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        紫外LED光刻光源系統(tǒng)的研究進(jìn)展

        2013-12-04 03:26:06王國(guó)貴高益慶肖孟超羅寧寧
        照明工程學(xué)報(bào) 2013年2期
        關(guān)鍵詞:系統(tǒng)設(shè)計(jì)

        王國(guó)貴 高益慶 肖孟超 羅寧寧 王 彬 萬(wàn) 軍

        (南昌航空大學(xué),江西南昌 330063)

        1 引言

        進(jìn)入二十一世紀(jì),半導(dǎo)體工業(yè)在現(xiàn)今信息化時(shí)代起著極其重要的作用,光刻技術(shù)作為半導(dǎo)體工業(yè)的關(guān)鍵技術(shù)之一,隨著半導(dǎo)體產(chǎn)品的日益市場(chǎng)化,采用先進(jìn)的光刻技術(shù)來(lái)降低光刻成本和生產(chǎn)周期顯得尤其迫切,這就需要價(jià)格低廉高效率的光刻設(shè)備進(jìn)行加工[1]~[4]。目前,紫外 LED 光源系統(tǒng)具有體積小、光密度高、超長(zhǎng)壽命、冷光源、無(wú)輻射、發(fā)熱量少、瞬間點(diǎn)亮、無(wú)污染等優(yōu)點(diǎn),因此,在光刻設(shè)備領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景,對(duì)紫外LED光源系統(tǒng)進(jìn)行深入研究有著重要的實(shí)用價(jià)值。

        本文主要從光刻光源系統(tǒng)光學(xué)設(shè)計(jì)方面綜述了紫外LED光刻光源系統(tǒng)的最新研究進(jìn)展。從光刻光源系統(tǒng)設(shè)計(jì)過(guò)程和系統(tǒng)輸出光特性的綜合分析,得出了現(xiàn)有紫外LED光刻光源系統(tǒng)輸出的一些特性,且比較分析了各光學(xué)設(shè)計(jì)方法。同時(shí)歸納總結(jié)了紫外LED光源系統(tǒng)的分類,并簡(jiǎn)要闡述了紫外LED新型光源應(yīng)用于光刻技術(shù)優(yōu)越性,以期能為半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)的發(fā)展研究提供借鑒及參考。

        2 光刻光源系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)及紫外LED光刻光源的特點(diǎn)

        根據(jù)工作原理不同光刻機(jī)可以分為光學(xué)光刻機(jī)(可用波長(zhǎng)范圍從10nm到436nm)、電子束直寫光刻機(jī)和離子束光刻機(jī)。其中光學(xué)光刻技術(shù)最成熟,應(yīng)用最廣泛[5]。光刻光源系統(tǒng)是光學(xué)光刻機(jī)中的重要組成部分。

        光刻光源系統(tǒng)的功能是為光刻提供照明,主要包括光源、光能收集單元、濾光裝置、勻光單元、聚光單元等結(jié)構(gòu)。目前傳統(tǒng)光刻光源有汞燈、大功率紫外激光器、半導(dǎo)體紫外激光二極管等,最重要的常用紫外光源仍然是低壓及高壓汞 (Hg)燈,其在近紫外光波長(zhǎng)范圍 (350nm~450nm)有二條光強(qiáng)度較強(qiáng)的發(fā)射光譜線,即436nm(G-line)與365nm(I-line),應(yīng)用光刻時(shí)需要濾光裝置,光學(xué)系統(tǒng)相對(duì)復(fù)雜,汞的應(yīng)用還會(huì)污染環(huán)境。大功率紫外激光器如準(zhǔn)分子激光器具有光束模式好,但其有散斑的影響,占地面積大,可靠性有限,壽命短,高能耗,價(jià)格昂貴。然而,紫外LED光刻光源相對(duì)于傳統(tǒng)光刻光源具有光學(xué)系統(tǒng)簡(jiǎn)單、穩(wěn)定性好、壽命長(zhǎng)、能耗低、體積小、環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)。而且發(fā)光波譜窄,故在系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)不需要使用紫外濾光片,從而有效避免了使用濾光片帶來(lái)的吸收損耗造成的能量浪費(fèi)[12]。在紫外LED光源應(yīng)用于光刻的過(guò)程中,主要是光束整形光學(xué)系統(tǒng)的合理設(shè)計(jì)。

