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        SnS2納米片/氧化石墨烯復(fù)合材料的制備及其光催化性能研究

        2013-12-22 06:32:45胡軍成陶方琪于娟娟周賢龍魏仁杰
        關(guān)鍵詞:含氧空穴基團

        胡軍成,楊 偉,陶方琪,于娟娟,羅 曼,周賢龍,魏仁杰,米 倩

        (中南民族大學(xué) 催化材料科學(xué)湖北省暨國家民委-教育部共建重點實驗室,武漢 430074)

        近年來,TiO2作為光催化劑降解有機染料已成為研究的焦點,但由于TiO2帶隙較寬(3.2 eV),只能在紫外光下表現(xiàn)出較高的活性,對波長大于420 nm的可見光不響應(yīng)[1],這一缺陷限制了TiO2的使用范圍.而SnS2作為一種n型半導(dǎo)體材料,能隙較窄(2.46 eV),對可見光有吸收,能更好地利用太陽光,克服了TiO2缺陷,因此被開發(fā)用作理想的光催化材料[2],其催化活性與SnS2納米片的形貌、尺寸、結(jié)晶度、表面活性和缺陷有很大關(guān)系,其中最直接的影響因素是反應(yīng)條件和合成方法[3].

        氧化石墨烯(GO)具有準二維層狀結(jié)構(gòu),片層上富含的大量·OH、·COOH、·C=O、環(huán)氧基等極性含氧官能團,賦予了其諸多化學(xué)活性點,易與具有較高表面活性的納米硫化物結(jié)合生成硫化物/GO納米復(fù)合材料[4].由于GO充當了電子的傳導(dǎo)者和接受者,光誘導(dǎo)產(chǎn)生的空穴-電子對存在的壽命被延長,而空穴的存在是光氧化反應(yīng)的核心,故空穴存在時間越長,催化活性越高[5]. GO可以采用廉價的石墨來制備[6],是一種比較理想的光催化劑摻雜材料.

        基于SnS2在降解有機污染物方面的光催化活性和GO作為摻雜材料表現(xiàn)出來的獨特復(fù)合效應(yīng),本文設(shè)計并合成了SnS2納米片/GO復(fù)合材料,研究了不同GO摻雜量、不同反應(yīng)時間得到的復(fù)合材料和純SnS2在可見光下降解甲基橙溶液的性能.

        1 實驗部分

        1.1 主要試劑與儀器

        SnCl4·5H2O,硫脲(國藥集團化學(xué)試劑有限公司),二次蒸餾水,無水乙醇,甲基橙(天津市科密歐化學(xué)試劑有限公司)

        氙燈光降解裝置(XQ-350W可調(diào)型,藍晟電子有限公司),紫外-可見分光光度計(Lambda 35型,美國珀金/埃爾默公司),水熱反應(yīng)釜(PCF05-10型,招遠松嶺儀器設(shè)備有限公司),低溫冷卻液循環(huán)泵(DLSB-5L/25型,予華儀器有限公司),恒溫油浴槽(DF-101S型,東璽制冷儀器有限公司),透射電子顯微鏡(Tecnai G20型,荷蘭FEI公司),X-射線衍射儀(D8型,德國BRUKER公司),傅立葉紅外光譜儀(Nicolet Nexus 470型,美國Thermo Nicolet公司).

        1.2 氧化石墨的制備

        該制備過程分為預(yù)處理、低溫、中溫、高溫4步.預(yù)處理階段在100 mL小燒杯中加入7.5 mL 濃H2SO4,2.5 g K2S2O8,2.5 g P2O5,當混合液溫度到80℃時,加入5 g 石墨粉,攪拌3 h至均勻的濃稠漿液,冷卻至室溫,過濾洗滌,調(diào)pH至中性,烘箱中干燥備用.向三頸燒瓶中加入46 mL濃H2SO4、5 g預(yù)處理的石墨粉,再緩慢加入15 g KMnO4,使用循環(huán)冷卻泵控制反應(yīng)液溫度在0℃以下,攪拌反應(yīng)2 h得墨綠色的粘稠液,完成低溫反應(yīng). 將低溫反應(yīng)的燒杯置于約35℃的恒溫水浴中,攪拌保溫3 h,得褐色混合液,完成中溫反應(yīng).再加入100 mL去離子水,控制反應(yīng)溫度在98 ℃以下,繼續(xù)攪拌30 min,高溫反應(yīng)結(jié)束,得棕黃色濃稠液,加入20 mL 30% H2O2,再用5% HCl、去離子水洗滌、離心,直至混合液成中性.干燥后研磨得到GO粉末.

