片實現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換。系統(tǒng)的存儲芯片主要選用了512B的EEPROM和Samsung公司的2GB NAND FLASH芯片K9WAG08U1A,其中EEPROM由于讀寫靈活,主要用于存儲NAND FLASH的壞塊信息和一些基本的文件信息,NAND FLASH用于存儲采集的數(shù)據(jù)。

        根據(jù)K9WAG08U1A的芯片手冊,該芯片的壞塊個數(shù)不超過328塊,一般出廠時只有30塊左右的壞塊。EEPROM中一條壞塊信息占兩個字節(jié),可以至少存儲200條壞塊信息,實際使用過程中FLASH產(chǎn)生新壞塊的情況并不多[5],所以可以滿足系統(tǒng)的性能要求。

        下位機中微控制器MCF51JM128的工作電壓為5 V,而FLASH芯片的工作電壓為2.7~3.6 V[3],所以系統(tǒng)選用了電壓轉(zhuǎn)換芯片74ALVC164245。74ALVC164245同時支持2個數(shù)據(jù)組,共16位數(shù)據(jù)的雙向電壓轉(zhuǎn)換,其中每組8位數(shù)據(jù),由各自的方向控制位控制電壓的轉(zhuǎn)換方向,在使用過程中需要動態(tài)修改方向控制位的值。為了保證系統(tǒng)的時間準(zhǔn)確,下位機中采用了時鐘芯片DS1302,當(dāng)下位機斷電后通過電池給該芯片供電。

        系統(tǒng)的上位機主要用于數(shù)據(jù)的分析和處理,同時可以通過RS-232總線與下位機通信,設(shè)置下位機的一些參數(shù)。系統(tǒng)硬件結(jié)構(gòu)圖如圖2所示。

        圖2 系統(tǒng)硬件結(jié)構(gòu)圖

        3 系統(tǒng)存儲原理

        系統(tǒng)選用大容量NAND FLASH存儲設(shè)備K9WAG08U1A作為主要的存儲器件,其存儲空間是按照塊和頁的概念來組織的。K9WAG08U1A共包含16384個數(shù)據(jù)塊(Block),每塊包含64頁(Page),每一頁有2048B數(shù)據(jù)區(qū)和64B備用區(qū),備用區(qū)在頁的末尾,主要用于存儲壞塊信息、ECC代碼等數(shù)據(jù)。

        K9WAG08U1A內(nèi)部由兩塊容量為1GB的K9K8G08U0A組成,它們通過2個片選信號CE1和CE2分別使能。每一塊K9K8G08U0A內(nèi)部又由兩塊容量為512MB的K9F4G08U0A組成,雖然這兩塊K9F4G08U0A共用同一個片選信號,但它們的頁地址范圍不同,可以給定不同的頁地址和數(shù)據(jù)內(nèi)容,實現(xiàn)兩塊K9F4G08U0A之間的交錯頁編程。由此可知,K9WAG08U1A由四塊容量為512MB的K9F4G08U0A組成,它們共用8個I/O引腳和CLE、ALE等引腳,通過指定片選信號和給定不同的頁地址,可以實現(xiàn)四塊K9F4G08U0A交錯頁編程。K9WAG08U1A的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖如圖3所示。

        圖3 K9WAG08U1A的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖

        NAND FLASH的讀寫操作通常是以頁為單位的,當(dāng)向FLASH中存入一頁數(shù)據(jù)時,下位機先發(fā)送完頁編程指令、存儲地址和2 KB數(shù)據(jù)之后,F(xiàn)LASH芯片自動完成內(nèi)部的頁編程操作。在自動編程過程中,F(xiàn)LASH芯片通過內(nèi)部程序?qū)?shù)據(jù)從數(shù)據(jù)寄存器保存到指定的存儲空間,其R/B端口將被拉低,表示芯片正處于忙工作狀態(tài),該過程需要的典型時間為200 μs,最大時間為700 μs[6].通常情況下,下位機需要等待FLASH內(nèi)部頁編程結(jié)束后,才能繼續(xù)向FLASH中存儲數(shù)據(jù)。對于單片F(xiàn)LASH的單頁編程操作,每次下位機要等待FLASH芯片的內(nèi)部編程結(jié)束后,才能開始存儲下一頁數(shù)據(jù),這樣大量時間耗費在頁編程過程中,很大程度上限制了系統(tǒng)存儲速度的提高。