        3 紫外LED光刻光源系統(tǒng)的光學(xué)設(shè)計(jì)研究現(xiàn)狀

        3.1 面陣直照型

        2007年,日本S.Suzuki和Y.Matsumoto等人成功研究設(shè)計(jì)出用于曲面結(jié)構(gòu)制造的面陣直照型紫外LED光刻光源系統(tǒng)[6]。采用的 UV-LED型號(hào)為NS370L-5CFA,澆鑄在面體結(jié)構(gòu)平面內(nèi)不帶集光透鏡,平臺(tái)旋轉(zhuǎn)同時(shí)曝光,裝置如圖1所示。

        圖1 UV-LED陣列組成的曝光系統(tǒng)Fig.1 UV-LED array composed exposure system

        圖2 光源光能分布Fig.2 Light source light energy distribution

        上述光刻光源系統(tǒng)采用面陣直照方法,省去復(fù)雜光學(xué)設(shè)計(jì),系統(tǒng)結(jié)構(gòu)無(wú)光束勻光準(zhǔn)直整形單元,設(shè)計(jì)制作簡(jiǎn)單易行。單顆LED光源光能分布如圖2所示,光源系統(tǒng)的光輻照度完全由作用距離r決定,光源直照時(shí),光強(qiáng)衰減較大,因此該光源系統(tǒng)作用距離較短。且輻照面的光強(qiáng)均勻性完全由平臺(tái)的旋轉(zhuǎn)實(shí)現(xiàn)以及無(wú)任何集光勻光裝置,作用距離較近且光束發(fā)散偏大,因此該光源系統(tǒng)不具備勻光輸出功能。整個(gè)系統(tǒng)的橫向尺寸偏大導(dǎo)致作用視場(chǎng)較大。

        2011年,中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)王向賢等[12]提出一種基于紫外LED光源的光刻機(jī)的發(fā)明專利,結(jié)構(gòu)如圖3所示。

        圖3 紫外LED光源的光刻機(jī)Fig.3 A photoeching machine of UV-LED light source

        該基于紫外LED光源的光刻機(jī)結(jié)構(gòu)包括實(shí)現(xiàn)光束均勻輻照曝光的紫外LED光源光學(xué)系統(tǒng),控制曝光時(shí)間和相對(duì)輻照強(qiáng)度的發(fā)光控制器,光欄,光刻掩模板和光刻基片。由于紫外LED光源響應(yīng)時(shí)間短,曝光時(shí)間和曝光輻照度通過(guò)對(duì)光源系統(tǒng)本身的控制完成,不需要額外加入濾光片和光電快門。但此光源系統(tǒng)采用的是將紫外LED陣列排布在平面上,并在陣列前加透鏡,透鏡聚光效率低導(dǎo)致光能損耗大。

        3.2 光纖耦合型

        2007年底,由芯碩半導(dǎo)體 (中國(guó))有限公司設(shè)計(jì)了一種具有超高強(qiáng)度LED光源的無(wú)掩模直寫光刻機(jī)[13],結(jié)構(gòu)如圖4所示。

        圖4 具有超高強(qiáng)度LED光源的無(wú)掩膜直寫光刻機(jī)Fig.4 A maskless direct-writing photoetching machine of having ultra high strength LED light source

        該系統(tǒng)利用光纖進(jìn)行耦合,輸出光的能量集中,出光功率高。光束是由聚光透鏡耦合進(jìn)入光纖的,聚光透鏡集光有其局限性,使得光纖耦合效率很低,造成光能損耗嚴(yán)重。要達(dá)到超高強(qiáng)度出光功率只得依靠增加LED光源的數(shù)量,這樣就使得光纖耦合元件增多,且變芯光纖及合束裝置昂貴,合束裝置在現(xiàn)有市場(chǎng)上不易選購(gòu),加大系統(tǒng)的復(fù)雜性及成本的投入,不利于微型化。

