1891年美國(guó)人艾奇遜在進(jìn)行電熔金剛石實(shí)驗(yàn)時(shí)偶然生成一種新的碳化物——碳化硅（SiC）。兩年后，艾奇遜研究出工業(yè)冶煉碳化硅的方法，并被一直沿用至今。

1905年

人們第一次在隕石中發(fā)現(xiàn)碳化硅。

1907年

英國(guó)科學(xué)家Henry Joseph Round發(fā)現(xiàn)在施加電流時(shí)，SiC晶體會(huì)出現(xiàn)發(fā)光現(xiàn)象。同年，第一只SiC晶體發(fā)光二極管誕生。

1927年

俄羅斯科學(xué)家Oleg Lossew再次觀察到光發(fā)射“Round效應(yīng)”。

1935年

法國(guó)科學(xué)家Georges Destriau發(fā)表了一份SiC粉末通電發(fā)光現(xiàn)象的報(bào)告，他將這一效應(yīng)命名為“Lossew光”，并提出了“電致發(fā)光現(xiàn)象”這一術(shù)語(yǔ)。

1955年

隨著半導(dǎo)體物理學(xué)和半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展，“電致發(fā)光現(xiàn)象”在理論和技術(shù)上取得重大突破，SiC成為重要的電子材料。

1962年

GE公司使用磷砷化鎵材料制成紅色發(fā)光二極管。這是第一顆可見光LED，被視為“現(xiàn)代LED之祖”。

1965年

磷砷化鎵紅光LED實(shí)現(xiàn)商業(yè)化生產(chǎn)。

1968年

出現(xiàn)氮摻雜砷化鎵的LED。

20世紀(jì)70年代

出現(xiàn)磷化鎵綠光LED和碳化硅黃光LED。新材料的使用提高了LED的發(fā)光效率，并將LED的發(fā)光光譜擴(kuò)展到紅光、橙光、黃光和綠光。

1989年

日本科學(xué)家赤崎勇和天野浩首次成功研發(fā)出藍(lán)光LED。

1993年

日亞化學(xué)工業(yè)公司的中村修二等人開發(fā)出首個(gè)明亮的藍(lán)色氮化鎵LED，隨后用氮化銦鎵半導(dǎo)體制出超高亮的紫外藍(lán)光和綠光LED，用磷化鋁鎵銦半導(dǎo)體制出超高亮紅光和黃光。中村修二還設(shè)計(jì)、制造出白光LED并憑此獲得2014年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。

1999年

輸入功率達(dá)1W的LED實(shí)現(xiàn)商業(yè)化生產(chǎn)。

2006年

白光LED的光效達(dá)到130流明/瓦，成為僅次于氣體放電燈的高效率電光源。

2013年

白光LED的實(shí)驗(yàn)光效達(dá)到300流明/瓦，是50年前LED光效的數(shù)千倍，成為效率最高的電光源。