        K9WAG08U1A內(nèi)部由四塊K9F4G08U0A組成,它們之間可以交互編程,互不干擾,而NAND FLASH的內(nèi)部編程可以自動完成,不需要下位機干預(yù),所以可以借鑒流水線技術(shù),提高NAND FLASH的頁編程速度[7]。具體實現(xiàn)過程如下:首先加載數(shù)據(jù)到第一片K9F4G08U0A,當(dāng)該芯片開始自動編程后,下位機不再等待,而是繼續(xù)加載數(shù)據(jù)到第二片K9F4G08U0A,當(dāng)?shù)诙酒_始自動編程后,加載數(shù)據(jù)到第三片芯片,依次執(zhí)行下去,當(dāng)加載數(shù)據(jù)到第四片K9F4G08U0A完成之后,第一片芯片的自動編程已經(jīng)執(zhí)行完畢,可以循環(huán)繼續(xù)加載新的數(shù)據(jù),這樣就可以將FLASH的內(nèi)部自動編程時間等效為0,提高系統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲速度?;诹魉€技術(shù)的數(shù)據(jù)存儲原理圖如圖4所示。

        圖4 基于流水線技術(shù)的數(shù)據(jù)存儲原理圖

        4 系統(tǒng)壞塊管理

        NAND FLASH在生產(chǎn)及使用過程中都有可能產(chǎn)生壞塊,這將使得系統(tǒng)變得不穩(wěn)定[8]。文中設(shè)計的數(shù)據(jù)采集存儲系統(tǒng)中,選用了512B的EEPROM作為存儲FLASH壞塊信息的設(shè)備。EEPROM讀寫靈活,同時支持單字節(jié)和多字節(jié)讀寫,有利于壞塊信息的讀取和更新。系統(tǒng)在用于實車實驗之前,先要調(diào)用相應(yīng)程序檢測NAND FLASH在生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的壞塊,并將壞塊信息存入EEPROM中。系統(tǒng)在實際使用過程中,根據(jù)FLASH的頁編程和擦除操作結(jié)果,判斷是否有壞塊信息產(chǎn)生,如果頁編程或擦除失敗,表明當(dāng)前數(shù)據(jù)塊為壞塊,并同時更新EEPROM中的壞塊信息,如果為頁編程失敗,系統(tǒng)還得將數(shù)據(jù)備份到FLASH中的有效塊中。

        系統(tǒng)下位機在向FLASH中存入數(shù)據(jù)之前,首選要判斷FLASH中將要存儲數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)塊是否為有效塊,如果當(dāng)前數(shù)據(jù)塊為壞塊,則系統(tǒng)將數(shù)據(jù)塊地址加1,跳過當(dāng)前數(shù)據(jù)塊,然后判斷下一數(shù)據(jù)塊是否有效,直到找到有效的數(shù)據(jù)塊為止。系統(tǒng)通過將數(shù)據(jù)塊地址與壞塊列表中的信息進行比較,來判斷當(dāng)前數(shù)據(jù)塊是否有效。當(dāng)跳過壞塊后,系統(tǒng)會同時更新當(dāng)前文件的文件信息的內(nèi)容,記錄跳過的壞塊個數(shù),保證文件能準(zhǔn)確導(dǎo)入到SD卡中。

        5 系統(tǒng)軟件實現(xiàn)

        系統(tǒng)的下位機程序采用C語言編寫,主要包含數(shù)據(jù)采集、FLASH數(shù)據(jù)存儲、EEPROM數(shù)據(jù)存儲、SD卡文件存儲、實時時鐘讀寫等功能模塊。系統(tǒng)的上位機軟件采用Visual Basic編寫,主要用于設(shè)置下位機的參數(shù)和分析處理采集到的數(shù)據(jù)。

        在數(shù)據(jù)采集模塊中,下位機通過SCI模塊接收串口傳輸過來的數(shù)據(jù),使用中斷服務(wù)子程序?qū)⒉杉降臄?shù)據(jù)存入下位機的內(nèi)部緩存中,同時更改數(shù)據(jù)緩存是否已滿的標(biāo)志,通知系統(tǒng)及時切換數(shù)據(jù)緩存和存儲已采集的數(shù)據(jù)。