        2009年重慶大學(xué)研究設(shè)計(jì)了一種紫外LED光纖光刻系統(tǒng)[4]。其中紫外LED光刻光源系統(tǒng)就是典型的光纖耦合型。光纖耦合結(jié)構(gòu)如圖5所示。

        此光刻光源系統(tǒng)采用多個(gè)微型耦合透鏡來(lái)耦合收集的光束,再把每根光纖耦合的光通過(guò)光纖合束器進(jìn)行光強(qiáng)疊加。這種光學(xué)結(jié)構(gòu)雖避免了用復(fù)雜的光學(xué)系統(tǒng)來(lái)進(jìn)行擴(kuò)束準(zhǔn)直、光束壓縮、耦合,但收集光使用的類CPC聚光鏡的全反射折射 (TIR)照明透鏡設(shè)計(jì)制作難度大,即使設(shè)計(jì)成功,加工出來(lái)也較困難,造價(jià)較大,不利于節(jié)約成本。采用TIR透鏡聚光耦合進(jìn)光纖的效率相對(duì)于上一種光纖耦合型有所提高。但輸出光斑較小,難于設(shè)計(jì)成特定形狀照明區(qū)域,光強(qiáng)均勻性還得靠后續(xù)整形實(shí)現(xiàn),不利于系統(tǒng)簡(jiǎn)化。

        圖5 光纖耦合結(jié)構(gòu)圖Fig.5 Fibre-optical coupling structure chart

        3.3 拋物面反射鏡集光光源系統(tǒng)

        在照明系統(tǒng)中,都會(huì)應(yīng)用拋物面反射鏡集光,與復(fù)眼透鏡陣列配合進(jìn)行勻光從而形成均勻照明光學(xué)系統(tǒng)[15]。這種結(jié)構(gòu)在紫外LED光刻光源系統(tǒng)同樣也可以應(yīng)用。光源系統(tǒng)結(jié)構(gòu)如圖6所示。

        圖6 拋物面反射鏡集光光源系統(tǒng)Fig.6 Parabolic reflect mirror concentrate light source system

        拋物面反射鏡收集光時(shí),出光方向平行反射鏡對(duì)稱軸,具有良好的準(zhǔn)直光束性能,雖出射光強(qiáng)不均勻,但平行出射光通過(guò)復(fù)眼透鏡陣列進(jìn)行勻光效果顯著。其缺點(diǎn)就是出射口徑較大,不利用于小面積區(qū)域照明,LED發(fā)光方向正對(duì)出射口放在焦點(diǎn)處時(shí)準(zhǔn)直光束效率低,背對(duì)出射口放在焦點(diǎn)處,出射中心光被LED本身?yè)踝《儼?。這是應(yīng)該考慮的實(shí)際問(wèn)題。

        3.4 矩形復(fù)合拋物面 (RCPC)反射鏡集光光源系統(tǒng)

        RCPC可用在光源系統(tǒng)光學(xué)設(shè)計(jì)中[17],結(jié)構(gòu)圖如圖7所示。

        圖7 矩形復(fù)合拋物面集光光源系統(tǒng)Fig.7 Rectangle compound parabolic concentrate light source system

        利用RCPC對(duì)紫外LED進(jìn)行集光,可以控制出光方向與光軸的角度,達(dá)到近似準(zhǔn)直效果,也可以根據(jù)光源發(fā)光面的形狀和照明面的形狀和尺寸進(jìn)行調(diào)節(jié),提高了設(shè)計(jì)的靈活性。由于RCPC的出射口是個(gè)矩形,其排列可做到無(wú)縫拼接,且與照明面形狀相似,具有高能量利用率。但其整個(gè)系統(tǒng)加工工藝的難度大,成本高。

        3.5 非球面光學(xué)元件勻光準(zhǔn)直光源系統(tǒng)

        非球面光學(xué)元件作為光束整形器件[19],廣泛應(yīng)用于光源系統(tǒng),如圖8所示。

        圖8 非球面光學(xué)元件光束整形系統(tǒng)Fig.8 Aspheric surface optical element beam shaping system

