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        熱分解法制備錫銻電極及其性能的研究

        2013-09-26 02:02:12姚穎悟
        電鍍與精飾 2013年1期

        周 濤,姚穎悟,王 楓

        (河北工業(yè)大學化工學院電化學表面技術研究室,天津 300130)

        引 言

        近年來,隨著工業(yè)的發(fā)展,有機廢水對環(huán)境的污染日益嚴重,各種處理有機廢水的方法也相繼應運而生,其中電化學降解法最受關注,而制備電極的不同方法則成為目前電化學方法研究的主要內容。電極的制備方法有多種,其中熱分解法以其獨特優(yōu)勢成為目前制備氧化物涂層電極最廣泛、最有發(fā)展前景的方法。其具體優(yōu)勢如下[1-4?:1)溶劑在較短時間揮發(fā),形成還原氣氛,一定程度減少高溫下氧化物的生成;2)工藝簡單,沒有繁瑣的制作過程,只需重復刷涂,烘干,煅燒即可;3)涂層結晶均勻,厚度可控??刂七m宜的溫度,溶劑以恒定的速率揮發(fā),使得結晶均勻;4)設備簡單,不需要價格昂貴的設備;5)提高了催化活性,由于在煅燒過程中,電極表面形成許多裂紋,增加了電極比表面積,也即增加了其電催化活性。

        本文以熱分解法制備鈦基錫銻氧化物電極,考察了涂液濃度、錫銻比、燒結溫度和燒結時間等條件對電極性能的影響,選定適宜參數,制備出表面形貌良好的Ti/SnO2摻雜銻氧化物陽極,并通過電解甲基橙,考察了錫銻氧化物電極的性能。

        1 實驗部分

        1.1 試劑及儀器

        實驗所用試劑為 SnCl2·2H2O,SbCl3,正丁醇,鹽酸(36%),H2C2O4·2H2O(草酸),Na2SO4,NaOH,均為分析純試劑。儀器為箱式電阻爐,OLYMPUSSTM6金相顯微鏡,電子天平,722型紫外可見分光光度計,X-射線粉末衍射儀(德國BRUKER公司),鈦板(TA2)。

        1.2 基體預處理及電極制備

        將砂紙打磨后的TA2鈦片(尺寸為50mm×20mm×0.4mm)放入40%的NaOH溶液中在80℃除油1h,取出鈦片置于10%的草酸中80℃刻蝕120 min后,鈦片表面會出現(xiàn)均勻的灰麻面,取出并放入1%的草酸中保存待用。

        使用 SnCl2·2H2O、SbCl3、正丁醇及鹽酸(36%)配制不同濃度、不同錫銻比的涂液,靜置3d直到涂液變?yōu)闇\黃色即可用于涂敷。

        將蒸餾水洗過的鈦片用吹風機吹干,放入不同的涂液中1min后用鑷子取出,除去多余的涂液使基體表面形成均勻的涂液面,放入110℃烘箱中烘干后,轉入箱式電阻爐中使其充分氧化,重復10次,以得到性能良好的錫銻氧化物電極,最后一次在電阻爐中保持1h。

        1.3 電極表征

        通過金相顯微鏡觀察制得的錫銻電極的表面形貌。采用X-射線粉末衍射儀分析晶相結構,掃描范圍為10°~90°,掃描速度為5°/min。

        1.4 電極的電催化性能的表征

        以錫銻氧化物電極為陽極,鉛板為陰極,A為6cm2,極板間距 3.4cm,電流密度 3A/dm2,電解12mg/L甲基橙溶液,一定時間后測定甲基橙溶液的褪色率。模擬有機廢水的氧化降解過程,通過測定甲基橙溶液的褪色率,表征錫銻電極的電催化活性。甲基橙的濃度采用分光光度法測定。

        2 結果與討論

        2.1 涂液氯化亞錫濃度對電極制備的影響

        將不同濃度的氯化亞錫涂液刷涂在TA2鈦基體上,制得相應電極,用金相顯微鏡觀測電極的表面形態(tài)。結果表明,以SnCl2物質的量濃度計,當涂液c大于0.58mol/L時,在烘干過程中,由于正丁醇的迅速蒸發(fā),導致涂層嚴重起皮,即電極表面的結合力極差;隨著SnCl2濃度的減小,涂層顆粒在電極表面排列致密、均勻,無明顯“干泥”塊狀結構。但當c(SnCl2)低于0.24mol/L時,在金相顯微鏡下觀測烘干后的涂層,表面連續(xù)性差,分布不均。當c(SnCl2)為0.48mol/L時制得的電極表面平整,顆粒排列致密均勻。