        在FLASH數(shù)據(jù)存儲模塊中,系統(tǒng)主要通過循環(huán)結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了數(shù)據(jù)的流水線存儲,為了支持多于8 KB的數(shù)據(jù)存儲,在向各片K9F4G08U0A中加載數(shù)據(jù)之前,都要先讀芯片的狀態(tài)寄存器,判斷上一次加載的數(shù)據(jù)是否保存成功,然后依次加載數(shù)據(jù)。所有數(shù)據(jù)都加載完畢后,系統(tǒng)會再次讀芯片的狀態(tài)寄存器,確保最后一次加載的數(shù)據(jù)成功保存。系統(tǒng)使用了交錯頁編程功能,無法通過讀R/B信號來判斷各片K9F4G08U0A內(nèi)部頁編程是否執(zhí)行完畢,需要分別是用0xF1和0xF2指令,同時配合兩個片選信號R/B1和R/B2,來讀各片K9F4G08U0A的狀態(tài)寄存器,根據(jù)返回值的第6位(I/O6)判斷內(nèi)部頁編程是否執(zhí)行完畢,根據(jù)第0位(I/O0)判斷頁編程是否成功。

        如果FLASH在頁編程過程中,出現(xiàn)了編程失敗的情況,為了不影響數(shù)據(jù)的采集過程,下位機會先將數(shù)據(jù)備份到FLASH中的數(shù)據(jù)備份區(qū),同時更新壞塊信息和文件信息,等待數(shù)據(jù)采集完畢之后,再重新處理備份的數(shù)據(jù)。NAND FLASH的制造廠商保證FLASH第0塊為有效塊,所以系統(tǒng)選擇FLASH的第0塊的前30頁用于存儲文件信息,后34頁作為數(shù)據(jù)備份區(qū)。該系統(tǒng)有2片K9K8G08U0A,所以有兩個物理地址為0的塊,可以選擇兩個數(shù)據(jù)塊,用于存儲文件信息和備份數(shù)據(jù)。為了防止第0塊在使用過程中變?yōu)閴膲K,第0塊中的所有數(shù)據(jù)都得在第1塊中備份,系統(tǒng)每次上電都要比較兩塊中的數(shù)據(jù)。系統(tǒng)的FLASH數(shù)據(jù)存儲流程圖如圖5所示。

        在SD卡文件存儲模塊中,系統(tǒng)通過下位機的SPI模塊實現(xiàn)了對SD的初始化及讀寫等操作[4,9-10]。同時,系統(tǒng)移植了FatFs文件系統(tǒng),支持Fat32文件系統(tǒng)格式,使得下位機創(chuàng)建的文件可以直接被上位機識別,方便了上位機的數(shù)據(jù)處理過程。

        6 系統(tǒng)驗證

        該車載數(shù)據(jù)采集處理系統(tǒng)應(yīng)用在某型號AMT重型車輛上,通過與自動變速器ECU的串口通訊,進行了自動變速器控制參數(shù)的數(shù)據(jù)采集。在采集過程中,通過下位機的定時器測得,采用流水線存儲技術(shù)后,F(xiàn)LASH的單頁平均編程時間可以至少縮短200 μs.某次采集所得的數(shù)據(jù)經(jīng)過文件格式轉(zhuǎn)換后,根據(jù)數(shù)據(jù)采集的通訊協(xié)議,在上位機軟件中顯示如圖6所示。TY為變速器選位行程;TX為換檔行程;NE為發(fā)動機轉(zhuǎn)速;N1為變速箱輸入軸轉(zhuǎn)速;N2為變速箱輸出軸轉(zhuǎn)速;LC為離合器行程;LTH為油壓;LPH為油門踏板位置;PWM為占空比。

        圖6 數(shù)據(jù)顯示與分析界面

        7 結(jié)束語

        文中設(shè)計了基于NAND FLASH的車載數(shù)據(jù)采集存儲系統(tǒng),認(rèn)真分析了K9WAG08U1A的內(nèi)部結(jié)構(gòu),運用了流水線技術(shù)實現(xiàn)了數(shù)據(jù)的快速存儲。通過大量隨車實用表明,系統(tǒng)硬件合理、可靠,軟件功能豐富、實用,滿足車輛變速控制系統(tǒng)對數(shù)據(jù)采集存儲系統(tǒng)的使用要求。

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