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        淺談離子注入機(jī)的維護(hù)

        2013-10-08 03:04:12何科峰
        中國(guó)科技信息 2013年18期
        關(guān)鍵詞:機(jī)設(shè)備離子注入離子源

        何科峰

        中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所

        前言

        半導(dǎo)體生產(chǎn)摻雜把雜質(zhì)引入硅中,改變它的電學(xué)性能,這能夠通過(guò)離子注入或擴(kuò)散實(shí)現(xiàn)。離子注入有眾多優(yōu)點(diǎn),已大規(guī)模取代了擴(kuò)散。離子注入是個(gè)物理過(guò)程,需要使用注入設(shè)備,所以離子注入機(jī)是半導(dǎo)體工藝中最常見(jiàn)的摻雜工具,它也是半導(dǎo)體工藝中最復(fù)雜的設(shè)備之一。注入設(shè)備主要有6個(gè)子系統(tǒng):離子源、吸極、離子分析器、加速管、掃描系統(tǒng)和工藝腔。其工作過(guò)程大致是:離子源產(chǎn)生注入的離子,吸極把離子從源中提取出來(lái),分析磁鐵把所需離子與其他離子分離出來(lái)。加速器將雜質(zhì)加速,通過(guò)掃描系統(tǒng)把他射向硅片。離子注入機(jī)設(shè)備涉及物理、電氣、機(jī)械、自動(dòng)控制等多門類多學(xué)科的知識(shí)。

        1 各類離子注入機(jī)故障檢查及排除

        離子注入機(jī)設(shè)備的平均無(wú)故障工作時(shí)間(MTPF)大致就是50小時(shí)。由于許多國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體廠家及科研院所從成本方面考慮,大多數(shù)離子注入機(jī)都是從國(guó)外引進(jìn)的二手設(shè)備。所以設(shè)備的故障率更高,注入機(jī)設(shè)備的穩(wěn)定工作需要維護(hù)人員不定期進(jìn)行維修和保養(yǎng)。

        離子注入機(jī)設(shè)備的故障大致分為:部件老化、電源故障、真空問(wèn)題、系統(tǒng)沾污?,F(xiàn)在就這幾個(gè)類型的故障做簡(jiǎn)單的分析,并結(jié)合在維修中遇到的實(shí)例加以說(shuō)明。

        1.1 部件老化

        正是由于國(guó)內(nèi)的離子注入機(jī)大多是引進(jìn)國(guó)外生產(chǎn)線下線的二手設(shè)備,所以其部件老化的問(wèn)題是經(jīng)常遇到的設(shè)備故障。從真空部件如泵、閥門、管道等到一些控制單元甚至是一些元器件,都是有可能引發(fā)故障的因素。例如機(jī)械泵老化抽氣能力下降,這需要清理泵的內(nèi)部及更換內(nèi)部的易損件,或者直接更換泵;高低電位控制用的光纖使用時(shí)間過(guò)久,光纖頭被污物遮住無(wú)法處理,導(dǎo)致選擇源氣、燈絲電流調(diào)節(jié)等信號(hào)紊亂。單個(gè)的元器件老化導(dǎo)致設(shè)備不能正常工作的故障也有很多,現(xiàn)舉兩個(gè)實(shí)例:1)VarianE1000大束流離子注入機(jī)的靶室傳片系統(tǒng)中有一傳片小車,在傳片過(guò)程中突然失控,以很快的速度來(lái)回?zé)o規(guī)則運(yùn)動(dòng),經(jīng)過(guò)初步判斷是控制小車運(yùn)動(dòng)的編碼電機(jī)有故障。由于小車是在傳片過(guò)程中需要經(jīng)常來(lái)回運(yùn)動(dòng)的部件,運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生的震動(dòng)使編碼電機(jī)的編碼盤松動(dòng),已經(jīng)劃壞,所以致使控制小車的信號(hào)紊亂,更換編碼電機(jī)后恢復(fù)正常工作。2)Varian的中束流離子注入機(jī)CF5正常引束操作,先進(jìn)行掃描調(diào)整時(shí)能看到束流和波形,當(dāng)切換到注入檔時(shí),劑量處理器(Dose processor)不能接收到束流也無(wú)掃描波形。分析故障可能是X掃描無(wú)DCoffset信號(hào)或者Y掃描無(wú)BeamGate信號(hào)。根據(jù)圖1判斷故障來(lái)自劑量處理器的BeamGate信號(hào)沒(méi)有輸出給Wayflow control。檢查Dose processor輸出BeamGate信號(hào)的三極管c1214已燒壞,更換一個(gè)新的c1214還是燒壞,再檢查c1214的輸出負(fù)載是到Wayflow control上的一個(gè)繼電器,檢查繼電器正常。但發(fā)現(xiàn)繼電器K1的插座有短路現(xiàn)象,更換一新的插座后不再燒c1214,再引束,劑量處理器正常工作。一個(gè)部件甚至一個(gè)元器件損壞或失效都可能導(dǎo)致設(shè)備的不正常工作,所以維修時(shí)需要仔細(xì)地分析判斷問(wèn)題。