        1.3 SnS2和SnS2/GO復(fù)合材料的制備

        稱取1.218 g硫脲置于100 mL燒杯中,滴加50 mL去離子水溶解后加入1.4024 g SnCl4·5H2O,磁力攪拌得均勻的混合液. 另稱取36.6 mg GO溶于30 mL去離子水中,超聲分散20 min后將上述2種溶液混合均勻,攪拌2 h后,將所得到的懸浮液轉(zhuǎn)移至水熱反應(yīng)釜中,180 ℃烘箱內(nèi)反應(yīng)24 h,取出反應(yīng)釜于通風櫥內(nèi)自然冷卻至室溫,移出產(chǎn)物,用乙醇和去離子水分別洗滌3次并過濾至濾液變?yōu)闊o色.再將產(chǎn)物置于60 ℃的烘箱中干燥12 h,所得產(chǎn)物即為 SnS2-5% GO復(fù)合材料.

        其他條件不變改變GO的用量0,18.8,73.2 mg得到產(chǎn)物分別標記為SnS2,SnS2-2.5% GO,SnS2-10% GO. 控制GO與SnS2的質(zhì)量比為5%不變,改變反應(yīng)時間12,36 h測試.

        1.4 不同催化劑的光催化性能實驗

        配制50 mL的20 mg/L甲基橙溶液,加入50 mg的催化劑,超聲分散10 min后,暗室中攪拌3 h使甲基橙吸附在催化劑表面并達到吸附平衡. 取出安裝在磁力攪拌器上, 同時通入冷凝水,打開氙燈光降解儀,用可見光(λ>420 nm)照射. 每隔10 min取一次樣,過濾出催化劑,直至濾液基本無色時再多取1次樣. 使用紫外可見分光光度計對所得濾液進行光譜分析.

        2 結(jié)果與討論

        2.1 X射線粉末衍射(XRD)

        GO和純SnS2的XRD衍射圖譜見圖1.圖1(a)中10.9°、 42.7°處的衍射峰分別對應(yīng)(001)、(100)晶面,為GO的特征峰. 由布拉格方程算得 GO的層間距為0.886 nm,較氧化石墨層間距更大,證明所得的產(chǎn)物為氧化石墨烯,而不是氧化石墨. 圖1(b)中15.0 °、28.3 °、30.4°、32.2 °、42.0 °、46.3°、50.1 °、52.6 °、60.8 °等處的峰剛好與六方相SnS2(JCPDS No: 83-1075)晶體的(001)、(100)、(002)、(011)、(012)、(003)、(110)、(111)、(201)晶面相符,且圖譜上沒有雜質(zhì)峰,各個產(chǎn)物的各晶面衍射峰較強,較尖銳,說明產(chǎn)物結(jié)晶生長較為完善,純度較高.

        不同GO摻雜量和不同反應(yīng)時間制備的SnS2/GO復(fù)合材料的XRD圖譜分別見圖2和圖3. 由圖2、圖3可見,所有產(chǎn)物的峰均與六方相SnS2(JCPDS No: 83-1075)晶體的各個晶面相吻合,且沒有雜質(zhì)峰,表明改變GO的摻雜量和反應(yīng)時間,復(fù)合材料中的SnS2均為純的六方相.

        2θ(°)

        2θ(°)

        2θ(°)

        2.2 紫外可見固體漫反射 (UV-Vis DRS)

        為研究SnS2/GO復(fù)合材料的光吸收性能,用UV-Vis在200~800 nm范圍內(nèi)對純SnS2和SnS2/GO復(fù)合材料樣品進行漫反射測試,結(jié)果見圖4.由圖4可知,當λ>485 nm時,SnS2/GO復(fù)合材料相比純SnS2表現(xiàn)出更強的吸光性能,為光催化反應(yīng)提供更多的光生載流子,說明GO的加入對提高SnS2光催化性能有較大的影響.

        λ/nm

        2.3 紅外光譜分析(IR)

        GO、SnS2/GO復(fù)合材料和純SnS2的紅外光譜圖見圖5.由圖5 (a)可見,GO在3425 cm-1附近出現(xiàn)了較強的C-OH和-OH基團伸縮振動特征吸收峰,在1719 cm-1附近出現(xiàn)了羰基C=O的伸縮振動特征吸收峰,在1628 cm-1附近出現(xiàn)較強的·OH基團彎曲振動特征吸收峰,1389 cm-1附近是水的-OH的彎曲振動吸收峰,均表明GO片層存在豐富的極性含氧基團.由圖5(b)、(c)可見,SnS2/GO復(fù)合材料在3425 cm-1、1719 cm-1、1628 cm-1等處的特征吸收峰強度明顯降低,而純SnS2沒有明顯的特征紅外吸收峰,說明在水熱條件下,GO片間發(fā)生剝離,部分含氧基團脫落,同時SnS2納米粒子發(fā)生擴散進入GO片層間,與上面的含氧基團逐漸絡(luò)合,并隨著反應(yīng)的進行形成新的晶型[7].