        據(jù)圖8可知,非球面1起到勻光作用,非球面2起到準(zhǔn)直光作用,整個(gè)非球面柱透鏡具有勻光和準(zhǔn)直光束功能??梢詫?shí)現(xiàn)高精度的準(zhǔn)直勻光效果,可以作為照明光束高效率整形的特殊元件,但其也有局限性,如對(duì)發(fā)散性光源的收集效率不高,由于其特性要求,不能與反射罩器件配合使用,光能利用率低,元件制作加工難度大。

        3.6 二元光學(xué)元件勻光準(zhǔn)直光源系統(tǒng)

        采用二元光學(xué)方法,設(shè)計(jì)理論上可以對(duì)LED光束進(jìn)行任意形狀的修正,可以在頻譜面上得到均勻、圓對(duì)稱的光強(qiáng)分布[20],結(jié)構(gòu)圖如圖9所示。

        光束整形過(guò)程如圖9所示,LED發(fā)出的光波經(jīng)過(guò)BOE位相調(diào)制后變?yōu)?/p>

        圖9 二元光學(xué)元件光束整形示意圖Fig.9 Binary Optical Elements beam shaping sketch

        其中φ(x,y)是BOE的透過(guò)率函數(shù)經(jīng)過(guò)菲涅耳衍射(近場(chǎng)近似),在輸出面上得到 G(u,v) =是輸出面上的位相分布函數(shù),通過(guò)定義頻譜面上的目標(biāo)函數(shù)G(u,v)來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)光束的整形要求,如果要求通過(guò)BOE后在頻譜面(u,v)上得到一個(gè)均勻的、準(zhǔn)直的、對(duì)稱的圓形光斑,相應(yīng)的目標(biāo)函數(shù)可分別定義為

        其中:(μ0,v0)是頻譜面上圓形光斑中心坐標(biāo);R是光斑半徑。

        這樣可以在理論設(shè)計(jì)上達(dá)到精準(zhǔn)勻光和準(zhǔn)直光的要求。第一塊二元光學(xué)元件 (BOED)旨在對(duì)光源發(fā)出的光波進(jìn)行位相調(diào)制達(dá)到勻光目的,第二塊BOED具有準(zhǔn)直功能,其有高精度勻光準(zhǔn)直性能。目前光刻工藝一般都能達(dá)到此類二元光學(xué)元件的制作要求。

        4 結(jié)論

        紫外LED光刻光源在半導(dǎo)體工業(yè)及醫(yī)療領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景,各國(guó)學(xué)者也已在紫外LED應(yīng)用于光刻加工方面做了大量的研究工作,設(shè)計(jì)并制造了一些紫外LED光刻光源系統(tǒng)設(shè)備。由于紫外LED光束整形等方面的限制,目前紫外LED光刻光源系統(tǒng)的設(shè)計(jì)還是未盡人意,仍然有待改進(jìn),如輸出的光功率低、輻照面輻照度均勻性偏低,輻照視場(chǎng)小等,設(shè)計(jì)方法還有待完善。

        采用矩形CPC聚光器對(duì)紫外LED進(jìn)行聚光,大大提高了集光效率,并且以小出射角度來(lái)對(duì)光束進(jìn)行準(zhǔn)直,減少準(zhǔn)直透鏡的使用,以期能進(jìn)一步提高光源系統(tǒng)光的高穩(wěn)定輸出特性,在光源系統(tǒng)光學(xué)設(shè)計(jì)中是種新的思路,新光束整形方法,是對(duì)光學(xué)設(shè)計(jì)的另一種嘗試,為紫外LED光刻光源系統(tǒng)的光學(xué)設(shè)計(jì)提供有益借鑒。采用BOE對(duì)紫外LED發(fā)光光束整形,大大提高了勻光、準(zhǔn)直光的精確度,能更好的符合光刻要求。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,紫外LED光刻光源系統(tǒng)在半導(dǎo)體工業(yè)及微納加工領(lǐng)域中的地位越來(lái)越重要。為了使光源系統(tǒng)輸出光的特性更佳,還有許多問(wèn)題需要探討、研究與解決。

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