        2.2 錫銻比對電極制備的影響

        控制錫元素的濃度為0.48mol/L,高溫燒結t為10min,燒結θ為550℃,分別制備n(錫)∶n(銻)為1∶1、4∶1、9∶1、40∶1、30∶1 和 20∶1 的電極。隨著錫銻比的增大,涂液濃度增大,制備的電極涂層的邊緣效應比較明顯,在金相顯微鏡下觀測到其表面有顆粒分布;當n(錫)∶n(銻)小于4∶1后,表面均勻致密性降低,表面呈疏松狀,有較大裂痕,邊緣效應嚴重。少量銻元素的加入,對電極的電催化性能有顯著影響,當摻入過量,其催化性能又會降低,因為銻元素太多,導致涂層的附著力下降,涂層疏松,部分脫落,不僅降低電極的使用壽命,也使其電催化活性降低。n(錫)∶n(銻)為9∶1時制得的電極表面均勻致密,邊緣效應較小。

        2.3 燒結溫度對電極制備的影響

        在錫元素的濃度為0.48mol/L,n(錫)∶n(銻)為9∶1 下,分別在 400、450、500、550 和 600℃ 下高溫燒結10min,用金相顯微鏡觀測電極的表面狀態(tài)??梢钥闯?,不同燒結溫度的電極,表觀顏色有明顯區(qū)別,說明在不同溫度下,生成不同氧化物或熱分解的程度不同。隨溫度的升高,電極表面裂紋數增多,當θ為600℃時,電極表面出現(xiàn)大的裂紋,表明燒結溫度的高低,對電極涂層的結合力及電極壽命有明顯影響。燒結θ為550℃時制得的錫銻氧化物電極晶粒較細,表面致密。

        2.4 燒結時間對電極制備的影響

        在錫元素的濃度為0.48mol/L,n(錫)∶n(銻)為9∶1條件下,燒結θ為550℃下,分別控制燒結時間為5、8、10、15 和 20min。隨燒結時間的延長,電極表面開始出現(xiàn)“龜裂”結構,且顏色有變化,表明錫銻氧化物在電極表面發(fā)生了轉化。同時,煅燒時間的延長也會使錫銻元素損失,導致電極表面顆粒分布不均。在金相顯微鏡下,電極涂層呈現(xiàn)較多的“干泥”塊狀裂痕,表明在電極制備過程中,煅燒時間對電極涂層的結合力和電催化活性都有一定的影響。甲基橙溶液的退色時間與電極燒結時間的關系如圖1所示。由圖1可知,燒結t在10min時,所制得的錫銻氧化物電極的電催化性能最好。

        2.5 錫銻氧化物電極形貌及結構分析

        綜合上述實驗,選擇 n(錫)∶n(銻)為 9∶1,涂液濃度(以氯化亞錫計)為 0.48mol/L,燒結 θ為550℃,燒結t為10min的條件,制得錫銻氧化物電極。用金相顯微鏡觀測其表面狀態(tài)如圖2所示。由圖2可知,在此條件下制備的電極表面平整致密,結晶粒子比較細微,無交錯裂痕,增強了電極耐腐蝕性,有效地減少鈦基體裸露,降低了液體的滲入,延長了電極的使用壽命。同時在一定條件下,微小的裂痕又增加了電極的比表面積,即增加了其電催化活性位點。

        圖2 電極表面形貌照片(500×)

        錫銻氧化物電極的X-射線衍射(XRD)譜圖見圖3。與標準卡片對照可知,電極表面氧化物涂層的主要成分是SnO2和Sb2O3,并且涂層中的SnO2為四方相的金紅石結構。

        圖3 電極XRD譜圖

        2.6 電極分解甲基橙的性能

        以甲基橙為目標有機物,考察錫銻氧化物電極的電分解甲基橙性能,如圖4所示。由圖4可以看出,起初幾分鐘內褪色率隨電解時間迅速增加,7min后趨于平緩,10min時測得其褪色率達95%以上。表明此條件下制得的電極性能穩(wěn)定,電催化活性高,預計用于工業(yè)處理有機廢水的效率高,處理能力強。

        圖4 褪色率與電解時間的關系

        3 結論

        1)通過實驗確定了錫銻氧化物電極制備條件為:涂液濃度(以氯化亞錫計)0.48mol/L,n(錫)∶n(銻)為9∶1、燒結 θ為550℃、燒結 t為60min。在此條件下制得的鈦基錫銻氧化物涂層電極,表面狀態(tài)平整,涂層均勻,晶粒排列致密。

        2)采用錫銻氧化物電極對甲基橙進行電分解,10min后甲基橙的褪色率可達95%。

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