        σ/cm-1

        2.4 透射電子顯微鏡(TEM)

        GO、純SnS2、SnS2/GO復(fù)合材料的TEM結(jié)果見圖6. 由圖6 (a)可見,經(jīng)氧化后的石墨保持了片層結(jié)構(gòu).圖6(b)為以硫脲和SnCl4·5H2O 為原料,水為反應(yīng)介質(zhì),180℃反應(yīng)24 h合成的純SnS2,它具有規(guī)則的六邊形納米片狀結(jié)構(gòu),邊長約為200~250 nm,厚度約為20 nm,左上角可見SnS2納米片組裝在一起形成的團簇狀結(jié)構(gòu).圖6(c)為SnS2/GO復(fù)合材料,圖中一片連續(xù)的淺色片狀結(jié)構(gòu)即為GO片,表面上負載有片狀的SnS2,說明GO和SnS2結(jié)合的比較緊密,有助于提高光催化活性.

        GO表面被多種極性含氧官能團修飾,使其層間距增大,在水熱條件下容易剝離,層間距進一步增大,極性含氧基團的存在,使錫離子可以物理吸附的方式結(jié)合在這些活性點上.在較高的溫度下,溶劑中硫脲釋放出的硫離子與錫離子發(fā)生反應(yīng),在這些活性點上原位生成了硫化錫納米顆粒,由于GO為SnS2的結(jié)晶提供了良好的平臺,促進結(jié)晶成核過程[8],硫化錫的生長促進GO進一步被剝離,形成新的晶型,兩者是相輔相成的關(guān)系.

        a)GO;b)純SnS2;c)SnS2/GO復(fù)合材料

        3.4 催化劑對甲基橙光降解性能

        為研究GO的加入對SnS2光催化活性影響,采用紫外可見分光光度計分別對純SnS2和SnS2/GO復(fù)合材料降解染料所得的濾液定量分析,結(jié)果見圖7.如圖7(a)所示,純SnS2降解20 mg/L甲基橙時,110 min可降解完全.圖7(b)中摻雜5%GO反應(yīng)36 h的SnS2/GO復(fù)合材料作催化劑時,25 min 時即可將20 mg/L的甲基橙降解完全. 對比可知,GO的加入使光降解活性顯著增強.

        不同催化劑對甲基橙的降解曲線如圖8所示.由圖8可知,隨著GO摻雜量的增加,復(fù)合效應(yīng)逐漸增強,SnS2/GO復(fù)合材料的光催化活性也隨之增大,但當GO用量過大時,引起光散射,導(dǎo)致光量子效率下降,催化活性反而下降,當GO與SnS2質(zhì)量比為5%時達最佳值. 水熱反應(yīng)時間對對樣品的光催化性能也有很大的影響,當反應(yīng)時間為36 h時,催化活性較佳,25 min即可將染料降解完全.

        λ/nm λ/nm

        推測SnS2/GO復(fù)合材料的降解機理如下:在可見光照射下,在SnS2納米粒子價帶上的電子較為活躍,獲得足夠的能量進入導(dǎo)帶,在價帶上留下電子空穴,而SnS2和GO結(jié)合得較緊密,故這些被光誘導(dǎo)的電子很容易被轉(zhuǎn)移到GO片上,阻止了電子和空穴的重新復(fù)合[4],保證空穴具有一定相對的穩(wěn)定性,吸附在催化劑表面的甲基橙被這些空穴氧化.GO的存在促進了SnS2的結(jié)晶過程,使得SnS2的結(jié)晶度提高,催化活性提高.

        t/min

        4 結(jié)論

        (1)采用Hummers液相氧化法制備了GO,GO片層存在豐富的極性含氧基團,這些活性基團可與SnS2納米粒子絡(luò)合形成復(fù)合材料.

        (2)以水為介質(zhì),采用硫脲作為硫源,通過水熱法一步合成SnS2/GO復(fù)合材料. 并初步推測了SnS2納米粒子與GO復(fù)合是由于SnS2擴散進入發(fā)生剝離的GO片層間并與上面基團逐漸絡(luò)合而生成新的晶型.

        (3)通過純SnS2和SnS2/GO復(fù)合材料光降解性能的對比研究,說明GO的加入對提高光催化活性有顯著影響,當GO與SnS2質(zhì)量比為5%,反應(yīng)時間為36 h時,光催化性能較佳.

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