        圖1

        1.2 電源故障

        電器設(shè)備是注入機(jī)的重要組成部分,它的質(zhì)量對(duì)于注入機(jī)實(shí)現(xiàn)大面積均勻注入,保證離子注入機(jī)大批量生產(chǎn)的重復(fù)性和機(jī)器運(yùn)行的穩(wěn)定可靠,均具有重要意義。其中電源又是電器設(shè)備的主要組成部分,注入機(jī)的主要電源有高壓電源、吸極電源、燈絲電源、磁分析器電源、掃描電源等。進(jìn)行電源的檢修時(shí)需要注意電源的負(fù)載是否正常,先分析直流電路,在搞懂各單元電路的工作原理,再進(jìn)行穩(wěn)壓或穩(wěn)流過(guò)程的分析。實(shí)例1:在使用Varian的中束流機(jī)DF4時(shí)發(fā)現(xiàn)燈絲電源失控,即電源一打開(kāi)電流就加到最大值,導(dǎo)致燈絲電源的兩個(gè)功率推動(dòng)管MJ10007燒毀。先將離子源進(jìn)行清潔和更換燈絲,排除了負(fù)載的原因,再換上新的MJ10007重點(diǎn)檢查電源。該電源是典型的脈寬調(diào)整式開(kāi)關(guān)電源,框圖如圖2。

        圖2

        首先斷開(kāi)主回路,用示波器測(cè)量A1,A2兩部分對(duì)應(yīng)各點(diǎn)的波形,通過(guò)調(diào)節(jié)控制信號(hào)觀察脈寬發(fā)生器的波形的改變,發(fā)現(xiàn)控制板的波形正常。測(cè)得電流反饋點(diǎn)在加負(fù)載到100A時(shí)的波形并沒(méi)有打開(kāi),只有一段很窄的高電平,判斷是新?lián)Q的MJ10007仍舊不行。選用新購(gòu)的MJ10007實(shí)驗(yàn),恢復(fù)正常。實(shí)例2:Varian的大束流機(jī)160-10,使用中發(fā)現(xiàn)注入后晶片的方塊電阻Rs偏大,即注入劑量不足。在排除不是不當(dāng)退火的原因后,分析判斷是有二次電子(secondary electrons)所產(chǎn)生的假束流導(dǎo)致劑量偏差,那么極有可能是抑制二次電子的抑制電源BIAS(1KV)沒(méi)有正常工作,維修抑制電源后1KV加在BIAS上能有效的抑制注入時(shí)產(chǎn)生的二次電子,設(shè)備恢復(fù)正常。

        1.3 真空問(wèn)題

        注入機(jī)設(shè)備系統(tǒng)的真空好壞,是進(jìn)行整機(jī)調(diào)試的基礎(chǔ)也是影響均勻性指標(biāo)的重要因素。系統(tǒng)的真空度一般要優(yōu)于1X10-5托(毫米水銀柱),注入靶室的真空度要求優(yōu)于1X10-6托。特別是一些在生產(chǎn)線上使用了多年的注入機(jī),真空問(wèn)題尤為突出。在維修和保養(yǎng)過(guò)程中,潔凈的無(wú)塵紙和酒精及真空檢漏儀是需經(jīng)常用到的工具和設(shè)備,一些老化的密封圈特別在真空鎖用到的空氣密封部件,要定期進(jìn)行更換才能保證使用可靠。實(shí)例:EATON的大束流注入機(jī)NV10-160的靶室真空低于4X10-5托,利用真空檢漏儀檢查,發(fā)現(xiàn)機(jī)械掃描的靶室其滑動(dòng)密封的內(nèi)層密封圈由于有碎片和污物滑傷密封圈,導(dǎo)致真空漏氣。打開(kāi)清理和換密封圈后恢復(fù)正常。

        1.4 系統(tǒng)沾污,糾正措施

        離子束中的沾污問(wèn)題是在使用設(shè)備中常遇到的問(wèn)題。有以下幾種可能的原因:

        a.離子源沾污 可能造成離子源玷污的因素:

        1)離子源是否被沾污

        2)真空系統(tǒng)是否漏氣

        3)源材料是否滿足純度要求。

        b.質(zhì)量分析之前離子束沾污 吸極和分析器之間的區(qū)域不是玷污的重要來(lái)源,但要檢查真空是否漏氣

        c.質(zhì)量分析中造成的沾污 質(zhì)量分析器的窄縫過(guò)窄,不能把其他種類的離子全部排除。例如使用磷化氫作為源進(jìn)行磷注入可能會(huì)造成氫沾污

        d.質(zhì)量分離后的離子束沾污 殘余氣體與離子束反應(yīng),造成能量不正確的離子(能量沾污)。正確措施包括:

        1) 檢查真空系統(tǒng)是否漏氣

        2) 檢查能量過(guò)濾系統(tǒng)

        3) 檢查系統(tǒng)成分的金屬沾污。

        e.終端臺(tái)沾污 可能的沾污源有:

        1) 終端臺(tái)材料(如離子束撞擊電極的濺射金屬和摻雜)

        2) 來(lái)自光刻膠的堿性元素沾污

        3) 法拉第杯裝置的鋁

        4) 使用相同注入機(jī)的其他雜質(zhì)元素的交互沾污。

        2 結(jié)束語(yǔ)

        離子注入機(jī)作為半導(dǎo)體工藝中最復(fù)雜的設(shè)備之一,它的維修也是一項(xiàng)結(jié)合多門類學(xué)科知識(shí)的復(fù)雜工作,甚至需要結(jié)合維修者的經(jīng)驗(yàn)。結(jié)合實(shí)際問(wèn)題具體地去分析和判斷,這里只能粗略的結(jié)合幾個(gè)例子來(lái)探討,至于更細(xì)節(jié)的問(wèn)題這里不再論述。

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